用非相干光时间延迟四波混频测量TiO2超微粒子的扩散系数及载流子复合时间

本文报导了用非相干光时间延迟四波混频方法测得Ti2O超微粒子的扩散系数和载流子复合时间分别为0.016cm2/s和1.08ns.两个光栅衰减时间分别是1.07ns和0.56ns.讨论了引起两个光橱衰减时间不同的原因.     

PVK掺杂稀土铕配合物的电致发光中的能量传递过程

将Michler‘s Ketone(MK)作为协同配体与一种β－双酮类稀土配合物Eu(fod)3的氯仿溶液混合，两者有效配合生成一种新的稀土配合物Eu(fod)3MK，它的吸收谱中有一Michler‘s Ketone和Eu(fod)3都不具有的新的吸收峰，吸收边在450nm附近。这一新的吸收峰与PVK的发射谱有很好的重叠，从而使能量可以有效地通过Forster能量转移方式由PVK传递给稀土配合物。将这种新的稀土配合物掺杂到导电聚合物PVK中，并以它们为发光层制成电致发光器件。结果表明：加入协同配体后的光致发光和电致发光中，PVK的发射均被有效抑制。这说明MK贩加入大大提高了由聚合的基质向稀土配合物进行能量传递的效率。     

n-type ZnS used as electron transport material in organic light-emitting diodes

This paper reports on the n-type ZnS used as electron transport layer for the organic light-emitting diodes (OLEDs). The naphthyl-substituted benzidine derivative (NPB) and tris (8-hydroxyquinoline) aluminium (AlqOLEDs n型ZnS 电子运输层 亮度 效率 功能发光二极管OLEDs, n-type ZnS, electron transport layer, luminance, efficiencyProject supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant No 60476005), the Scientific Research Foundation for Returned Overseas Chinese Scholars, the State Education Ministry, the State Key Program for Basic Research of the Ministry of Science and Technology of China (Grant No 2003CB314707), and the Key Project of National Natural Science Foundation of China (Grant No 50532090).2005-11-211/9/2006 12:00:00 AMThis paper reports on the n-type ZnS used as electron transport layer for the organic light-emitting diodes （OLEDs）. The naphthyl-substituted benzidine derivative （NPB） and tris （8-hydroxyquinoline） aluminium （Alq3） are used as the hole transport layer and the emitting layer respectively. The insertion of the n-type ZnS layer enhances the electron injection in the OLEDs. The study was carried out on OLEDs of structures： indium-tin-oxide （ITO）/NPB/Alq3/ZnS/LiF/AL, ITO/NPB/Alq3/LiF/AL and ITO/NPB/Alq3/AL. The luminance and efficiency of the device containing this electron transport layer are increased significantly over those obtained from conventional devices due to better carrier balance.     

ITO表面研磨处理对有机电致发光器件性能的影响

用一种特制的纳米研磨粉磨擦方法处理ITO表面,用扫描探针显微镜研究了ITO表面形貌, 发现ITO表面尖峰明显减少, 表面粗糙度降低;研究了ITO处理与没做处理的双层结构有机电致发光器件,发现ITO处理的器件在亮度和效率方面都有明显提高。分析了器件性能提高的原因,认为是由于ITO处理的器件提高了注入载流子并且降低了界面势垒。     

MBE生长ZnO薄膜的结构和光学特性的研究

用等离子体源辅助分子束外延(P-MBE)方法在蓝宝石(0001)面上生长出了高质量的ZnO薄膜,并对其结构和发光特性进行了研究。在XRD中只观察到ZnO薄膜的(0002)衍射峰,其半高宽(FWHM)值为0.18°;而在共振Raman散射光谱中观测到1LO(579 cm-1 )和2LO(1 152 cm-1 )两个峰位,这些结果表明ZnO薄膜具有单一c轴取向和高质量的纤维锌矿晶体结构。在吸收光谱中观测到自由激子吸收和激子-LO声子吸收峰,这表明在ZnO薄膜中激子稳定的存在于室温,并且两峰之间能量间隔为71.2 meV,与文献上报道的ZnO纵向光学声子能量(71 meV)相符。室温下在光致发光光谱(PL)中仅观测到位于376 nm处的自由激子发光峰,而没有观测到与缺陷相关的深能级发射峰,表明ZnO薄膜具有较高的质量和低的缺陷密度。     

