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191.
研究了不同沟道厚度的In0.53 Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱中双子带占据的二维电子气的输运特性.在考虑了两个子带电子之间的磁致子带间散射效应后,通过分析Shubnikov-de Haas振荡一阶微分的快速傅里叶变换结果,获得了每个子带电子的浓度、输运散射时间、量子散射时间以及子带之间的散射时间.结果表明,对于所研究的样品,第一子带电子受到的小角散射更强,这与第一子带电子受到了更强的电离杂质散射有关.  相似文献   
192.
在乙醇体系中,由主配体4-[(1,3-二氧代丁基)氨基]苯甲酸(H2L,C11H11NO4)、稀土硝酸盐及辅助配体邻菲啰啉(phen)反应合成了两个系列8个配合物[Ln2(L)3(H2O)4]n(Ln=Sm(1),Eu(2),Tb(3),Dy(4));[Ln2(NO3)2(L)2(phen)2]n(Ln=Sm(5),Eu(6),Tb(7),Dy(8))。用元素分析、红外光谱、摩尔电导、热重分析进行表征,确定了产物的化学组成,推断了相应的结构。测定了室温时固体产物的激发和发射光谱,结果表明:由主辅配体共同配位的三元配合物的发光强度好于无辅助配体参与的二元配合物。测定了三元配合物的荧光寿命,其中铕和铽配合物显示较长的荧光寿命。  相似文献   
193.
以醋酸镍、四氟对苯二甲酸(H2tfbdc)及1,10-邻菲啰啉(phen)为原料在不同的反应条件下合成了2个镍(Ⅱ)的配合物{[Ni(phen)2(Htfbdc)]2(μ-tfbdc)}·3H2O(1·3H2O)和[Ni(phen)3]2(tfbdc)2·13H2O(2·13H2O)。单晶结构分析显示配合物1·3H2O中3D超分子结构在C-H…O/F和C-F…π弱相互作用下而成;在配合物2·13H2O中,水分子和羧酸离子构建的三维氢键框架中含有金属有机离子链客体。此外,在这些3D超分子结构中强氢键作用、C-H…O和C-H…F等弱氢键作用,ππ及C-F/H…π作用均起到了稳定结构的作用。  相似文献   
194.
在不同的含N辅助配体咪唑(ImH)和5-(4-吡啶基)四唑(4-PT)的存在下,将3,4-吡唑二羧酸(H3pdc)与相应的Mn(Ⅱ)/Zn(Ⅱ)金属盐反应制得2种配合物:[Mn(Hpdc)(ImH)(H2O)]n(1)和[Zn(Hpdc)(4-PT)(H2O)3]·2H2O(2)。在一维配位聚合物1和单核配合物2中,Hpdc2-配体分别采用μ2-κ∶O,N;κ∶O'',O″和O,N-螯合的配位模式,而且12中的ImH和4-PT辅助配体均为单齿配位。在O—H…O和O—H…N分子间氢键的作用下,配合物1中的1D聚合链堆积成了三维的超分子结构。2中,相邻[Zn(Hpdc)(4-PT)(H2O)3]单元在O—H…O和O—H…N分子间氢键的作用下堆积形成2D结构,这些2D层状结构与结晶水分子进一步连接形成了三维超分子结构。此外,还考察了配合物12的荧光性能以及配合物1的电化学性质。  相似文献   
195.
为了开发高能量密度的锂离子电池(LIB),作为LIB电极材料的配位聚合物,已经受到了研究人员的关注。利用CdCl2、咪唑(Im)和四氟对苯二甲酸(H2tfbdc)作用合成了一维配位聚合物[Cd (tfbdc)(Im)4](Cd-TBI),并利用X射线单晶衍射、红外光谱、元素分析和热重实验对Cd-TBI进行了表征。首次考察了它作为LIB负极材料的电化学性能。在电流密度50 mA·g-1下循环50次后,Cd-TBI电极提供了154 mAh·g-1的放电比容量,其容量保持率和库仑效率分别为95.7%和99.2%,展示了优良的循环稳定性。在电流密度1 A·g-1时,Cd-TBI电极仍保持97 mAh·g-1的可逆比容量。  相似文献   
196.
利用电聚合法和脉冲沉积技术制备了纳米银/聚多巴胺修饰的玻碳电极. 通过循环伏安法和示差脉冲伏安法研究了该修饰电极上对硝基苯酚的电化学行为; 讨论了扫描速度和支持电解质等条件对对硝基苯酚在修饰电极上催化还原的影响. 结果表明, 对硝基苯酚的示差脉冲峰电流在4×10-5~3×10-4 mol/L范围内呈良好的线性关系.  相似文献   
197.
二阶导数差示脉冲极法用于醋酸氟氢可的松的定量研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
用二阶导数差示脉冲极谱法对醛酸氟氢松进行了定量分析。在0.001mol/L硫酸+乙醇+水(1+25+24)的底液中,醋酸氟氢可的松于-0.340V处出现一良好的二阶导数差示脉冲极谱,在5-140μg/mL范围内,醋酸氟氢可的松的浓度与其二阶导数差示脉冲极谱峰幅值呈线性关系,检测限为0.4ng/mL。本法操作简单、快速、灵敏、结果准确。  相似文献   
198.
一、引言电滞回线是铁电体的主要特征之一,电滞回线的测量是检验铁电体的一种主要手段,常见的电滞回线如图1所示.通过电滞回线的测量,可测定铁电体的剩余极化强度Pr和矫顽场强Ec,对材料的研制和应用都有很大的意义.测量电滞回线的基本电路是Sawyer-Tower回路,近年来测量频率已由50Hz向低频方面发展,其原因是铁电体的电滞回线与温度有密切关系.在50Hz的频率测量时,由于介电损耗而使试样发热?...  相似文献   
199.
用共线光热偏转技术测量光学薄膜的微弱吸收   总被引:2,自引:0,他引:2  
吴周令  唐晋发 《光学学报》1990,10(2):34-138
用具有高灵敏的共线光热偏转技术研究SiO_2、ZrO_2、MgF_2、ZnS等单层光学薄膜的吸收特性,测得它们的吸收率.实验结果与激光量热法及横向光热偏转技术符合良好,表明共线光热偏转技术是测量光学薄膜弱吸收的较理想方法.  相似文献   
200.
文章用普通物理的方法计算了平面载流圆线圈在远处任意一点激发的磁场.  相似文献   
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