o-，m-，p-IC6H4OCH3的电子结构和取代基效应

采用紫外光电子能谱（UPS）手段结合理论计算研究了有机卤化物o-,m-,p-IC6H4OCH3的电子结构和取代基效应．在碘原子和甲氧基两个供电子基团的共同作用下,这三种碘代苯甲醚的第一电离能均低于相应的碘苯和苯甲醚．通过取代基效应研究表明碘代苯甲醚为富电子体,因此在有机合成反应中具有较高的反应活性．     

杂环取代苯并[4,5]呋喃[3,2-d]嘧啶类衍生物的合成及其抗癌活性

采用生物活性因子拼接的方法将活性基团1,3,4.三唑等引入苯并[4,5]呋喃[3,2-d]嘧啶化合物中,合成了7个未见文献报道的杂环取代苯并[4,5]呋喃[3,2-d]嘧啶类衍生物,其结构经NMR,IR和MS表征.初步生物活性测试结果表明,部分化合物对人前列腺癌细胞PC3具有一定的抑制活性.     

改性退役绝缘子橡胶粉在绝缘子中的再利用

提供了一种应用改性退役绝缘子橡胶粉末掺杂硅橡胶方法,在不影响材料性能的情况下不仅可降低聚合物绝缘子的成本,还达到了高分子材料回收利用的可持续发展.     

国产润滑油的压粘系数和固化压力

润滑油的压粘系数和固化压力是弹流理论应用于摩擦学工程设计的关键试验数据。本文报道了20种国产润滑油的压粘系数和其中16种润滑油的最小固化压力的测定结果,并对不同油田的基础润滑油、不同化学结构的合成润滑油和不同用途的工业润滑油的压粘系数和固化压力进行了分析比较。     

紧黎曼面上一类线丛截面空间的基

对于亏格g≥1的紧Riemann曲面M,本文运用Riemann-Roch定理,证明了其上线丛Lλ(M)的某类截面空间非空集,并利用Theta函数和素形式构造出这类截面空间的一组基．     

基于相对熵的不完全信息群体专家权重的集结

针对属性权重信息和属性效用信息都不完全的群体多属性决策问题,运用相对熵理论提出了一种专家权重的确定方法．该方法通过集结各方案的综合评价值向量,客观地得到专家的权重,避免系统聚类方法中由给定相似度水平归类而产生的主观性问题．应用实例表明了方法的有效性和实用性．     

区间型多属性群体专家权重的确定方法

针对方案偏好和属性值均为区间数的多属性群决策问题,研究了群体专家权重的确定,并提出了一种新的群决策方法．通过定义区间数向量的内积,计算专家评判的相似度和差异度,进而客观地确定了专家的权重．求解最小化主、客观偏差的目标规划模型,得到了属性的权重,利用方案的群体综合属性值给出排序结果．供应商选择的应用实例验证了方法的可行性和合理性．     

有限秩的幂零p-群的p-自同构

设G是一个有限秩的幂零p-群,α和β是G的两个p-自同构,记I= ((αβ(g))(βα(g))-1)|g∈G),则(i)当I是有限循环群时,α和β生成一个有限P-群; (ii)当I是拟循环p-群时,α和β生成一个可解的剩余有限P-群,它是有限生成的无挠幂零群被有限p-群的扩张．     

Sensitivity of heavy-ion-induced single event burnout in SiC MOSFET

The energy deposition and electrothermal behavior of SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistor(MOSFET)under heavy ion radiation are investigated based on Monte Carlo method and TCAD numerical simulation.The Monte Carlo simulation results show that the density of heavy ion-induced energy deposition is the largest in the center of the heavy ion track.The time for energy deposition in SiC is on the order of picoseconds.The TCAD is used to simulate the single event burnout(SEB)sensitivity of SiC MOSFET at four representative incident positions and four incident depths.When heavy ions strike vertically from SiC MOSFET source electrode,the SiC MOSFET has the shortest SEB time and the lowest SEB voltage with respect to direct strike from the epitaxial layer,strike from the channel,and strike from the body diode region.High current and strong electric field simultaneously appear in the local area of SiC MOSFET,resulting in excessive power dissipation,further leading to excessive high lattice temperature.The gate-source junction area and the substrate-epitaxial layer junction area are both the regions where the SiC lattice temperature first reaches the SEB critical temperature.In the SEB simulation of SiC MOSFET at different incident depths,when the incident depth does not exceed the device's epitaxial layer,the heavy-ion-induced charge deposition is not enough to make lattice temperature reach the SEB critical temperature.     

大型先进压水堆中次锕系核素嬗变特性

随着核电事业的快速发展,核电厂卸载的乏燃料越来越多。如何处置核电站乏燃料中的次锕系核素（MA）既是核燃料再利用的重要过程,又是闭式循环中的关键步骤。如果处置得当,不仅可以提高燃料的利用率,而且可以将MA变成同位素燃料电池、中子源等有用的核素。国际上认可的处置方法是分离-嬗变,但是嬗变MA的难点是嬗变堆型的选取和如何提高嬗变率。压水堆(PWR)是国内外最成熟的堆型和商业运行的主要堆型,也是现阶段最具有可能进行MA嬗变的堆型。于是,本文利用MCNP程序研究了压水堆嬗变MA的特性,通过研究MA嬗变棒的设计、添加位置和添加量等对压水堆堆芯有效增殖因子的影响,初步探索出最佳的压水堆嬗变MA的设计方案,为我国现阶段进行压水堆嬗变MA奠定了理论基础。