掺杂Ni/Al对热障涂层抗高温氧化性和结合强度的影响

YSZ(Ni,Al)粉末颗粒通过电泳沉积技术在高温镍基合金600上沉积一层厚度均匀的YSZ(Ni,Al)复合热障涂层,并在室温下干燥24 h后,进行真空烧结致密化处理.真空致密化处理后的YSZ(Ni,Al)复合热障涂层在1100℃下氧化不同小时并测量涂层的结合强度.由于掺杂了镍铝氧化初期在涂层表面形成一层致密的氧化薄膜,有效地阻止了空气中的氧气进一步进入涂层内部从而提高了涂层的抗高温氧化性能,另外在陶瓷涂层YSZ中掺杂了金属元素,降低了陶瓷涂层与高温镍基合金的热膨胀系数的不匹配,使涂层表面更加平整致密,同时也提高了涂层与基体的结合强度.     

多晶Lu_2SiO_5∶Ce发光粉体中Ce价态的XANES表征及其VUV光谱特性

采用X射线吸收近边结构(XANES)谱对多晶Lu2SiO5∶Ce(LSO∶Ce)发光粉体中Ce元素的化合价状态进行了表征,结果表明:在空气下煅烧后得到的不同Ce掺杂浓度的LSO∶Ce粉体中,Ce3+在总掺杂Ce中的含量仅为18%~39%;而经1 000℃/2 h的氢气气氛下退火后,LSO∶0.5%Ce粉体中Ce3+的相对含量由39%大幅提高到83%。真空紫外(VUV)激发发射光谱表明:当Ce的掺杂摩尔分数为0.25%~1%时,Ce3+的摩尔分数与LSO∶Ce粉体的发光强度具有很好的关联性。氢气退火处理可以使LSO∶Ce粉体的发光强度提高近40%。LSO∶Ce粉体在变温条件(50~250 K)下的发射强度表现出良好的稳定性,未观察到热猝灭现象发生。     

电化学沉积制备半导体CuInSe2薄膜

本文报道恒电位法在pH为1.35的Cu₂SO₄、SeO₂、In₂(SO₄)₃溶液中,在Ti电极上电化学沉积制备CuInSe₂纳米薄膜.研究络合剂柠檬酸和酒石酸对制备CuInSe₂纳米薄膜的影响.扫描电子显微镜(SEM)结果表明,加入络合剂后,电化学沉积的薄膜表面颗粒分布更均匀、致密.X射线衍射(XRD)分析显示,制备的CuInSe₂薄膜是黄铜矿和闪锌矿相的混和物,添加柠檬酸和酒石酸后,衍射峰增强,晶形变好.制备的薄膜颗粒尺寸大小在250nm左右,造成粒度增大的原因是由于颗粒的团聚作用.     

5，8-二呋喃基萘基喹喔啉与对苯撑乙炔交替共聚物的合成及其性能北大核心CSCD

利用Stille耦合反应合成了新型单体5,8-二呋喃基萘基喹喔啉,溴化后与不同长链烷氧基侧链的对苯撑乙炔共聚,合成了聚[2,5-二(辛氧基)-1,4-苯撑乙炔撑-5,8-二(呋喃基)萘基喹喔啉](PⅠ)和聚[2,5-二(十二烷氧基)-1,4-苯撑乙炔撑-5,8-二(呋喃基)萘基喹喔啉](PⅡ)。通过FT-IR、1 H-NMR等手段对单体和共聚物的结构进行了表征,采用紫外-可见吸收光谱、荧光发射光谱和循环伏安法对聚合物的光、电性能进行了探讨。结果表明:单体和共聚物PⅠ、PⅡ在长波处的紫外-可见吸收峰分别为435、418、423nm,相应的荧光发射峰分别为551、589、579nm。2种共聚物均在1.54V处出现氧化峰,无相应的还原峰。     

多孔阳极氧化铝薄膜光学常数的确定

根据多孔阳极氧化铝(AAO)薄膜的实验透射谱(200—2500nm)，采用极值包络线算法确定其光学常数，并由此较精确地计算出AAO薄膜样品在该波段的光学常数.结果表明，多孔氧化铝薄膜表现出直接带隙(能隙约4．5eV)半导体的光学特性，且其光学常数与制样中的重要工艺参数阳极氧化电压有显著的相关性，即随阳极氧化电压的增加，AAO薄膜的厚度、折射率和光学能隙变大，消光系数减小．同时，计算得到的薄膜厚度与实测值相吻合，则说明计算结果和实验值是自洽的. 关键词： 薄膜光学 光学常数 多孔阳极氧化铝 阳极氧化电压     

外平面图的全染色与列表全染色

本文证明了,如果G是满足条件Δ(G)≥4的外平面图,则x_T~L(G)=Δ(G) 1,同时对Δ(G)=3给出了XT(G)=Δ(G) 1的简短的新证明,从而蕴含Δ(G)≥3时,XT(G)=Δ(G) 1,其中XT(G)是G的点边全色数,x_T~L(G)是G的点边列表全色数。     

化学修饰电极的研制和应用研究 Ⅳ.聚丙烯脒硫氰酸盐修饰电极及金的分析

近年来,化学修饰电极用于化学分析的工作日益增多。它具有很高的灵敏度和选择性。Koster等提出用螯合树脂选择性分离贵金属与贱金属元素,在赘合树脂中,含有结构,其特点是对贵金属有良好的选择性,而贱金属如铜、铁和锌等则可自由通过交换柱。目前已将这种树脂制成离子交换纸和离子交换膜,但其合成方法是一项专利。最近我们首次以腈纶为原料与硫氰酸铵反应制得类似上述结构的聚丙烯脒硫氰酸盐纤维,并证明对贵金属有良好的选择性。将聚丙烯脒硫氰酸盐修饰到石墨电极上,制成聚丙烯脒硫氰酸盐修饰电极,并成功地用于金的分析。