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Instability of longitudinal wave in magnetized strongly coupled dusty plasmas is investigated. The dust chargigrelaxation is taken into account. It is found that there exists threshold of interdust distance for the instability of wave, which is determined significantly by the dust charging relaxation, the coupling parameter of high correlation of dust as well the strength of magnetic field. 相似文献
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Intracavity phase locking of two beams emitting from a block of Nd:YAG medium side-pumped by laser diode array (LDA) was investigated experimentally. The interference fringes of the two beams occured at the output mirror. The coherent output power of 1.13 W was obtained with combination efficiency of 64.9% and coherence degree of about 60%. Only a metallic wire as a filter located at a suitable position close to the output mirror can efficiently lock the entire structure with less than 8% power loss. 相似文献
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用力学分析的方法 ,建立了摩擦离合器的数学模型 ,求出了摩擦离合器中扭力弹簧的圈数 ,其计算值与实际值基本一致 .该模型对摩擦离合器的设计有一定的参考价值 . 相似文献
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Bistable Behaviour of N Two-Level Atoms Interacting with the Field inside a High-Q Cavity Containing a Nonlinear Kerr-Like Medium
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Taking the intensity-dependent coupling between atoms and cavity mode into account, we investigate a system consisting of N homogeneously broadened two-level atoms interacting with the field inside a single-mode Fabry- Perot cavity containing a nonlinear Kerr-like medium. We derive the steady-state bistable behaviour of the system, and further analyse in details the influence of several critical parameters on the bistable behaviour. 相似文献
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p型未掺杂富锌ZnO薄膜的形成和性能研究 总被引:1,自引:1,他引:0
以高纯ZnO为靶材,氩气为溅射气体,利用射频磁控溅射技术在石英衬底上生长出纤锌矿结构的富锌ZnO薄膜.薄膜沿(002)择优取向生长,厚约为1.2μm,呈现电绝缘特性.将溅射的ZnO薄膜在10-3Pa,510~1 000 K的温度范围等温退火1 h,室温Hall测量结果表明ZnO薄膜的导电性能经历了由绝缘—n型—p型—n型半导体的变化.XPS测试表明ZnO薄膜的Zn/O离子比随退火温度的升高而降低,但一直是富锌ZnO,说明未掺杂的富锌ZnO也可以形成p型导电.p型未掺杂富锌ZnO薄膜的形成可归因于VZn受主浓度可以克服VO和Zni本征施主的补偿效应. 相似文献
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在半导体器件发展的初期,人们就已经知道半导体器件的稳定性在很大程度上依赖于半导体表面的状况.由于在工艺过程中难以严格控制表面的条件,为了保证器件的稳定性,只得对表面尽量采取有效的钝化措施.近十余年来由于超高真空技术的发展,不仅可以制备清洁的表面,而且可以在超高真 相似文献
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