铁矿粉化学热加工中亚铁含量的测定

提出了一种铁矿粉热加工生产工艺中亚铁含量测定的新方法。在氮气保护下，用盐酸溶出样中的亚铁，在硫磷混酸介质中以重铬酸钾标准溶液滴定，并对溶样条件进行了研究。该方法简单、快速、准确，已成功地应用于氧化催化法生产氧化铁中亚铁的控制分析和成品鉴定。     

粉末化学镀法制备的NiB／TiO2非晶态合金催化剂对环丁烯砜加氢反应的催化性能

 采用诱导沉积法及粉末化学镀法分别制备了纯态NiB及负载型NiB／TiO2非晶态合金催化剂．用XRD，ICP，SEM，TEM和DSC等手段对催化剂的物性及TiO2载体与NiB非晶态合金之间的相互作用进行了表征，考察了非晶态合金的结构、组成、形貌和热稳定性，并将其用于环丁烯砜加氢反应中．结果表明，相对于NiB而言，NiB／TiO2催化剂具有优良的热稳定性和催化活性，这缘于NiB和TiO2载体之间的相互作用及载体的分散作用．     

飞行时间质谱仪中Ni^＋与酯分子束流的气相反应及机理

在一个石英反应室内，让激光解离的Ｎｉ＾＋与连续喷入的酯类化合物分子束流反应，生成的产物离子经飞行时间质谱仪检测，研究了Ｎｉ＾＋与乙酸乙酯、乙酸丙烯酯、乙酸乙烯酯、乙酸丁酯的气相反应。根据如下机理满意的解释了发生的反应：（１）Ｎｉ＾＋与酯形成激发态络合物；（２）β－Ｈ迁移至烃氧基的氧上形成Ｎｉ＾＋的双配体化合物离子；（３）失去一中性配体分子得Ｎｉ＾＋的单配体化合物离子。由酯的ΔＨ离和Ｄ（Ｎｉ＾＋－Ａ     

红色荧光碳点的制备及其对过硫酸根的检测

以对苯二胺为碳源,乙醇为溶剂,采用溶剂热法合成红色荧光碳点(R-CDs)。 通过透射电子显微镜、紫外可见吸收光谱(UV-Vis)、红外光谱(FT-IR)、X射线光电子能谱(XPS)对其进行表征。 合成的R-CDs粒径约为(3.63±0.20) nm。 R-CDs的最大激发和发射波长分别为480和620 nm,具有激发波长独立性,光稳定性好。 基于静态猝灭,R-CDs的荧光可以被过硫酸根(S₂O₈^2-)有效猝灭。 在2.5~120 μmol/L范围内,S₂O₈^2-的浓度与R-CDs的荧光猝灭程度呈线性关系,相关系数(R²)为0.9970,检出限为1.2 μmol/L,具有良好的选择性和高灵敏度。 同时,该荧光传感体系可应用于自来水和湖水样品中S₂O₈^2-的检测。     

利用掠入射X射线技术表征高分子薄膜

掠入射X射线技术是一种表征高分子薄膜的结晶性、厚度、界面粗糙度等物理量的新方法,本文简单介绍了这种技术中X射线反射率法和掠入射X射线衍射法的基本原理、测试和分析方法以及这些方法在高分子薄膜研究中的应用。     

方波极谱研究——Ⅳ.催化电流理论的验证

在前文中,作者曾推导方波极谱催化电流的公式。本文报导在振动子方波极谱仪上,用草酸钛(Ⅳ)-氯酸钾体系对上述理论的验证。对反应体系     

对称正则长波方程的一个守恒差分格式

本文考虑了具有齐次边界条件的对称正则长波方程的有限差分法．构造了一个两层守恒的有限差分格式,利用离散泛函分析方法分析了格式的收敛性和稳定性,从理论上得到了收敛阶为O(h~2 τ)．数值试验表明,我们的方法是可信的．     

标准混合差集矩阵的构造

通过利用差集矩阵和投影矩阵的正交分解之间的关系,首先提出了构造小的标准混合差集矩阵的一般方法.其次,给定一个阶为r+1的标准混合差集矩阵和一个阶为r的差集矩阵,首先提出了构造阶为r(r+1)的标准混合差集矩阵的一般方法.如果阶为r的差集矩阵不存在但一个试验次数为r~2的正交表存在,也可以通过它们构造阶数较大的标准混合差集矩阵.     

水煤浆喷嘴热冲蚀磨损机理研究

采用1Crl8Ni9Ti不锈钢、YG8硬质合金和Al2O3／(W，Ti)C陶瓷3种材料制备了水煤浆喷嘴，考察了其在水煤浆雾化和燃烧过程中的热冲蚀磨损机理．结果表明：喷嘴材料的硬度对水煤浆喷嘴的热冲蚀磨损行为具有重要影响；在相同条件下，高硬度的Al2O3／(W，Ti)C陶瓷喷嘴的冲蚀率最低，YG8硬质合金次之，硬度较低的1Crl8Ni9Ti不锈钢喷嘴的冲蚀率最高；在热冲蚀磨损工况下，1Crl8Ni9Ti不锈钢水煤浆喷嘴主要呈现微切削特征，YG8硬质合金水煤浆喷嘴主要呈现晶粒剥落特征，而Al2O3／(W，Ti)C陶瓷水煤浆喷嘴主要呈现研磨损伤和热崩特征．     

SiGe HBT大信号等效电路模型

基于SiGe HBT(异质结双极晶体管)的物理模型，建立了描述SiGe HBT的大信号等效电路模型.该等效电路模型考虑了准饱和效应和自热效应等，模型分为本征和非本征两部分，物理意义清晰，拓扑结构相对简单.该模型嵌入了PSPICE软件的DEVEO(器件方程开发包)中.在PSPICE软件资源的支持下，利用该模型对SiGe HBT器件进行了交直流特性模拟分析，模拟结果与理论分析结果相一致，并且与文献报道的结果符合较好. 关键词： SiGe HBT 等效电路模型 PSPICE