Novel material for nonvolatile ovonic unified memory (OUM)－Ag11In12Te26Sb51 phase change semiconductor

In this paper, Ag_{11}In_{12}Te_{26}Sb_{51} phase change semiconductor films have been prepared by dc sputtering. The crystallization behaviour of amorphous Ag_{11}In_{12}Te_{26}Sb_{51} thin films was investigated by using differential scanning calorimetry and x-ray diffraction. It was found that the crystallization temperature is about 483K and the melting temperature is 754.8K and the activation energy for crystallization, E_a, is 2.07eV. The crystalline Ag_{11}In_{12}Te_{26}Sb_{51} films were obtained using initializer. The initialization conditions have a great effect on the sheet resistance of Ag_{11}In_{12}Te_{26}Sb_{51} films. We found that the effect of the initialization condition on the sheet resistance can be ascribed to the crystallinity of Ag_{11}In_{12}Te_{26}Sb_{51} films. The sheet resistance of the amorphous (R_{amo}) film is found to be larger than 1×10^6Ω and that of the crystalline (R_{cry}) film lies in the range from about 10^3 to 10^4Ω. So we have the ratio R_{amo}/R_{cry}=10^2～10^3, which is sufficiently large for application in memory devices.     

Sb掺和对TeOx薄膜光学和静态记录特性的影响

以真空蒸镀法在K9玻璃基底上制备了TeO_x:Sb单层薄膜,对薄膜的结构、光学和静态记录特性进行了研究.结果表明,Sb掺和后TeO_x薄膜的结构、反射光谱和光学常量均发生了明显变化.TeO_x:Sb薄膜具有良好的写入灵敏性并具有了一定的可擦除性能,该类薄膜有望作为可擦除光存储介质.     

酞菁掺杂有机改性溶胶凝胶材料的自衍射及限幅特性

实验测得八异戊氧基钯酞菁掺杂有机改性溶胶－凝胶固体材料在Ar^ 激光作用下形成的大的与光强相关的多环衍射图案。研究了不同波长下的光学限幅特性,由于其大的光学限幅效应及其固体的可加工性,这种材料在制备光学限幅器件方面具有潜在的应用前景。     

原子力显微镜对TeOx薄膜中短波长静态记录点结构的分析

以真空蒸镀法在K9基底上制备了TeOx单层薄膜,采用特定的定位方法,使用原子力显微镜对不同记录功率下薄膜中短滤长静态记录点（514．5nm)的结构进行了分析。实验结果表明薄膜具有良好的记录灵敏性,在记录功率1．5mW时就可产生较高的反射率对比度,记录点具有明显的凹陷和凸起结构,随着记录功率的提高,凹陷和凸起增强,记录点增大。记录点的形态结构和记录前后反射率对比度是直接相关的。研究揭示了原子力显微镜在提高薄膜存储特性如信噪比,存储密度等方面的分析功能。     

TCNQ脂类衍生物及其铜复合物的合成与红外光谱研究

首次合成了7,7,8,8-四氰基对苯醌二甲烷的脂类衍生物: TCNQ(C₂H₄COOR)₂(R=CH₃, C₂H₅, C₃H₇)及其铜电子转移复合物。通过元素分析确定这些化合物的组成, 对这些化合成物在4 000～400 cm-1范围内的主要红外光谱吸收峰进行了归属,并讨论了取代基对TCNQ类衍生物红外光谱的影响及其规律。     

光子学玻璃的应用及其性质

 光子学发展到目前阶段, 已经基本上成为与现代电子学平行发展的一门新兴学科。其中的光子学玻璃就是当代特种玻璃的一个重要发展, 也是光子学材料中最重要的一类, 它包括的几个主要方面是激光玻璃和玻璃光纤, 光功能玻璃和非线性光学玻璃, 光波导玻璃和光子存储玻璃等, 内容涵盖了物理、化学、制备工艺、器件应用等多门传统学科以及它们的交叉学科。本文重点介绍光子学玻璃在光子学领域的主要应用及其性质。     

Optical Switch Formation in Antimony Super-Resolution Mask Layers Induced by Picosecond Laser Pulses

Sb is a classic material of a super-resolution near field structure （super-RENS） mask layer in which the optical switch formation is often realized by nanosecond laser pulse stimulation. We achieve fast and repeatable optical switching driven by picosecond laser pulses in a proper fluence range on Sb thin films. The optical properties of Sb thin films before and after switching are studied by surface-sensitive micro-area ellipsometry. The change of optical constants after switching is less than 2% in the whole visible range. The Sb mask layer is shown to be very promising for ultrafast super-resolution optical storage applications.     

不同热处理的GeTe薄膜的光学参数测量

运用一种新的测量单面镀膜膜层光学参数的方法，对不同热处理的ＧｅＴｅ半导体薄膜样品的光学参数进行了测量，准确地获得了被测薄膜材料的光学参数，并采用椭圆偏振光谱测量作比较研究。经此为基础，对用椭偏仪测得的数据进行拟合计算，得出了样品材料在２５０～８３０ｎｍ波段范围的复折射曲线。     

GeSbTe与AglnSbTe体系相变光盘的研究进展

自Ovshinsky把相变材料用于光存储以来，一大批具有可逆光存储性能的材料不断出现，其中研究较多的是GeSbTe和AgInSbTe两种体系．文章着重介绍了利用这两种材料制成的相变光盘记录介质的微观结构特点，阐述了其晶化机理；同时，较详细地概述了光盘的堆栈结构及掺杂其他元素对相变光盘性能的影响，并对比说明了GeSbTe和AgInSbTe两种体系在蓝光记录方面的各自特点．     

亚酞菁薄膜的光谱和光存储性质研究

利用真空蒸镀法制备了一种新的三硝基溴硼亚酞菁（BTN－SubPc)薄膜。在室温下测试了该亚酞菁染料在溶液和薄膜态的吸收光谱、薄膜态的反射和透过光谱，发现该薄膜在500nm-650nm波长范围内具有优良的吸收和反射特性。在632.8nm光盘静态测试仪上测试了覆盖有金属反射层的BTN－SubPc薄膜的静态光存储性能，结果表明，用较小功率和较窄脉宽的激光辐照膜片时，可获得大于30％的反射率对比度，显示出该材料用作短波长光存储介质（特别是用于可录型数字多用光盘）的巨大潜力。