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The effects of ion implantation on ployacetylene films PA have been studied with Ar~+, Fe~+, C1~+, I~+, Na~+ and K~+ ions in the energy range of 15—30 keV. The changes of PA films in the electrical conductivity, due to chemical doping and ion implantation in relation to their structure and depth profiles of impurities, were measured through infrared (ATR/FTIK), Rutherford backscattering spectrometry (RBS) and the four probe technique. In all cases, ion implantation of active ions exhibits the same effects as chemical doping. The formation of p-n junction is observed at the interface of implanted region and chemical doped PA substrate. The mechanism of interaction process between ion beam and polymer is also discussed. 相似文献
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最近, SppS实验揭示出一个重要现象: 末态中的重子/介子比例, 随总能量显著增加. 目前流行的理论还不能解释这一现象. 本文利用强子非衍反应的"三火球模型"与我们提出的"夸克组合律"结合, 对这一事实作出了自然解释; 并对更高能区作了预言. 相似文献
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