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在飞秒激光与固体靶相互作用中,利用OMA光学多道分析谱仪,在靶前表面激光镜反方向测量了激光的二次谐波(2ω0)光谱和三次谐波(3ω0)光谱,观测到了红移的2ω0光谱和3ω0光谱的伴线结构。在激光功率密度为~1018 W·cm-2的条件下,通过2ω0和3ω0谐波光谱的伴线结构,回推出激光与等离子体相互作用中产生的自生磁场均小于1 MGs。随着激光功率密度的增大,谐波谱红移峰向长波方向移动,光谱同时发生展宽。分析认为,等离子体临界面的迅速膨胀是导致二次谐波和三次谐波红移的主要原因。随着预脉冲功率密度的增大,临界面膨胀速度增大,导致了谐波光谱峰更大的红移。自生磁场的测量为诊断临界面的运动方向和速度提供了新的依据。 相似文献
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Motivated by the wise idea of entanglement witness (EW), we present
an inequivalent entanglement witness (IEEW) that can analogously
classify certain eigenstates entangled in inequivalent ways under
stochastic local operations and classical communication (SLOCC) in
the Heisenberg spin chain. Since the IEEW is the absolute value of
magnetization | M| that is a macroscopically
measurable quantity, our conclusions provide a macroscopic method to
detect inequivalent entanglement between microscopic spins, on the
one hand, and clearly show that inequivalent entanglement can yield
different macroscopic effects, on the other hand. 相似文献
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采用从头算和密度泛函方法研究了多通道反应CHF2CF2CH2OCHF2+OH→产物的反应机理.首先在BMK/6-311+G(d,p)水平下优化了稳定点的几何构型并计算了振动频率;然后在BMC-CCSD水平下,对势能面进行高水平能量校正.结果表明,此反应存在提氢和取代两类反应通道,但是无论从动力学还是从热力学分析,提氢反应通道才是主要的反应通道,且从-CH2-基团上提取氢原子的提氢通道是主要的反应通道. 相似文献
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采用密度泛函理论(DFT)和含时密度泛函理论(TD-DFT)方法系统研究了过渡金属取代的Keggin型磷钨酸盐染料的电子性质、吸收光谱和相关性能参数.结果表明,与实验合成的[PW_(11)O_(39)Rh CH_2COOH]~(5-)(1)体系相比,[PW_(11)O_(39)MCH_2COOH]~(n-)[M=Ru~Ⅱ(2),Ir~Ⅲ(3),Os~Ⅱ(4),Co~Ⅲ(5)]体系的吸收光谱均有所红移,其中M为OsⅡ的体系4的吸收光谱在可见光区域有宽而强的吸收.此外,体系4具有较高的电子注入效率和光捕获效率,有望成为性能良好的染料敏化剂. 相似文献
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针对北京市大学生数学竞赛试题中一道积分不等式证明题,在重述原参考解答后,重点介绍Steffesen不等式和Chebyshev不等式,并分别运用它们证明该积分不等式.此外,利用积分第二中值定理也可证明该积分不等式。且方法更为简洁. 相似文献
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采用阳极氧化技术在不锈钢丝网上成功地自生长了结构致密的氧化物膜,并以此为载体,通过电化学沉积工艺制备了Cu/不锈钢丝网催化剂。以甲苯、丙酮、乙酸乙酯及二氯甲烷为模型反应,考察了4种不同种类挥发性有机化合物(VOCs)在该催化剂上的完全氧化活性。结果表明电化学沉积时间为15 min制备得到的催化剂上完全氧化丙酮、甲苯、乙酸乙酯及二氯甲烷的温度分别为240、220、260和440℃。在220℃反应条件下进行60 h的甲苯氧化稳定性试验结果显示该催化剂催化氧化甲苯的转化率一直保持98%以上,表现出较好的稳定性。扫描电镜,X射线衍射及X射线光电子能谱等表征结果表明,不锈钢丝网载体表面的阳极氧化物膜有利于提高活性组分的分散度。设计采用电沉积工艺大大提高了催化剂表面活性物种与载体的结合牢固度。 相似文献
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High electronic density is achieved by polarization doping without an impurity dopant in graded AIGaN films. Low specific contact resistance is studied on the polarization-doped A1GaN/GaN heterojunctions by using the transmission line method (TLM). The sheet density of polarization-doped A1GaN/GaN heterojunction is 6 × 10 14 cm-2 at room temperature. The linearly graded material structure is demonstrated by X-ray diffraction. The cartier concentration and mobility are characterized by a temperature-dependent Hall measurement. Multiple-layer metal (Ti/A1/Ti/Au) is deposited and annealed at 650 ℃ to realize the Ohmic contacts on the graded A1GaN/GaN heterojunctions. 相似文献