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31.
基于最新的实验评价和模型计算的核结构数据, 组建了一个更新的核结构数据库(NSDB), 目前,该数据库包括稳定同位素的丰度和原子质量, 原子核基态和分离激发态的性质, 及原子核的变形、半径及其它性质等三部分的数据.  相似文献   
32.
谢柏松 《中国物理快报》2003,20(12):2203-2205
Instability of longitudinal wave in magnetized strongly coupled dusty plasmas is investigated. The dust chargigrelaxation is taken into account. It is found that there exists threshold of interdust distance for the instability of wave, which is determined significantly by the dust charging relaxation, the coupling parameter of high correlation of dust as well the strength of magnetic field.  相似文献   
33.
Intracavity phase locking of two beams emitting from a block of Nd:YAG medium side-pumped by laser diode array (LDA) was investigated experimentally. The interference fringes of the two beams occured at the output mirror. The coherent output power of 1.13 W was obtained with combination efficiency of 64.9% and coherence degree of about 60%. Only a metallic wire as a filter located at a suitable position close to the output mirror can efficiently lock the entire structure with less than 8% power loss.  相似文献   
34.
设计和制作了一种新型的双耦合环的直接耦合高Tc dc SQUID结构。根据Y.Zhang等在高Tc rf SQUID中用图形填充内孔使电感减小的原理,在直接耦合dc SQUID中,用在耦合环内孔中图形填充的方法减小电感,进而增大Ap/Lp,以增大总的有效面积。用双晶衬底所做的对比实验表明,对于我们所设计的几何结构,有效面积增大了17%。  相似文献   
35.
本文通过对大量SQS实验现象的分析研究,提出SQS的成因是原初饱和雪崩的空间电荷造成阳极丝附近电场的畸变.根据这一假设,对SQS过程做了定量的计算,给出各种不同条件下,计数管输出电荷量与所加高压的关系曲线.计算了SQS转变电压、转变点原初雪崩的电荷量和SQS雪崩的电荷量与气体组分的关系.计算结果和实验结果令人满意地符合.  相似文献   
36.
用力学分析的方法 ,建立了摩擦离合器的数学模型 ,求出了摩擦离合器中扭力弹簧的圈数 ,其计算值与实际值基本一致 .该模型对摩擦离合器的设计有一定的参考价值 .  相似文献   
37.
Taking the intensity-dependent coupling between atoms and cavity mode into account, we investigate a system consisting of N homogeneously broadened two-level atoms interacting with the field inside a single-mode Fabry- Perot cavity containing a nonlinear Kerr-like medium. We derive the steady-state bistable behaviour of the system, and further analyse in details the influence of several critical parameters on the bistable behaviour.  相似文献   
38.
p型未掺杂富锌ZnO薄膜的形成和性能研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
以高纯ZnO为靶材,氩气为溅射气体,利用射频磁控溅射技术在石英衬底上生长出纤锌矿结构的富锌ZnO薄膜.薄膜沿(002)择优取向生长,厚约为1.2μm,呈现电绝缘特性.将溅射的ZnO薄膜在10-3Pa,510~1 000 K的温度范围等温退火1 h,室温Hall测量结果表明ZnO薄膜的导电性能经历了由绝缘—n型—p型—n型半导体的变化.XPS测试表明ZnO薄膜的Zn/O离子比随退火温度的升高而降低,但一直是富锌ZnO,说明未掺杂的富锌ZnO也可以形成p型导电.p型未掺杂富锌ZnO薄膜的形成可归因于VZn受主浓度可以克服VO和Zni本征施主的补偿效应.  相似文献   
39.
在半导体器件发展的初期,人们就已经知道半导体器件的稳定性在很大程度上依赖于半导体表面的状况.由于在工艺过程中难以严格控制表面的条件,为了保证器件的稳定性,只得对表面尽量采取有效的钝化措施.近十余年来由于超高真空技术的发展,不仅可以制备清洁的表面,而且可以在超高真  相似文献   
40.
描述光伏效应的新解析模型   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
 对陆启生等人提出的描述光伏效应的解析模型涉及的边界条件进行了讨论,提出了一个适用性更宽的解析模型。通过对新模型、陆的模型以及另一个解析模型的比较,对前两个模型能够描述光伏型光电探测器在强光辐照时的信号饱和效应的原因进行了解释。  相似文献   
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