Enhanced radiation-induced narrow channel effects in 0.13-μm PDSOI nMOSFETs with shallow trench isolation

Total ionizing dose responses of different transistor geometries after being irradiated by ~(60)Co γ-rays, in 0.13-μm partially-depleted silicon-on-insulator(PD SOI) technology are investigated. The negative threshold voltage shift in an n-type metal-oxide semiconductor field effect transistor(nMOSFET) is inversely proportional to the channel width due to radiation-induced charges trapped in trench oxide, which is called the radiation-induced narrow channel effect(RINCE).The analysis based on a charge sharing model and three-dimensional technology computer aided design(TCAD) simulations demonstrate that phenomenon. The radiation-induced leakage currents under different drain biases are also discussed in detail.     

发光二极管电视、符号显示

国内外对发光二极管单片式、混合式矩阵显示装置正在进行活跃的研究。成为这种二极管显示装置的基本技术有:制备高效率p-n结;在单一晶体基板上制作多个发光元件的集成化技术;把多个发光二极管组装起来的电气联结技术以及最佳的取光结构等。 近年来,由于GaAsP、GaP发光二极管的效率显著提高;集成化技术、组装技术的进展以及结构上的巧妙设计;用发光二极管显示装置部分地取代阴极射线管显示的可能性日趋增大起来。 本文研究了发光二极管平面显示装置的电视图像显示及文字、数字——符号显示的特性;并论述了作者最近试制的GaP绿色发光二极管平面显示装置的结构、特性及在电视显示、符号显示上的应用。     

低能离子注入宫颈癌细胞的红外光谱分析

利用离子注入机所产生的低能N+模仿宇宙中低能离子作用于人宫颈癌细胞(HeLa cell),探索其对人类细胞的影响及作用机制。因实验中的低能离子产生和加速要在真空中进行,细胞在离子注入同时将受到真空的影响,为此研究人员利用石蜡油保护细胞以防止注入时的水份蒸发。注入处理完毕后收集细胞,采用傅里叶变换红外光谱法(FTIR)分析真空和低能N+束注入后细胞中大分子的相对含量、构型及其构象变化等方面的信息。结果表明：(1)不同处理后的样品在3 300 cm-1附近吸收谱带存在明显差异。对照样品的特征峰位为3 300 cm-1,而其他样品中除了注入5×1014 N+·cm-2外,红外吸收峰均向长波数方向移动,真空2×1015 N+·cm-2样品的频移尤为明显至3 420 cm-1处。(2)与对照样品相比较,各处理样品的1 378 cm-1处吸收峰峰位均向长波数方向频移。(3)处理样品相对于对照样品而言,2 360 cm-1处吸收峰均向长波数方向移动。该结果说明低能离子注入处理可以引起细胞中核酸、蛋白的含量和构象变化。     

Formation of the intermediate semiconductor larger for the Ohmic contact to silicon carbide using Germanium implantation

By formation of an intermediate semiconductor layer (ISL) with a narrow band gap at the metallic contact/SiC interface, this paper realises a new method to fabricate the low-resistance Ohmic contacts for SiC. An array of transfer length method (TLM) test patterns is formed on N-wells created by P⁺ ion implantation into Si-faced p-type 4H-SiC epilayer. The ISL of nickel-metal Ohmic contacts to n-type 4H-SiC could be formed by using Germanium ion implantation into SiC. The specific contact resistance ρ_c as low as 4.23× 10^-5~Ωega \cdotcm² is achieved after annealing in N₂ at 800~°C for 3~min, which is much lower than that (>900~°C) in the typical SiC metallisation process. The sheet resistance R_sh of the implanted layers is 1.5~kΩega /\Box. The technique for converting photoresist into nanocrystalline graphite is used to protect the SiC surface in the annealing after Ge⁺ ion implantations.     

