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141.
142.
甲壳素-壳聚糖对皂土悬浮液的絮凝 总被引:3,自引:0,他引:3
研究了三种摩尔质量大体相同而脱乙酰度分别为93%、78%和62%的甲壳素-壳聚糖在pH=3~6范围内对皂土悬浮液的絮凝性质, 并与非离子型絮凝剂聚丙烯酰胺作了比较, 证明含自由氨基的甲壳素-壳聚糖在酸性溶液中形成阳离子聚电解质后. 对带负电的皂土悬浮颗粒有很好的絮凝能力. 通过对上述三种聚合物的絮凝能力、在皂土颗粒表面的吸附量等测定, 认为絮凝中桥连机制起了主导作用, 但聚合物所带正电荷则有利于被皂土颗粒所吸附, 电中和还降低了颗粒间的静电排斥, 这都对桥连絮凝起了促进作用. 聚丙烯酰胺分子在水中不带电, 故当介质pH升高使皂土颗粒双电层变厚时, 絮凝能力迅速下降. 相似文献
143.
144.
用于锂离子电池的凝胶聚合物电解质的制备与性能 总被引:2,自引:0,他引:2
以丙烯腈(AN)、丙烯酸甲酯(MA)和衣康酸锂(IALi)为自由基共聚反应的主要单体, 采用溶液聚合方法, 合成轻度交联的P(AN-MA-IALi)聚合物电解质膜.通过FTIR, DSC和SEM等测试方法对共聚物的结构进行了表征, 利用交流阻抗等电化学方法对该膜的导电性能进行了研究.实验结果表明, 所制备的交联聚合物的室温电导率达到10-5~10-4 S/cm, 当IALi的质量分数为3%时, 所制备的聚合物电解质膜的电导率最大可达到1.89×10-4 S/cm. 相似文献
145.
富含纤维素类农作物秆与丙烯酸接枝共聚制备高倍率吸水树脂 总被引:2,自引:1,他引:2
用棉花秆、麦秆和玉米秆等富含纤维素类农作物秆与丙烯酸接枝共聚制备了高倍率的吸水树脂. 研究了不同水质(去离子水、自来水及雨水)对接枝产物吸水性能的影响. 采用棉花秆、麦秆、玉米秆与丙烯酸的接枝产物对去离子水的吸水倍率分别为930, 790和630 g/g, 对自来水的吸水倍率分别为670, 350和250 g/g, 用玉米秆/地瓜淀粉混合物制备的接枝产物对雨水的吸水倍率为540 g/g. 为棉花秆、 麦秆及玉米秆等富含纤维素的农作物秆的深加工与应用开辟了一条途径. 相似文献
146.
共振瑞利散射光谱法对盐酸异丙嗪与盐酸氯丙嗪的同时测定 总被引:2,自引:0,他引:2
钼酸铵(AM)与盐酸氯丙嗪(CPZ)及盐酸异丙嗪(PZ)均能反应形成离子缔合物,引起共振瑞利散射(RRS)的显著增强,并出现新RRS光谱.2种反应产物具有相似的RRS光谱特征,其最大散射峰均在365 nm处,且在一定范围内散射增强(Δ_(IRRS))与药物的质量浓度成正比,但RRS强度随药物质量浓度的线性增幅存在显著差异.结合两组分RRS光谱强度的加和性,可建立双组分信号响应的两条同原射线的计量分析法.方法对CPZ 和PZ的检出限分别为4.5、7.7 μg/L,线性范围均为0.03~2.4 mg/L.将该方法用于血清、尿样和非那根止咳糖浆中CPZ和PZ的同时测定,取得满意结果. 相似文献
147.
以L-组氨酸为模板仿生合成针状纳米碳酸钙 总被引:3,自引:0,他引:3
依据仿生合成原理, 以L-组氨酸为有机基质, 无水氯化钙和无水碳酸钠为原料, 通过简单的复分解反应制备出了平均直径约为80 nm, 长径比约为12∶1的针状纳米碳酸钙晶体. 利用高分辨扫描电子显微镜(FESEM)、X射线衍射仪(XRD)、傅里叶红外光谱议(FTIR)对产物进行了表征, 结果表明, 在不添加有机基质的溶液中得到立方状微米级的碳酸钙晶体, 添加L-组氨酸后得到针状纳米级的碳酸钙晶体, 并对L-组氨酸在仿生合成针状纳米碳酸钙过程中的作用机理进行了初步探讨. 相似文献
148.
本文通过溶剂热法合成了2种新的有机杂化锌碲化物[Zn(dien)2](Te2)(1)和镍硒化物[Ni(dien)2](Se3)(2)(dien=二乙烯三胺),单晶X射线衍射分析结果表明,化合物1属于正交晶系,Cmca空间群,晶胞参数:a=9.212(2),b=10.854(3),c=15.723(4),Z=4。化合物2属于正交晶系,Pna21空间群,晶胞参数:a=18.047(4),b=9.8236(19),c=9.0079(19),Z=4。在两种化合物中,1的阳离子中Zn2 与2个dien螯合形成稍变形的八面体几何构型,阴离子为哑铃型的Te22-。2的阳离子中Ni2 离子与2个dien螯合形成稍变形的八面体几何构型,阴离子为‘V’字型的Se32-。 相似文献
149.
研究了离子液体镀液中Co、Zn的共沉积行为。ZnCl2-EMIC -CoCl2电解液的循环伏安曲线上出现了三个电流峰,对应的电极电位分别为250mV、50mV、-200mV(vs. Zn2+/Zn)。结合EDS成分分析,可断定这三个电流峰分别对应着Co的电沉积、Co电极上Zn的欠电位沉积和Co-Zn合金的电沉积。恒电位沉积表明,当控制阴极电位在100 mV(vs. Zn2+/Zn)左右时,可得到高纯度的钴镀层;若进行恒电流沉积,则当电流密度为85mA/cm2左右时能够得到高纯度的钴镀层。对Co、Zn的共沉积机理研究表明,Co的电沉积过程和Zn 在Co上的欠电位沉积过程均受扩散过程控制。 相似文献
150.