Mn(Ⅲ,Ⅲ)配合物及含酚配体[N4O3]3--Ru(bPy)3模型化合物的性能研究

为了对绿色植物光系统Ⅱ给体部分进行模拟,合成了1个新的高价双核配合物[Mn2(Ⅲ,Ⅲ)L(μ-OAc)2]*PF6 (2a),其中H3L为2,6-二{[(2-羟基-5-叔丁基苄基)(吡啶-2-亚甲基)胺基]亚甲基}-4-甲基苯酚.与目前的PSⅡ模型化合物[Mn2(Ⅱ,Ⅱ)-(bpmp)(μ-OAc)2]*ClO4 (1) [Hbpmp 2,6-二{[N,N-二(吡啶-2-亚甲基)胺基]亚甲基}-4-甲基苯酚]相比,配合物2a中增加了2个酚羟基及2个叔丁基,由此带来的改进使新模型更接近于自然界四核锰簇(OEC)的真实结构.在此基础上,我们将该配体通过酰胺键与[Ru(bPy)3]2+相连设计了光诱导电子转移模型化合物2b.其中[Ru(bPy)3]2+具有良好的光电性能,用于模拟PSⅡ中酶P680.通过紫外可见、红外、荧光发射光谱及电化学对化合物进行了光、电性能研究,结果表明配合物2b具有良好的光物理性质,而且2b中Ru3+/Ru2+的氧化还原电位比Phenol+/Phenol和Mn(Ⅲ,Ⅳ)/Mn(Ⅲ,Ⅲ)的高,说明2b配位金属Mn后可满足自然界PSⅡ电子转移的基本要求,是用来模拟PSⅡ给体部分较理想的模型.     

激光促进多孔硅内表面氧化与光致发光的退化

本文对刚制备的以及分别经以下三种情况:1.样品在1大气压的氧气中经激光(Ar~+激光器的48.80nm线,功率密度为1.77W/cm~2)连续照射1小时;2.样品在1大气压的氧气中在没有激光照射的情况下保持1小时;3.样品在1.3×10~2Pa真空度下用激光连续照射1小时处理后的多孔硅在室温下进行了光致发光谱和傅里叶变换红外吸收测量,研究了处理前后光谱的变化。实验发现经第一种情况处理后光致发光峰位蓝移了约0.1eV,发光强度衰减了二十几倍,相应的其红外光谱中与氧有关的吸收峰强度大幅度增长,而经第二,三两种情况处理后它们的光致发光及红外吸收谱则无大的变化。研究表明在氧气中激光辐照能大大加速多孔硅内表面的氧化。我们认为很可能是多孔硅内表面的氧化作用使光致发光峰位蓝移,由氧化作用产生的非辐射复合中心导致光致发光效率的下降。     

富锂气相输运平衡对MgO∶LiNbO3晶体表面折射率的影响

研究了富锂气相输运平衡(VTE)对同成分MgO∶LiNbO3晶片表面折射率的影响.VTE结果使晶体Mg浓度发生变化对其表面寻常光折射率no影响很大,包括随VTE时间的变化趋势和折射率变化幅度;同时Li浓度的变化影响了表面异常光折射率ne,但幅度变化比no要小.     

大气中长期存放与长时间热氧化后多孔硅光致发光峰能量的会聚

改变阳极氧化的工艺条件,制备出光致发光峰能量位于1.4—2.0eV范围内的大量多孔硅样品,其中45块样品在大气中存放一年,102块样品在200℃下热氧化(累计达200小时).在上述两种情况下,光致发光峰能量在氧化后都会聚到1.70—1.75eV能量范围.假设在充分氧化的多孔硅中包裹纳米硅的氧化层中,存在发光能量处于～1.70—1.75eV的发光中心,上述实验结果可以用量子限制/发光中心模型解释. 关键词：     

中子辐照高掺硅砷化镓的光致发光研究

研究了高掺硅的n型GaAs在中子辐照前后和150℃-500℃等时热退火以后的光致发光光谱。观察到在中子辐照后积分发光强度降低为辐照前的1/36。在退火温度超过250℃时,积分发光强度显著增长,当退火温度达400℃以上时,在带边峰的低能侧出现能量为1.35eV、1.30eV和1.26eV的发光峰。假设250℃退火阶段对应于较大的空位团分解为较小的空位团,400℃退火阶段对应于较小的空位团分解出VGa,可以较好地解释实验现象。     

左手介质对谐振腔谐振频率的影响

在谐振腔设计过程中, 谐振腔的品质因数以及谐振频率都是需要考虑的关键因素. 传统的方法是通过减小谐振腔的尺寸或者利用高次模来提高谐振腔的谐振频率, 但是由于两种方法都有其局限性, 导致设计结果并不理想. 通过理论计算与模拟仿真相结合的方法, 对影响谐振腔谐振频率的因素进行分析, 得出了填充介质的材料属性与谐振腔谐振频率的关系. 理论计算显示: 当用“左手介质”作为谐振腔的填充物质时, 可以在不改变谐振腔尺寸的基础上提高谐振频率. 高频结构仿真器(high frequency structure simulator)的仿真数据也证明了以上结果, 从而得出谐振腔的谐振频率可以不受谐振腔尺寸的限制. 相较于传统理论而言, 研究结论有进一步的发展, 为探索和设计新颖的谐振腔提供了理论依据.     

The influence of SiNx substrate on crystallinity of μc-Si film used in thin film transistors

This paper found that the crystalline volume ratio （Xc） of μc-Si deposited on SiNx substrate is higher than that on 7059 glass. At the same silane concentration （SC） （for example, at SC=2%）, the Xc of μc-Si deposited on SiNx is more than 64%, but just 44% if deposited on Conning 7059. It considered that the ‘hills＇ on SiNx substrate would promote the crystalline growth of μc-Si thin film, which has been confirmed by atomic force microscope （AFM） observation. Comparing several thin film transistor （TFT） samples whose active-layer were deposited under various SC, this paper found that the appropriate SC for the μc-Si thin film used in TFT as active layer should be more than 2%, and Xc should be around 50%. Additionally, the stability comparison of μc-Si TFT and a-Si TFT is shown in this paper.     

电化学脱氢[3+2]环化反应合成取代的1,2,4-三氮唑衍生物

1,2,4-三氮唑作为一种含氮五元杂环类化合物,不仅具有抗炎、抗菌等生物活性,还是一种重要的有机合成中间体,对该类化合物进行合成研究具有重要意义.以廉价易得的胺和醛芳基腙为原料,在电催化条件下,利用电化学脱氢[3+2]环化反应,一步合成了系列取代的1,2,4-三氮唑衍生物,其结构经1HNMR、13C NMR和HRMS确...     

高效液相色谱电化学鉴定器的研究 Ⅲ、PVC 管式液膜电极作为液相色谱鉴定器的研究及其在环境分析中的应用

Ag/AgI鉴定器和涂丝电极鉴定器的研制成功充分证明了离子选择电极作为液相色谱鉴定器的可能性。对于这类电化学鉴定器的研究,其重点不但在于指示电极本身及其响应特性,还在于研制出各种适用于流通体系的电极组成高灵敏度的检测池。采用商电极装入流通帽式的检测池,其通道不易做到小于1mm。由于体系中气泡不易排除而引