硅衬底InGaN/GaN基蓝光发光二极管droop效应的研究

InGaN/GaN基阱垒结构LED当注入的电流密度较大时, LED的量子效率随注入电流密度增大而下降, 即droop效应.本文在Si (111)衬底上生长了 InGaN/GaN 基蓝光多量子阱结构的LED,通过将实验测量的光电性能曲线与利用ABC模型模拟的结果进行对比, 探讨了droop效应的成因.结果显示:温度下降会阻碍电流扩展和降低空穴浓度, 电子在阱中分布会越来越不平衡,阱中局部区域中因填充了势能越来越高的电子而溢出阱外, 从而使droop效应随着温度的降低在更小的电流密度下出现且更为严重, 不同温度下实验值与俄歇复合模型模拟的结果在高注入时趋势相反.这此结果表明,引起 droop效应的主因不是俄歇非辐射复合而是电子溢出,电子溢出的本质原因是载流子在阱中分布不均衡.     

有机钛化合物催化碳酸二甲酯与乙酸苯酯合成碳酸二苯酯

对比测定了几种有机钛化合物对碳酸二甲酯(DMC)与乙酸苯酯(PA)酯交换合成碳酸二苯酯(DPC)反应的催化性能. 结果表明,乙酰丙酮氧钛(TiO(acac)2)是一种有效的酯交换用催化剂,具有良好的催化性能. 在优化的条件(n(PA)=0.8 mol, n(DMC)/n(PA)=1/2, n(TiO(acac)2)/n(PA)=0.006, θ=180 ℃, t=4 h)下, DMC转化率可达74.9%, DPC和甲基苯基碳酸酯(MPC)的选择性分别可达38.9%和56.9%.     

KI与无机铵盐催化CO2与环氧丙烷合成碳酸丙烯酯

以无毒、合成简单、廉价的无机铵盐(氨基甲酸铵、碳酸氢铵、碳酸铵等)为助催化剂, 研究其对卤化钾(KCl、KBr、KI)催化CO₂与环氧丙烷合成碳酸丙烯酯(PC)的影响. 结果表明, 卤化钾与无机铵盐显示出很好的协同催化效应. 其中以氨基甲酸铵为助催化剂, KI为主催化剂时, 催化合成PC的效果最好. 同时考察了催化剂用量、反应温度、CO₂初始压力、PC的预加入量、反应时间等因素对反应的影响. 在优化条件下, PC收率大于99%.     

应用韦达定理解题时必须注意的一个问题

韦达定理在代数、三角、解析几何的解题中有着广泛的应用。但从当前某些参考书及学生应用韦达定理解题的过程中发现,比较多的存在一个问题,即有些题目须在使用判别式验证是否有实根存在的情况下,才能应用韦达定理去解题而由于忽视了这一关键步骤,以至于在解题中出现这样或那样的错误,不仅在解代数题中存在,解几何问题也同样存在。现举几例如下: 例1当实数m为什么值时,方程(5m+1)x~2+(7m+3)x+3m=0的根为:(1)两个正实根;(2)略(北京     

PIN半导体探测器γ光子灵敏度标定

在室温下，该种探测器的暗流达到微安量级，即使在现有最强的γ辐射源下，输出的电流也仅有微安量级，信噪比只能达到约为1。以前使用的PIN半导体探测器，其γ光子灵敏度仅用理论计算值，计算值的可靠性与精度需实验标定检验，成功标定的关键就是如何提高探测器输出的信噪比。由于条件的限制，以前没有实际标定过。现在，利用PIN半导体探测器的暗流与温度有关这一规律，采用半导体制冷器降低探测器环境温度实现降低暗流的目的。     

频率在FFT谱上位置对加窗泄漏的影响

以前讨论ＦＦＴ谱的加窗泄漏时，都不考虑频率在ＦＦＴ谱上所处位置对泄漏的影响［２，４，５，６］。由于实际信号和窗函数在频域为卷积关系，所以应该考虑实际频率在ＦＦＴ谱上所处的位置。本文找出了单一频率成份在谱图上不同位置时，产生泄漏的一般规律，并提出了有效的修正方法。     

含橡胶的摩阻材料之摩擦机理浅谈

作者从含橡胶的摩阻材料的摩擦状况出发,对其摩擦机理提出了一个新的观点——气穴排空说,並进行了简单的实验论证。认为弹性材料在与刚性对偶在负荷下接触时,由于材料的弹性变形使接触面间空隙中的气体被排出或部分排出而形成真空状态,因此弹性体上除了受外加负荷之外,还增加了部分大气压力,因而摩擦力也随之增大。摩擦力增大的部分为: △F=f·△P 式中f为材料间的摩擦系数,△P为正压力增大部分,其值可表示为: ΔP=A_(app)·P_(ntm)· 此处A_(app)为表现接触面积;P_(ntm)为大气压强;η为排空率(％)。η受材料弹性模量,负荷及对偶表面状态等的影响。     

担载多孔Al_2O_3膜的制备

研究了溶胶－凝胶法在多孔陶瓷载体上制备多孔Ａｌ２Ｏ３膜的工艺条件。发现在孔直径为１．１和１．６ｕｍ的多孔陶瓷载体上必须经过多次重复浸渍干燥－焙烧过程，才能制备出担载均匀的多孔Ａｌ２Ｏ３膜。对溶胶和多孔陶瓷载体进行适当的化学改性后，能够减少浸渍－干燥－焙烧过程重复的次数。对Ａｌ２Ｏ３膜的孔径大小和透气性能进行了表征。