全文获取类型
收费全文 | 6583篇 |
免费 | 1994篇 |
国内免费 | 2725篇 |
专业分类
化学 | 4448篇 |
晶体学 | 175篇 |
力学 | 637篇 |
综合类 | 336篇 |
数学 | 1484篇 |
物理学 | 4222篇 |
出版年
2024年 | 53篇 |
2023年 | 195篇 |
2022年 | 293篇 |
2021年 | 216篇 |
2020年 | 169篇 |
2019年 | 230篇 |
2018年 | 252篇 |
2017年 | 238篇 |
2016年 | 237篇 |
2015年 | 252篇 |
2014年 | 454篇 |
2013年 | 314篇 |
2012年 | 330篇 |
2011年 | 327篇 |
2010年 | 343篇 |
2009年 | 401篇 |
2008年 | 403篇 |
2007年 | 375篇 |
2006年 | 449篇 |
2005年 | 418篇 |
2004年 | 382篇 |
2003年 | 344篇 |
2002年 | 283篇 |
2001年 | 310篇 |
2000年 | 302篇 |
1999年 | 347篇 |
1998年 | 300篇 |
1997年 | 340篇 |
1996年 | 273篇 |
1995年 | 295篇 |
1994年 | 272篇 |
1993年 | 271篇 |
1992年 | 261篇 |
1991年 | 260篇 |
1990年 | 193篇 |
1989年 | 168篇 |
1988年 | 100篇 |
1987年 | 84篇 |
1986年 | 94篇 |
1985年 | 78篇 |
1984年 | 87篇 |
1983年 | 74篇 |
1982年 | 62篇 |
1981年 | 32篇 |
1980年 | 24篇 |
1979年 | 16篇 |
1978年 | 11篇 |
1965年 | 9篇 |
1958年 | 9篇 |
1957年 | 9篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 515 毫秒
931.
932.
933.
A general scheme of generating NOON states of virtually-excited 2N atoms is proposed. The two cavities are fibre-connected with N atoms in each cavity. Although we focus on the case of N = 2, the system can be extended to a few atoms with N 〉2. It is found that all 2N atoms can be entangled in the form of NOON states if the atoms in the first cavity are initially in the excited states and atoms in the second cavity are all in the ground states. The feasibility of the scheme is carefully discussed, it shows that the NOON state with a few atoms can be generated with good fidelity and the scheme is feasible in experiment. 相似文献
934.
Research on high-voltage 4H-SiC P-i-N diode with planar edge junction termination techniques 下载免费PDF全文
The planar edge termination techniques of junction termination extension (JTE) and offset field plates and field-limiting rings for the 4H-SiC P-i-N diode were investigated and optimized by using a two-dimensional device simulator ISE-TCAD10.0. By experimental verification, a good consistency between simulation and experiment can be observed. The results show that the reverse breakdown voltage for the 4H-SiC P-i-N diode with optimized JTE edge termination can accomplish near ideal breakdown voltage and much lower leakage current. The breakdown voltage can be near 1650 V, which achieves more than 90 percent of ideal parallel plane junction breakdown voltage and the leakage current density can be near 3 × 10-5 A/cm2. 相似文献
935.
A general scheme of generating N00N states of virtually-excited 2N atoms is proposed. The two cavities are fibre-connected with N atoms in each cavity. Although we focus on the case of N=2, the system can be extended to a few atoms with N>2. It is found that all 2N atoms can be entangled in the form of N00N states if the atoms in the first cavity are initially in the excited states and atoms in the second cavity are all in the ground states. The feasibility of the scheme is carefully discussed, it shows that the N00N state with a few atoms can be generated with good fidelity and the scheme is feasible in experiment. 相似文献
936.
采用基于密度泛函理论(DFT)的平面波赝势(PWP)方法,研究了元素替代对Mg2NiH4释氢性能的影响. 计算给出了晶胞参数、电子态密度、原子间的键序和生成焓,分析了氢化物的结构稳定性和原子间成键作用之间的关系. 计算结果表明,生成焓的计算值随替代元素M(Ti,V,Cr)的变化趋势和实验测定的结果一致,且Ti的替代较好地降低了Mg2NiH4的结构稳定性,提高了Mg2NiH4的释氢性能. 分析电子结构可得,Ni(h)–H和M–H间的相互作用是影响Mg2NiH4结构稳定性的主要因素,替代元素正是通过改变M–H的相互作用来提高Mg2NiH4的释氢性能. 相似文献
937.
938.
939.
940.
依据离化杂质散射、声学声子散射和谷间散射的散射模型,在考虑电子谷间占有率的基础上,通过求解玻尔兹曼方程计算了不同锗组分下,不同杂质浓度时应变Si/(001)Si1-xGex的电子迁移率.结果表明:当锗组分达到0.2时,电子几乎全部占据Δ2能谷;低掺杂时,锗组分为0.4的应变Si电子迁移率与体硅相比增加约64%;对于张应变Si NMOS器件,从电子迁移率角度来考虑不适合做垂直沟道.选择相应的参数,该方
关键词:
电子谷间占有率
散射模型
锗组分
电子迁移率 相似文献