二阶强次线性常微分方程解的振动性

本文讨论二阶非线性常微分方程 (a(t)ψ(x(t))x’(t))’+q(t)f(x(t))g(x’(t))=0 (1)的解的振动性质。在方程(1)中,α∈C[[t_0,∞),(0,∞)],ψ∈C[R,(0,∞)](R=(-∞,+∞)),q∈C[[t_0,∞),[0,∞)]且在任意的区间(t,∞)(t≥t_0)上不恒等于0,f∈C’[R,R],g∈C[R,R]。关于微分方程振动性的定义,如通常定义,不再详述。在下面的定理中,以下条件将要用到:     

最大度为6的极大外平面图的完备色数

证明了最大度为６的极大外平面图的完备色数为７。     

非相对论BUU近似下的横动量分析

由不同有效质量m^*/m与压缩系数K所标示的平均场的非相对论BUU计算,研究了横动量的产生机制,并讨论了m^*/m和K对横动量等的影响.发现横动量对K的依赖不太灵敏,但对m^*/m却十分灵敏.     

电子束蒸发a—Si1—xGdx薄膜的光吸收

研究了电子束蒸发的掺稀土非晶硅基薄膜材料a—Si_(1-x)Gd_x的光吸收特性。这类材料的组分变化对近红外长波吸收特性的影响灵敏,在0.1at％相似文献   

计算二聚体系平衡常数的新方法

本文利用一些数学变换技巧,首次给出了关于二聚平衡常数方程组的精确解。根据排列组合原理,设计一个计算程序对一组实验数据可能形成的所有方程组求得的解进行平均,以消除实验误差的影响。用本方法算出二磺化和三磺化酞菁的平衡常数分别为0.75×10~6和0.92×10~5,表明溶解性越大,二聚程度越小。     

怀念张子高教授

我的父亲张准,字子高,1886年出生在湖北省枝江县一个沿长江的小镇——董市。十九世纪八十年代到1911年辛亥革命这个阶段,正是腐败的清王朝在内忧外患下步入它的末期。整个社会风气败坏至极,有识之士无不认识到唯一的出路只有彻底的变革。在澎湃     

正丁基苝四羧酸二酰亚胺的晶型和性能研究

文章合成了N,N'-二正丁基苝四羧酸二酰亚胺,并纯化、调晶,进行了IR、元素分析、X射线等测定.分析该化合物在DMF中的紫外光谱(最大吸收波长524.80 nm)、荧光光谱(最大发射波长539.0 nm)、Stokes位移(数值15 nm)等光谱性质.在400～700 nm范围内,α晶型薄膜紫外-可见吸收出现很强的吸收峰,且由β型变为α型,最大吸收波长有明显的红移(545 nm变为580 nm).X射线粉末衍射也反映出α晶型的2θ在26.0°处衍射峰CPS为2 508,β型在25.2°为1 891.α,β晶型作为电荷产生材料制得的功能分离型有机光导体,在光源滤波波长λ=532 nm曝光下,测得含α,β感光体达到饱和电位的时间分别为46,93.98 s,光衰电位(5.3千伏电压负充电电晕,1～2 s后的表面电位)分别为727和525 V,半衰曝光量分别为4.32,4.34μJ·cm-2,残余电位分别为30和45 V等光导性能数值.     

C-V法提取SiC隐埋沟道MOSFET沟道载流子浓度

本文对用C-V法提取SiC隐埋沟道MOSFET沟道载流子浓度的方法进行了理论和实验分析. pn结的存在所造成的埋沟MOS结构C-V曲线的畸变为沟道载流子浓度的提取带来一些问题. SiC/SiO₂界面上界面态的存在也会使提取出的数值与实际数值产生偏差. 本文首先从理论上分别分析了沟道深度和界面态对沟道载流子浓度提取结果的影响，然后对两种沟道深度的埋沟MOS结构C-V曲线进行了测试，提取出了沟道掺杂浓度. 在测试中，采用不同的扫描速率，分析了界面态对提取结果的影响. 理论分析结果和实验测 关键词： C-V法 SiC 隐埋沟道MOSFET 沟道载流子浓度     

运用认知冲突转变电学中的前概念

以文献综述的方式解释概念转变的含意，指出物理概念转变的困难所在，提出解决概念转变的认知冲突策略，并提供了实施该策略的一些方案．然后列举初学电学的学生中存在的一些前概念，为设计认知冲突策略提供依据．最后阐述运用认知冲突策略时要注意的问题．