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131.
利用反应显微谱仪对70keV He2+-He转移电离过程中的出射电子进行了成像,研究了出射电子的空间速度分布特征.结果表明:电子主要集中在散射平面内;在散射平面内,电子速度分布介于零与入射离子速度Vp之间(即前向出射)且在散射离子和靶核核间轴处有一极小值,呈现出典型的双峰结构.出射电子的上述分布特征可由出射电子波函数σ振幅和π振幅的干涉进行定性解释,σ振幅和π振幅对出射电子波函数的贡献与碰撞参数相关.在小碰撞参数下,π振幅的贡献更加明显;而在大碰撞参数下,σ振幅的贡献更加显著. 相似文献
132.
本文对比了再压缩超临界CO2 (S-CO2)循环、蒸汽朗肯循环、He布雷顿循环分别应用于铅基堆的最优热学性能,明确了S-CO2循环与铅基堆结合较传统循环的热力学优势。为进一步提高再压缩S-CO2循环的效率,以跨临界CO2 (T-CO2)循环为底循环构建了再压缩S-CO2/T-CO2复合循环,探讨了不同顶循环透平入口温度、压力和压缩机入口温度条件下系统性能的变化规律,对比了S-CO2/T-CO2复合循环和S-CO2循环的热学性能。结果表明:铅基堆再压缩S-CO2循环发电系统较传统循环形式具有更高的热效率;构建的S-CO2/T-CO2复合循环能够有效提高S-CO2循环的效率,在所研究参数范围内,S-CO2/T-CO2复合循环的热效率和效率比S-CO2循环分别最大可提高约4.8%和8.3%;再压缩S-CO2循环和S-CO2/T-CO2复合循环热学性能随顶循环关键参数变化规律具有一致性。 相似文献
133.
大气压空气电火花激波等离子体射流的电子密度在亚微秒时间尺度上瞬变,其电子密度的测定很难.基于微波瑞利散射原理,本文测量了空气电火花冲击波流注放电等离子体射流的时变电子密度.实验结果表明:测量系统的标定参数A为1.04 × 105 V·Ω·m–2;空气流注放电等离子体射流的电子密度与等离子体射流的半径和长度有关,结合高速放电影像展示的等离子体射流的等效半径和等效长度,测定的电子密度在1020 m–3的量级,且随时间先快速增长至峰值再成指数衰减.此外,本文还探讨了等离子体射流的不同等效尺度对测定结果的影响;分析结果表明,采用时变等效半径和时变等效长度的计算结果最有效,且第1个快速波峰是由光电离的电离波导致的. 相似文献
134.
多体量子系统的相互作用是研究量子信息科学必须要解决的瓶颈性问题之一.里德堡(Rydberg)原子具有很大的电偶极矩,使得它可以实现长程的相互作用,为研究多体量子物理提供了有力的技术手段.因而Rydberg原子多体系统是多体相互作用探究的理想平台, Rydberg原子多体相互作用的研究对多体量子系统的相互作用的性质研究和应用探究有着重要意义.本文综述了关于Rydberg原子多体相互作用方面的研究,介绍了由Rydberg原子的多体相互作用引起的Rydberg阻塞效应、Rydberg原子多体系统拉比频率的变化以及Rydberg原子多体系统呈现的特别的空间构型;同时介绍了利用Rydberg原子多体相互作用实现一些应用的工作,如实现单光子源、量子存储、实时单原子成像以及量子模拟等,并讨论了Rydberg原子多体系统的研究方向和应用前景. 相似文献
135.
本文首先修正了文献[2]中的定义1.2,然后给出了由κ元(?)级 de Bruijn-Good图的1-因子构成的变换图的结构,得到了它与分配多面体图(graph of assign-ment polytope)的关系,从而得知它具有一些好的性质. 相似文献
136.
137.
本文以炸药奥克托今(HMX)为例,开展了基于太赫兹光谱的固体粉末含水率检测方法的研究。首先,设计了适用于含水试样的预处理模具,避免预处理和测量过程中HMX粉末水分流失。其次,采用太赫兹时域光谱系统测量了HMX脱水过程的太赫兹光谱,获得了不同含水率HMX的太赫兹折射率和吸收系数。最后,研究了基于支持向量机回归(SVR)的含水率分析方法。提出了融合试样质量和太赫兹折射率的建模方法,解决了基于折射率或吸收系数的回归模型泛化性差的问题。在此基础上,采用遗传算法(GA)和粒子群算法(PSO)对SVR建模过程的正则化参数和核函数进行寻优。结果表明,基于PSO-SVR的模型最优,建模决定系数(R2)为0.996,均方根误差(RMSE)为0.009%,外部验证R2为0.991,RMSE为0.015%。 相似文献
138.
本文推导了双扩束棱镜系统的角色散公式,从理论上证明了一个不带标准具的、由双棱镜扩束系统组成的调谐腔,能够达到GHz量级(~10~(-2)(?))的窄带可调谐激光,且经实验验证获得了小于4GHz的激光输出,为采用多棱镜系统以获得小于1GHz的窄带激光提供了理论依据.此外,还分析了这种系统具有反射损耗小、偏振运转和调整容易等优点,表明双(多)棱镜扩束系统是一种比较理想的光扩束、滤波、调谐多功能的光学元件. 相似文献
139.
A device model for thin silicon-on-insulator SiGe heterojunction bipolar transistors with saturation effects 下载免费PDF全文
In this paper, we describe the saturation effect of a silicon germanium (SiGe) heterojunction bipolar transistor (HBT) fabricated on a thin silicon-on-insulator (SOI) with a step-by-step derivation of the model formulation. The collector injection width, the internal base—collector bias, and the hole density at the base—collector junction interface are analysed by considering the unique features of the internal and the external parts of the collector, as they are different from those of a bulk counterpart. 相似文献
140.
基于k·p微扰法计算了单轴〈111〉应力作用下硅的价带结构, 并与未受应力时体硅的价带结构进行了比较. 给出了单轴〈111〉应力作用下硅价带顶处能级的移动、分裂以及空穴有效质量的变化情况. 计算所得未受应力作用时硅价带顶处重空穴带、轻空穴带有效质量与相关文献报道体硅有效质量结果一致. 拓展了单轴应力硅器件导电沟道应力与晶向的选择范围,给出的硅价带顶处重空穴带、轻空穴带能级间的分裂值和有效质量随应力的变化关系可为单轴〈111〉应力硅其他物理参数的计算提供参考.
关键词:
单轴应力硅
k·p法')" href="#">k·p法
价带结构 相似文献