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181.
作为光存储材料的有机光致聚合物材料研究进展   总被引:13,自引:0,他引:13  
本综述了光致聚合物的光化学反应和动力学基本原理,讨论了影响光聚物光存储性能的各个因素,对近几年光致聚合物材料的发展状况和光聚物在光全息存储方面所具有的巨大潜力进行了论述。  相似文献   
182.
偶氮金属螯合物的合成及其光学和热学性质   总被引:1,自引:0,他引:1  
偶氮金属螯合物的合成及其光学和热学性质;噻唑基偶氮金属螯合物;光学性质  相似文献   
183.
C60膜上金刚石的成核与生长形貌研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文研究了HFCVD系统中覆盖有C60膜的Si(100)衬底上金刚石的成核与形貌特征.结果表明,C60能大幅度提高金刚石成核密度;C60氢化预处理能大幅度促进金刚石成核,但要合理控制CH4的浓度和预处理时间;随衬底温度的升高,金刚石晶粒由球状变为菜花状聚晶.  相似文献   
184.
温梯法与提拉法生长YAG晶体吸收光谱的研究   总被引:3,自引:2,他引:1  
本文研究了提拉法和温梯法生长的YAG晶体在紫外-可见光-红外的吸收光谱,发现提拉法生长的YAG在255nm处产生弱吸收,而温梯法生长的晶体在该处不存在吸收峰.通过对YAG晶体荧光光谱及电子顺磁共振谱的测试和分析,认为提拉法的晶体在255nm处产生的弱吸收是由Fe3+所引起的.  相似文献   
185.
YVO4晶体缺陷分析   总被引:2,自引:2,他引:0  
运用同步辐射白光X射线形貌术分析了YVO4的结构和缺陷行为,也观测了YVO4晶体(001)、(100)面的缺陷.发现在(001)面出现应力生长区、沿[100]方向的位错线以及晶体中镶嵌结构.运用白光形貌术拍摄到的劳埃斑,证明晶体为四方晶系.确定了小角晶界是引起多晶的主要原因.采用电子探针仪分析了散射颗粒形成是由杂质铁和铝的引入造成.  相似文献   
186.
研究了Yb:YAG晶体的合作发光现象。当用940nm的近红外光激发时,Yb:YAG晶体有明显的上转换蓝色发光。实验发现498 nm的蓝色发光强度与激发功率的平方成正比,而且Yb3+掺杂浓度越高,蓝色发光越强。分析表明这是Yb3+间强的相互作用导致的合作发光,是由于Yb3+在共价性的YAG基质中,它的4f13电子易于与近邻离子发生相互作用导致的。  相似文献   
187.
由于与GaN晶格失配小(约1.4%),γ-LiAlO2单晶有望成为一种很有希望的CaN外延衬底材料.本文使用提拉法生长出了尺寸达φ45×50mm3的γ-LiAlO2单晶.对该晶体毛坯的各个有代表性的位置作了X射线粉末衍射(XRPD)分析,结果表明仅仅在晶体毛坯的底部生成了一种缺锂相(LiAl5O8).γ-LiAlO2晶体化学稳定性差,在室温时轻微水解.当在空气中于1100℃退火70h,γ-LiAlO2晶体挥发出锂组分,在表面产生缺锂相(LiAl5O8).值得注意的是,在γ-LiAlO2晶体的红外光谱区不存在氢氧根吸收带.  相似文献   
188.
研究了自行研制的CaS(Eu,Sm)电子俘获材料的光学性质;利用~200μm厚的CaS(Eu,Sm)高聚物膜作为记录底片,进行了实物图象的拍摄实验。这种记录材料具有很多有吸引力的优点:不需要用化学溶液进行定影显影,可以实时读出,可快速擦除,能反复使用,具有大的线性范围等。实验表明,电子俘获材料是一种很有前途的光记录材料。  相似文献   
189.
Ge2 Sb2 Te5相变薄膜光学及擦除性能研究   总被引:2,自引:1,他引:1  
利用蓝绿激光对非晶态Ge2Sb2Te5 相变薄膜进行擦除性能的研究,分别用1000 ns,500 ns,100 ns,60 ns脉宽的蓝绿激光进行实验.结果表明,一定脉宽下,反射率对比度随擦除功率的增加而增大.并且,在1000 ns,500 ns,100 ns,60 ns的激光作用时间范围内,非晶态薄膜均可转变成晶态.对于脉宽为60 ns的蓝绿激光,擦除功率大于4.49 mW以后,薄膜的反射率对比度高于15%,这表明Ge2Sb2Te5相变薄膜在短脉宽、低擦除功率条件下,可具有较高的晶化速度.同时,分析了非晶态和晶态Ge2Sb2Te5相变薄膜的光谱特性,对比研究了780 nm,650 nm,514 nm和405 nm波长处的反射率和反射率对比度,提出了Ge2Sb2Te5相变薄膜用于蓝光光盘的改进方法.  相似文献   
190.
宽带光放大器用掺Er3+碲钨酸盐玻璃   总被引:1,自引:1,他引:0  
制备了掺Er^3 的TeO2-WO3-ZnO-ZnF2(TWZOF)玻璃,测量了Er^3 在玻璃中的吸收光谱和970nm激光二极管激发下的荧光光谱和荧光寿命,分别采用J-O理论和McCumber理论计算了Er^3 离子的J-O强度参量Ωt(t=2,4,6)和其1.5μm发射的吸收截面和发射截面,研究了其荧光强度、荧光寿命和发射带宽与ZnF2含量的关系。结果表明,Er^3 在TWZOF玻璃中具有较大的1.5μm发射截面,其峰值发射截面为0.86pm^2;同时,Er^3 在TWZOF玻璃中具有很大的1.5μm发射带宽,所得半峰全宽在68~83nm之间;Er^3 在TWZOF玻璃中还具有较小的Ω2值和较大的Ω6值,且随ZnF2含量的增加,Ω2和Ω4均增大;Er^3 离子1.5μm发射峰值荧光强度和荧光寿命总体也随ZnF2含量的增加而增加。  相似文献   
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