CdS薄膜的化学沉积法制备及其特性的研究

用化学沉积方法在沉积温度为90 ℃下制备了CdS薄膜。研究了直接退火处理和涂敷CdCl₂甲醇饱和溶液后退火处理对CdS薄膜的影响。利用X射线衍射、扫描电子显微镜对薄膜的晶体结构、表面形貌进行了研究,发现没有任何处理的CdS薄膜没有明显的晶型;直接退火处理促进了CdS立方相的结晶,晶粒没有增大且生长出许多细小的晶粒;涂敷CdCl₂甲醇饱和溶液后退火处理不仅极大地促进了CdS六角相的结晶,而且晶粒增粗增大,表面更加光滑。用吸收光谱研究了薄膜的光学特性,发现退火使薄膜的禁带宽度变窄,涂敷CdCl₂甲醇溶液后退火处理使吸收边变陡和带尾变小。表明涂敷CdCl₂甲醇溶液退火处理明显改善CdS薄膜的结晶质量和光学性质。     

有机EL器件MEH-PPV/Alq3的光伏特性

制备了ITO/MEH-PPV/Alq3/LiF/Al光伏(PV)器件. MEH-PPV和Alq3分别为电子受体和给体. 光谱响应曲线主要和Alq3的吸收光谱相匹配. 在功率为0.5 mW·cm2的紫外氙灯照射下电池的短路电流为2.4 μA·cm-2, 开路电压为2.6 V, Fill因子为0.71, 电池的能量转换效率达到0.9%. 在直流电的驱动下, 器件具有电致发光的特性并且发出明亮的桔红色光, 在15 V的直流电压驱动下, 最大亮度达到了1 000 cd·cm-2.     

纳米ZnO镶嵌SiO2薄膜的磁控溅射制备和发光性质的研究

采用射频磁控反应溅射方法在SiO衬底上制备了纳米ZnO镶嵌SiO2薄膜.在室温下利用吸收光谱和光致发光光谱研究了样品的光学性质.发现吸收光谱随纳米ZnO尺寸的减小发生了明显的蓝移,表明随着ZnO尺寸的减小,量子尺寸效应增强,导致带隙展宽,吸收峰蓝移.光致发光光谱在387和441 nm附近出现了两个发光带,分析认为紫外发光来源于自由激子的辐射复合,而蓝色发光带来自于氧空位的电子到价带的跃迁,并用时间分辨光谱和发光衰减证实了上述观点.     

ZnO薄膜的制备和发光特性的研究

用射频磁控溅射的方法在石英衬底上沉积了氧化锌薄膜，在室温下测量了样品的XRD曲线、吸收光谱以及光致发光光谱。探讨了气氛中氧气与氩气比对制备薄膜的影响，从XRD谱中可以看出，样品具有较好的结晶状态。另外，样品在紫外有较强的吸收，而其光致发光也是较强的紫外发射，这表明带间跃迁占了主导地位，以上结果说明：用溅射方法制备的ZnO薄膜结晶质量较好，富锌状态有所改善。     

非晶镁铟锡氧薄膜晶体管的制备及退火对其性能的影响

为了优化镁铟锡氧薄膜晶体管(MITO-TFT)的性能,采用磁控溅射法制备MITO-TFT并分别研究了退火温度和退火气氛(O_2流量)对器件性能的影响。实验结果表明,O_2流量为400 cm~3/min、退火温度为750℃的MITO薄膜为非晶态,且其对应薄膜晶体管有最佳性能,其饱和迁移率为12.66 cm~2/(V·s),阈值电压为0.8 V,开关比达到10~7。适当的退火处理可以有效减少缺陷与界面态密度,并提高器件性能。