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851.
题 1 5 函数f(x) =11 a·2 bx的定义域为R ,且limn→∞ f(-n) =0 (n∈N) .1 )求证 :a >0 ,b <0 .2 )若 f(1 ) =45 且f(x) 在 [0 ,1 ]上的最小值为 12 ,求证 :f(1 ) f(2 ) … f(n) >n 12 n 1- 12 (n∈N) .证 1 )∵ f(x) 的定义域为R ,∴ 1 a·2 bx≠ 0恒成立 ,即a≠ - 2 -bx,而 - 2 -bx<0 ,∴a≥ 0 ,若a =0 ,则f(x) =1与limn→∞ f(-n) =0矛盾 ,故a >0 .limn→∞ f(-n) =limn→∞11 a·2 -bn=1 (0 <2 -b<1 ) ,11 a (2 -b=1 ) ,0 (2 -b>1 ) .∴ … 相似文献
852.
853.
LD泵浦Nd∶YAG微片激光器异常强度噪声研究 总被引:1,自引:1,他引:0
针对实验中发现LD泵浦Nd∶YAG微片激光器的三类异常强度噪声,其强度波动幅度达20%~30%,严重影响了系统的稳定性,从理论和实验上对这三类强度噪声的特性进行了研究,包括外部光回馈引入的功率波动,LD异常噪声向固体激光器的传递,端泵浦偏离引起的模式耦合等。就各类噪声来源分别提出了相应的消除方法,抑制了微片Nd∶YAG激光器输出功率噪声,改善了激光输出特性,满足了频差精密测量的需要。 相似文献
854.
A violet laser diode (LD) structure is grown on a
free-standing c-plane GaN substrate and 4~μ m× 800~μ
m ridge waveguide LDs are fabricated. The electrical and the
optical characteristics of LDs under different facet-coating and
chip-mounting conditions are investigated under pulse mode
operation. The active region temperatures of p-side up and p-side
down mounted LDs are calculated with different injection currents.
The calculated thermal resistances of p-side up and p-side down
mounted LDs are 4.6~K/W and 3~K/W, respectively. The threshold
current of the p-side down mounted LD is much lower than that of the p-side
up mounted LD. The blue shift of the emission wavelength with increasing
injection current is observed only for the LD with p-side down mounting
configuration, due to the more efficient heat dissipation. 相似文献
855.
Role of Ga vacancies in enhancing the leakage current of GaN Schottky barrier ultraviolet photodetectors
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The leakage current of GaN Schottky barrier ultraviolet
photodetectors is investigated. It is found that the photodetectors
adopting undoped GaN instead of lightly Si-doped GaN as an active
layer show a much lower leakage current even when they have a higher
dislocation density. It is also found that the density of Ga
vacancies in undoped GaN is much lower than in Si-doped GaN. The Ga
vacancies may enhance tunneling and reduce effective Schottky
barrier height, leading to an increase of leakage current. It
suggests that when undoped GaN is used as the active layer, it is
necessary to reduce the leakage current of GaN Schottky barrier
ultraviolet photodetector. 相似文献
856.
先用函数表示和Picone恒等式的方法建立高维欧氏空间的一类Hardy型不等式,结合CAFFARELLI、KOHN、NIRENBERG三人证明Caffarelli-Kohn-Nirenberg不等式的思想,给出Caffarelli-Kohn-Nirenberg不等式的证明,突破原文需转化为一维情形的限制,对高维空间的情形直接证明,易于推广. 相似文献
857.
858.
859.
860.
提出间氨基酚(MAP)-H2O2-辣根过氧化物酶(HRP)伏安酶联免疫分析新体系,并用于南方菜豆花叶病毒(SBMV)的测定.以线性扫描二阶导数伏安法检测HRP催化H2O2氧化MAP的产物,用于游离HRP及SBMV的测定,灵敏度均高于经典的ELISA显色光度法.本法对HRP测定的线性范围为1.0×10-8~1.0×10-6g/L,检测限为3.8×10-9g/L;对SBMV测定的线性范围为4.0~5000ng/mL,检测限为4.0ng/mL.用所建立的方法测定病毒感染病叶澄清液的最高稀释比为1∶1.5×105,并与现行的ELISA显色光度法进行对照,二者相关性很好. 相似文献