The modulation effect of substrate doping on multi-node charge collection and single-event transient propagation in 90-nm bulk complementary metal-oxide semiconductor technology

Variation of substrate background doping will affect the charge collection of active and passive MOSFETs in complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) technologies, which are significant for charge sharing, thus affecting the propagated single event transient pulsewidths in circuits. The trends of charge collected by the drain of a positive channel metal-oxide semiconductor (PMOS) and an N metal-oxide semiconductor (NMOS) are opposite as the substrate doping increases. The PMOS source will inject carriers after strike and the amount of charge injected will increase as the substrate doping increases, whereas the source of the NMOS will mainly collect carriers and the source of the NMOS can also inject electrons when the substrate doping is light enough. Additionally, it indicates that substrate doping mainly affects the bipolar amplification component of a single-event transient current, and has little effect on the drift and diffusion. The change in substrate doping has a much greater effect on PMOS than on NMOS.     

The supply voltage scaled dependency of the recovery of single event upset in advanced complementary metal-oxide-semiconductor static random-access memory cells

Using computer-aided design three-dimensional simulation technology,the supply voltage scaled dependency of the recovery of single event upset and charge collection in static random-access memory cells are investigated.It reveals that the recovery linear energy transfer threshold decreases with the supply voltage reducing,which is quite attractive for dynamic voltage scaling and subthreshold circuit radiation-hardened design.Additionally,the effect of supply voltage on charge collection is also investigated.It is concluded that the supply voltage mainly affects the bipolar gain of the parasitical bipolar junction transistor(BJT) and the existence of the source plays an important role in supply voltage variation.     

催化湿式氧化中铜基催化剂的流失与控制

 制备了催化湿式氧化处理有机废水用铜基催化剂，并用XRD，XRF和TG－DTG等手段对催化剂进行了表征，对催化剂及其前驱体的组成和结构进行了分析鉴定．结果表明，由类水滑石结构的前驱体焙烧得到的催化剂Cu－Al－Zn－O，其活性组分铜的流失得到了控制；在氧化降解苯酚、十二烷基苯磺酸钠和磺基水杨酸时，在初始氧分压0．5MPa和160～220℃的反应条件下，催化剂活性组分铜的流失量小于0．3mg／L．对催化剂活性组分不易流失的原因进行了理论解释和计算．     

聚丙烯中空纤维膜的微孔结构的控制

通过熔纺／冷拉伸法制备了微孔聚丙烯中空纤维膜。研究了工艺条件对微孔聚丙烯中空纤维膜的微孔结构与性能的影响。结果表明：随着纺丝温度的下降或熔体拉伸比的提高，最大可几孔径及孔隙率增大；熔纺中冷却风速提高，最大可几孔径及孔隙率较大；温度低于110℃时，热处理对最大可几孔径及孔隙率的影响较小，在120－130℃时，随着热处理温度的增加，最大孔径及孔隙率有明显增加的趋势；随着初纺中空纤维拉伸倍数的增加，孔隙率先增加而后下降。     

可调谐相对论磁控管的实验研究

实验研究了高有载品质因数下有无阳极端帽时调谐性能的差异,以及低有载品质因数下,没有阳极端帽时的可调谐相对论磁控管性能。研究结果表明：没有阳极端帽时,可调谐相对论磁控管具有更宽的调谐范围;在高有载品质因数下,可以达到2.52～3.31 GHz的调谐范围,输出功率范围为44～790 MW;低有载品质因数下,调谐范围为2.55～3.05 GHZ,调谐范围内输出功率1～1.7 GW。     

关于中微子的电磁形状因子的测定

近年来高能电子在核上的散射直接肯定了核子具有一定的结构,实验并已较好地测出了质子和中子的电磁形状因子。但是,轻粒子的形状因子还没有测定。在轻粒子中,中微子的形状因子又是一个很有兴趣的问题。由于中微子只参与弱相互作用,所以对它的结构因子的理论分析可能较为简单。我们在工作中曾经指出,通过和电子(或μ介子)的弱相互作用,中微子将具有一定的电磁形状因子。初看起来,通过中微子v_e在电子上的散射,可以测定中微子的电磁形状因子。但是事实上,因为v_e和电子有一级的弱相互     

苯甲酸在水-乙醇混合物溶剂中的电离焓

本文测定了苯甲酸在水-乙醇混合溶剂中的电离焓, 并就此进行了讨论。     

火焰原子吸收法间接测定汞

Hg(Ⅱ)在适当条件下可定量置换螯合物DDTC-Cu中的Cu(Ⅱ).通过火焰原子吸收测定被置换入水相中的Cu(Ⅱ)而间接得出Hg(Ⅱ)的含量.     

α-环糊精主客体识别超分子水凝胶的制备及其宏观流变性能构建过程研究

采用7 wt%的α-环糊精(α-CD)溶液和5 wt%的甲氧基聚乙二醇甲基丙烯酸酯均聚物(PMPEGA-2000)溶液制备了α-CD/PMPEGA-2000超分子水凝胶,并对其形貌、结构、形成条件和宏观流变学性能构建过程进行了表征和研究。结果表明,体积比不低于1.5:1是两种溶液混合后形成凝胶的必要条件;当体积比为2:1时,形成的凝胶黏度最大。热重分析、X射线粉末衍射分析和扫描电镜结果表明,该凝胶是基于α-CD与PMPEGA-2000之间的主客体识别所形成,具有三维网络结构。光学微流变分析结果显示,该凝胶宏观流变性能的构建过程实则是凝胶内部主客体识别交联点不断增多,网络结构强度不断增强的过程。该过程始于α-CD溶液与PMPEGA-2000溶液混合后的8′36′′,在64′00′′后基本完成,耗时约55′24′′。     

_μ在质子上的吸收

近来实验对c在质子上的吸收反应研究较为仔细,这些精确的实验将有助于更精确地确定核子和电子、Vc的相互作用常数。在核子和(μ,Vμ)的相互作用常数中,关于赝标量耦合常数f,理论上对它的数值讨论结果并不确定,可以是+8λ或-8λ,(λ是赝矢量耦合常数和矢量耦合常数之比)。而根据对现有μ~-俘获几率以及俘获后中子角分布