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121.
以3-氨基丙基三乙氧基硅烷、3-异氰酸丙基三乙氧基硅烷和3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷作为键合臂,将葡萄糖和N-乙酰-D-氨基葡萄糖键合到硅胶上作为高效液相色谱手性固定相,对15种手性化合物进行拆分.研究结果表明:不同的键合臂对它们的手性分离能力有较大的影响,葡萄糖及其衍生物是一类具有良好实用前景的手性固定相.  相似文献   
122.
化学需氧量(Chemical Oxygen Demand,COD)是水体中易被氧化剂氧化的物质(如有机物、亚硝酸盐、亚铁盐、硫化物等)所消耗氧化剂的量,是一种评价水体污染程度的综合性指标,是当前节能减排工作考核的主要指标之一。《国家环境保护“十一五”规划》中明确指出“十一五”期间COD排放量削减10%。COD测定仪现已广泛应用于食品、制药、化工、农业、环境保护等行业。  相似文献   
123.
一种基于亮度均衡化的图像阈值分割算法被提出.该算法将冰凌图像亮度数据均衡化,以类间方差最大为标准,求得最佳阈值,并将冰凌图像转化为二值图像,通过冰凌像素统计,最终确定冰凌密度.该算法被应用于黄河河道冰凌图像密度的计算中,取得较好的效果.  相似文献   
124.
张书明  孙长印 《光子学报》1996,25(8):745-748
本文报道了 GaAs 反射式光电阴极的激活工艺过程和结果.通过实验确定了 GaAs表面的热清洁温度,利用钼丝热辐射加热方法达到了比较理想的清洁效果,采用铯分子源和高纯氧作氧源获得了高于1000μA/1m 的激活积分灵敏度.  相似文献   
125.
机械制造系统生产水平的综合评价   总被引:1,自引:0,他引:1  
运用数理统计和模糊数学的某些概念,本文提出了一种评价机械制造系统生产水平的新方法,机械制造系统可以用模糊变换器来描述,这个模糊变换器比较客观和全面地揭示机械制造系统的内在规律。借助这个模糊变换器来综合评价机械制造系统具有很大的理论和实践价值,并为机械制造系统论奠定新的基础。无心磨削系统的实验研究证明了本文基本观点的正确性。  相似文献   
126.
叶贞成  蔡钧  张书令  刘洪来  胡英 《物理学报》2005,54(9):4044-4052
应用Yethiraj的加权密度近似泛函理论研究平板狭缝中方阱链流体的密度分布,系统的Helm holtz自由能泛函分为理想气体的贡献利剩余贡献两部分,其中剩余贡献部分分别采用刘洪 来等人建立的基于空穴相关函数的方阱链流体状态方程和Gil-Villegas等人提出的统计缔合 流体理论状态方程(SAFT-VR)结合简单加权密度近似计算.考察了不同链长、温度、系统密度 和壁面吸引强度下平板狭缝中方阱链流体的密度分布,并与Monte Carlo(MC)模拟结果进行 了比较.结果表明采用不同的状态方程对密度分布的计算有明显的影响,对于受限于硬壁狭 缝中的方阱链流体,温度和密度比较高时,两种状态方程计算的结果均与MC模拟符合得比较 好,在低温和低密度下效果变差,SAFT-VR方程的计算结果更接近于MC模拟结果.对于受限于 方阱壁狭缝中的方阱链流体,由于系统密度分布的非均匀性加强,采用两种状态方程计算的 结果均与MC模拟结果有一定偏差,寻找更合适的权重函数是进一步改进的关键. 关键词: 密度泛函理论 非均匀流体 密度分布 固液界面 方阱链  相似文献   
127.
包层泵浦的L波段Er3+/Yb3+共掺光纤激光器   总被引:5,自引:4,他引:1  
报道了一种工作波长在L波段的包层泵浦Er3+/Yb3+共掺光纤环形激光器. 环形腔内的激光工作介质为一段9 m长的Er3+/Yb3+共掺高掺杂光纤. 利用6个976 nm LD同时抽运前段Er3+/Yb3+共掺双包层光纤产生的放大自发辐射谱作二次抽运源, 使腔内增义谱由C波段移到L波段, 实现了L波段光纤激光器的稳定输出; 采用包层泵浦技术, 在抽运功率为3594.5 mW时, 测得泵浦入纤功率为2731.8 mW, 实现了输出连续功率最大518.4 mW,斜率效率达到19% 的激光输出; 所形成激光的工作波长为1613.94 nm, 激光光谱的3 dB带宽为1.5 nm, 边模抑制比接近于50 dB.  相似文献   
128.
用高分辨率电子动量谱仪进行丁酮分子的结合能谱和内价轨道1a″电子动量谱的实验工作,以及用Hartree-Fock和密度泛函理论方法对1a″轨道电子动量谱的理论研究. 得到了各价轨道的电离能值以及理论计算的总能、偶极矩和1a″轨道的二维密度图. 并比较了内价轨道1a″的电子动量谱的实验和理论计算结果,实验结果与理论计算符合较好.  相似文献   
129.
自组织生长锗硅量子点及其特性   总被引:4,自引:0,他引:4  
秦捷  蒋最敏 《物理》1998,27(6):365-370
半导体量子点的研究是当今物理学研究的热点之一.文章阐述了锗硅量子点自组织生长方法的基本原理和技术,并介绍了所制备的量子点材料的形貌结构、光学特性、电学特性及今后的发展方向.  相似文献   
130.
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