全文获取类型
收费全文 | 158篇 |
免费 | 56篇 |
国内免费 | 16篇 |
专业分类
化学 | 8篇 |
晶体学 | 15篇 |
数学 | 2篇 |
物理学 | 205篇 |
出版年
2016年 | 1篇 |
2015年 | 2篇 |
2014年 | 1篇 |
2013年 | 1篇 |
2012年 | 2篇 |
2011年 | 8篇 |
2010年 | 1篇 |
2009年 | 5篇 |
2008年 | 4篇 |
2006年 | 6篇 |
2005年 | 20篇 |
2004年 | 27篇 |
2003年 | 24篇 |
2002年 | 35篇 |
2001年 | 19篇 |
2000年 | 17篇 |
1999年 | 8篇 |
1998年 | 2篇 |
1997年 | 5篇 |
1996年 | 2篇 |
1995年 | 2篇 |
1994年 | 1篇 |
1992年 | 1篇 |
1991年 | 2篇 |
1990年 | 2篇 |
1989年 | 1篇 |
1988年 | 5篇 |
1987年 | 1篇 |
1985年 | 8篇 |
1984年 | 3篇 |
1983年 | 1篇 |
1982年 | 7篇 |
1981年 | 3篇 |
1979年 | 2篇 |
1974年 | 1篇 |
排序方式: 共有230条查询结果,搜索用时 15 毫秒
111.
Novel material for nonvolatile ovonic unified memory (OUM)-Ag11In12Te26Sb51 phase change semiconductor 下载免费PDF全文
In this paper, Ag_{11}In_{12}Te_{26}Sb_{51} phase change semiconductor films have been prepared by dc sputtering. The crystallization behaviour of amorphous Ag_{11}In_{12}Te_{26}Sb_{51} thin films was investigated by using differential scanning calorimetry and x-ray diffraction. It was found that the crystallization temperature is about 483K and the melting temperature is 754.8K and the activation energy for crystallization, E_a, is 2.07eV. The crystalline Ag_{11}In_{12}Te_{26}Sb_{51} films were obtained using initializer. The initialization conditions have a great effect on the sheet resistance of Ag_{11}In_{12}Te_{26}Sb_{51} films. We found that the effect of the initialization condition on the sheet resistance can be ascribed to the crystallinity of Ag_{11}In_{12}Te_{26}Sb_{51} films. The sheet resistance of the amorphous (R_{amo}) film is found to be larger than 1×10^6Ω and that of the crystalline (R_{cry}) film lies in the range from about 10^3 to 10^4Ω. So we have the ratio R_{amo}/R_{cry}=10^2~10^3, which is sufficiently large for application in memory devices. 相似文献
112.
Sb掺和对TeOx薄膜光学和静态记录特性的影响 总被引:2,自引:2,他引:0
以真空蒸镀法在K9玻璃基底上制备了TeOx:Sb单层薄膜,对薄膜的结构、光学和静态记录特性进行了研究.结果表明,Sb掺和后TeOx薄膜的结构、反射光谱和光学常量均发生了明显变化.TeOx:Sb薄膜具有良好的写入灵敏性并具有了一定的可擦除性能,该类薄膜有望作为可擦除光存储介质. 相似文献
113.
114.
原子力显微镜对TeOx薄膜中短波长静态记录点结构的分析 总被引:4,自引:0,他引:4
以真空蒸镀法在K9基底上制备了TeOx单层薄膜,采用特定的定位方法,使用原子力显微镜对不同记录功率下薄膜中短滤长静态记录点(514.5nm)的结构进行了分析。实验结果表明薄膜具有良好的记录灵敏性,在记录功率1.5mW时就可产生较高的反射率对比度,记录点具有明显的凹陷和凸起结构,随着记录功率的提高,凹陷和凸起增强,记录点增大。记录点的形态结构和记录前后反射率对比度是直接相关的。研究揭示了原子力显微镜在提高薄膜存储特性如信噪比,存储密度等方面的分析功能。 相似文献
115.
TCNQ脂类衍生物及其铜复合物的合成与红外光谱研究 总被引:1,自引:0,他引:1
首次合成了7,7,8,8-四氰基对苯醌二甲烷的脂类衍生物: TCNQ(C2H4COOR)2(R=CH3, C2H5, C3H7)及其铜电子转移复合物。通过元素分析确定这些化合物的组成, 对这些化合成物在4 000~400 cm-1范围内的主要红外光谱吸收峰进行了归属,并讨论了取代基对TCNQ类衍生物红外光谱的影响及其规律。 相似文献
116.
Optical Switch Formation in Antimony Super-Resolution Mask Layers Induced by Picosecond Laser Pulses 下载免费PDF全文
Sb is a classic material of a super-resolution near field structure (super-RENS) mask layer in which the optical switch formation is often realized by nanosecond laser pulse stimulation. We achieve fast and repeatable optical switching driven by picosecond laser pulses in a proper fluence range on Sb thin films. The optical properties of Sb thin films before and after switching are studied by surface-sensitive micro-area ellipsometry. The change of optical constants after switching is less than 2% in the whole visible range. The Sb mask layer is shown to be very promising for ultrafast super-resolution optical storage applications. 相似文献
117.
不同热处理的GeTe薄膜的光学参数测量 总被引:2,自引:0,他引:2
运用一种新的测量单面镀膜膜层光学参数的方法,对不同热处理的GeTe半导体薄膜样品的光学参数进行了测量,准确地获得了被测薄膜材料的光学参数,并采用椭圆偏振光谱测量作比较研究。经此为基础,对用椭偏仪测得的数据进行拟合计算,得出了样品材料在250~830nm波段范围的复折射曲线。 相似文献
118.
119.
亚酞菁薄膜的光谱和光存储性质研究 总被引:3,自引:0,他引:3
利用真空蒸镀法制备了一种新的三硝基溴硼亚酞菁(BTN-SubPc)薄膜。在室温下测试了该亚酞菁染料在溶液和薄膜态的吸收光谱、薄膜态的反射和透过光谱,发现该薄膜在500nm-650nm波长范围内具有优良的吸收和反射特性。在632.8nm光盘静态测试仪上测试了覆盖有金属反射层的BTN-SubPc薄膜的静态光存储性能,结果表明,用较小功率和较窄脉宽的激光辐照膜片时,可获得大于30%的反射率对比度,显示出该材料用作短波长光存储介质(特别是用于可录型数字多用光盘)的巨大潜力。 相似文献
120.
Numerical Analysis and Comparison of Three Metal-Oxide-Type Super-Resolution Near Field Structures 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
Based on the Fresnel-Kirchhoff diffraction theory, we build up a Gaussian diffraction model of metal-oxide-type super-resolution near field structure (super-liENS), which can describe far field optical properties. The spectral contrast induced by refractive index and the structural changes in AgOg, PtOx and PdOz thin films, which are the key functional layers in super-RENS, are studied by using this model. Comparison results indicate that the spectral contrast depends intensively on the laser-induced distribution and change of the refractive index in the metal-oxide films. The readout mechanism of the metal-oxide-type super-RENS optical disc is further clarified. This Gaussian diffraction model can be used as a simple and effective method for choosing proper active materials in super-RENS. 相似文献