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Misfit-layered compound PbTiS3 with incommensurate modulation: Transmission electron microscopy analysis and transport properties 下载免费PDF全文
The microstructural characteristic of the misfit-layered compound PbTiS3 has been studied with transmission electron microscopy. All the incommensurate modulation-induced satellite spots and main diffraction spots of basic sublattices can be indexed systematically with a superspace group method. Finally, the relationship between the electronic transport properties and the crystal structure is discussed. 相似文献
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本文综述了光学双稳器件的基本原理,发展简史及其可能的应用。着重介绍半导体光学双稳器件及其在光学数字计算机中应用的最新进展。 相似文献
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电磁流体表面推进是在推进单元周围的导电流体中(海水、等离子体等)激励出电磁体积力,并利用电磁体积力的反作用力达到推进的目的. 基于电磁场和流体力学的基本控制方程,采用有限体积法对电磁流体表面推进的效果进行了数值模拟研究,分析了在不同姿态(攻角)和不同电磁体积力的作用下,航行器周围流场结构的变化规律和推力的变化特点.研究结果表明:沿航行器表面分布的电磁体积力可以有效地改变流体边界层的结构,并能向流体边界层传输动量与能量,从而使航行器获得所需的推力.流体对航行器的黏性阻力和压差阻力的影响随作用参数的增大而减弱
关键词:
表面推进
航行器
推进单元
电磁体积力 相似文献
285.
钨标准物质在钨的测定、分析仪器校准、分析方法的评价等方面发挥非常重要的作用。黑钨精矿、黑钨中矿在标准物质样品制备过程中产生严重的热团聚现象,样品制备非常困难,至今国内没有相关标准物质。研究发现通过降低转速、延长磨样间隔时间可以降低磨样产生的大量热量以减小热团聚现象,再结合过筛完成制样。实验采用间歇正反转干磨,过0.074mm湿筛,筛上3kg小瓷球磨机湿磨,再球磨机混样,最后人工8次梅花堆锥混样。经均匀度检验样品粒度小于0.074mm超过98%,稳定性检验合格。制备的样品满足标准物质要求。 相似文献
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散射现象广泛存在于自然界中。透过散射介质的大景深成像在计算成像领域具有重要的意义和应用价值。近年来,随着深度学习在计算成像领域的广泛应用,散射成像系统中的景深问题亟待进一步研究和拓展。以DenseNet为基础,结合UNet框架,建立了一个具有良好迁移性和景深拓展能力的深度卷积神经网络模型——DUNet。通过使用透过不同目数毛玻璃的散斑图像对网络进行训练,使成像景深拓展至距焦面50 mm处。初步的小鼠脑片实验结果表明,DUNet模型将有望应用于深层组织断层扫描。 相似文献
290.
Hybrid-anode structure designed for a high-performance quasi-vertical GaN Schottky barrier diode 下载免费PDF全文
Qiliang Wang 《中国物理 B》2022,31(5):57702-057702
A quasi-vertical GaN Schottky barrier diode with a hybrid anode structure is proposed to trade off the on-resistance and the breakdown voltage. By inserting a SiN dielectric between the anode metal with a relatively small length, it suppresses the electric field crowding effect without presenting an obvious effect on the forward characteristics. The enhanced breakdown voltage is ascribed to the charge-coupling effect between the insulation dielectric layer and GaN. On the other hand, the current density is decreased beneath the dielectric layer with the increasing length of the SiN, resulting in a high on-resistance. Furthermore, the introduction of the field plate on the side wall forms an metal-oxide-semiconductor (MOS) channel and decreases the series resistance, but also shows an obvious electric field crowding effect at the bottom of the mesa due to the quasi-vertical structure. 相似文献