润滑油对超临界压力CO_2对流换热特性影响

本文对含有少量润滑油对冷却条件下水平细圆管中超临界压力二氧化碳的对流换热特性进行了实验研究,并与相应不含润滑油的工况及已有经验关联式进行对比。实验结果表明,润滑油会使冷却工况下超临界压力二氧化碳的对流换热恶化,尤其是二氧化碳温度在准临界温度附近时,恶化现象更显著。本文提出了用于计算含润滑油时冷却工况下超临界压力二氧化碳对流换热的经验关联式,其计算结果与90%以上实验数据的偏差在25%以内。     

模拟进化法Si和Be的团簇结构

模拟生物进化的机理，建立了优化团簇结构的理论程序，并对Ｓｉ和Ｂｅ团簇结构进行了优化计算。并成功地得到了用其它方法已发现的团簇基态结构，还发现了用其它方法尚未得到的团簇基态结构；所得到的团簇基态能量等于或小于已发表的用其它方法所得到的相团簇的基有量，说明此方法对于优化团簇基态结构是可行和有效的。     

基于多源数据的双向闭合云控制立体视觉测量

针对大视场范围下运动目标位姿参数测量易受模型累积误差、成像畸变和特征信息不足等因素的影响,提出一种新型视觉测量方法。首先建立适用于视觉测量过程中的高效多源特征数据融合模型,可以解决特征点单一的问题。然后构建基于特征点云信息的双向闭合测量模式,改变传统方法中从图像数据到空间特征信息的单向传递过程,将已确认的空间数据作为控制信息返回至测量处理过程中,可以有效规避测量空间越大导致测量模型累积误差越大的矛盾。最后实验结果表明,所提方法在10 m×8 m×3 m大视场空间内实现目标的姿态测量精度优于±1.5°,位置精度优于2 mm。所得的测量结果验证了双向闭合云控制测量模式获取的目标位姿参数精度高,稳定性强,能够满足实际的工程应用需求。     

基于减压膜蒸馏除湿溶液再生过程实验研究

用LiCl溶液作为除湿溶液进行减压膜蒸馏(VMD)溶液再生实验。研究了溶液温度、浓度,纤维膜的长度、数量对膜通量、传质系数、截留率和再生能力的影响.结果表明,溶液的温度对VMD的再生性能有很大影响,再生能力从0.1%升高到0.8%～1.2%,水通量、传质系数也随再生温度的升高而增大.在相同的再生能力下,30%LiCl溶液的再生温度比20%LiCl溶液高约7℃。为了提高高浓度溶液的再生效果,可以适当提高再生温度.此外,溶液的水通量和再生能力随着膜数的增加先降低再增加。因此,合理选择数量的纤维膜可以不仅节省材料,还可以提高再生能力.     

求贝尔塞方程解的注记

求贝尔塞方程解的注记张自立（西安交通大学）书［１］是工科院校使用的教材。在该书第五章§５·２节中，叙述用广义幂级数方法求贝塞尔方程的解。求解过程有不严密之处，所得结论也不完整。现简要说明如下。１该书中解法摘要及存在的问题该书１０４页—１０６页研究ｎ阶...     

赏析两道试题

现撷取 2 0 0 3年春季湖北省部分重点中学高三联考数学试题中的两道应用题加以赏析 .1.拙中见巧 ,平淡见珍奇题 1　 (理科第 12题 )某县位于山区 ,居民居住区域呈如图所示的五边形 ,近似由一个正方形和两个等腰直角三角形组成 ,若AB =60km ,AE =CD=3 0km ,为了解决当地人民看电视难的问题 ,准备建一个电视传播台 ,理想方案是转播台距五边形的顶点的距离平方和最小 ,图中P1 、P2 、P3、P4 是AC的五等分点 ,则转播台建在 (　 ) .(A)P1 处　 (B)P2 处　 (C)P3处　 (D)P4 处解　以AB所在直线为x轴 ,EA所在直线为 y轴 ,A为原点建立坐标…