A study on the short—wavelength and high—numerical—aperture phase—change recording

In this paper, we discuss the phase-change recording at a short-wavelength (514nm) and a high numerical aperture (0.85). Effects of recording power and pulse width on the size of the recording marks are studied. The minimum recording mark with a length of approximately 220nm has been observed. The capacity of about 17GB for a single-layer disc of a 12cm diameter can be obtained. The maximum carrier-to-noise ratio reaches 45dB at a writing power of 13--14mW.     

含多种玻璃生成体氧化物玻璃的振动光谱和结构

本文报导了以下三种含多种玻璃生成体氧化物玻璃系列的喇曼光谱和红外光谱:Ⅰ.SiO_2、P_2O_5-SiO_2、GeO-SiO_2以及GeO-P_2O_5-SiO_2。Ⅱ.15Na_2O·15BaO·10R_mO_n·60SiO_2、R_mO_n-B_2O_3、Al_2O_3、Ga_2O_3、SiO_2、GeO_2、TeO_2、Nb_2O_5。Ⅲ.以10％B_2O_3、GeO_2、TeO_2逐步代替15Na_2O·15BaO·70SiO_2中的SiO_2。注释了各振动峰值的相应的化学键振动方式,分析了在含碱金属和碱土金属氧化物玻璃中和在无碱和碱土金属氧化物玻璃中GeO_2和TeO_2的不同结构状态,指出含Al_2O_3玻璃的结构是均匀的,而含B_2O_3玻璃的结构是不均匀的.     

CuI微晶掺杂硅酸盐玻璃对Nd:YAG激光器腔内自由振荡的脉宽压缩效应

ＣｕＩ微晶掺杂硅酸盐玻璃对ＮｄＹＡＧ激光器腔内自由振荡的脉宽压缩效应陈红兵华仁忠朱从善干福熹（中国科学院上海光学精密机械研究所，上海２０１８００）半导体微晶掺杂玻璃是近年来新型纳米材料研究的热点。迄今已有对ＣｄＳｅｘＳ１－ｘ、ＣｕＣｌ等Ⅱ－Ⅵ族、Ⅰ－...     

近年来光学玻璃的发展(综述)

随着光学仪器和装置的发展,对光学玻璃提出更多和更新的要求。不仅希望玻璃具有更特殊的光学常数,以利于改进和简化光学系统的设计,同时由于近来红外及紫外光学仪器飞快的发展,要求玻璃能透过特定的红外及紫外     

掺钕激光玻璃中的无辐射能量转移过程

本文研究了一系列不同类型的掺钕玻璃的吸收光谱、荧光光谱、弛豫光谱和红外振动光谱.测定了这些玻璃的无辐射跃迁几率,计算了多声子跃迁几率.实验表明,由钕离子与基质玻璃的相互作用而引起的无辐射跃迁过程,不能完全用多声子跃迁来解释.由于无机玻璃中激活离子与最邻近配位体之间的共价键因素,即钕离子的4f轨道与配位离子的电子轨道的波函数有一定程度的混杂,所以在玻璃中还存在一种近距离的相互作用.它们对无辐射跃迁过程的影响比声子弛豫过程更强烈,因此,可以认为玻璃中的无辐射跃迁是属于类似内分子的能量转移过程.     

磷酸盐、氟磷酸盐和氟化物玻璃中过渡金属离子的顺磁共振研究(Ⅱ)Co~(2 ),Ni~(2 )

低温77K下,在三种玻璃中都观察到了Co~(2 )的ESR信号,认为Co~(2 )是处干四面体格位,从实验所得的有效g值,判别出中心离子与配位体间化学键的性质变化,本文还研究了氟磷酸盐玻璃中Ni~(2 )ESR,辨认了Ni~(2 )的谱线,用自旋哈密顿作了比较详细的分析计算,并解释了一般氧化物玻璃中很难观察到Ni~(2 )的ESR的原因。     

Static recording characteristics of new type super-resolution near-field structure

A novel super-resolution near-field optical structure (super-RENS) with bismuth (Bi) mask layer is proposed in this paper. Static optical recording tests with and without super-RENS are carried out using a 650-nm semiconductor laser at recording powers of 14 and 7 mW with pulse duration of 100 ns. The recording marks are observed by high-resolution optical microscopy with a charge-coupled device (CCD) camera. The results show that the Bi mask layer can also concentrate energy into the center of a laser beam at low laser power similar to the traditional Sb mask layer. The results above are further confirmed by another Ar~+ laser system. The third-order nonlinear response induced by the plasma oscillation at the Bi/SiN interface during laser irradiation can be used to explain the phenomenon. The calculation results are basically consistent with our experimental results.     

ZnSe-ZnTe应变层超晶格远红外反射谱

本文首次报道室温下测量的分子束外延生长的ZnSe-ZnTe应变层超晶格的远红外反射谱.得到了ZnSe、ZnTe横光学声子摸.用长波长超晶格介电理论和多层吸收薄膜理论进行曲线拟合,确定Ⅱ-Ⅵ族ZnS、eZnTe材料的一些基本材料参数,如横光学声子频率、模衰减常数、模振荡强度、高频介电常数等.本文首次报道这些参数.     

近场光存储及其研究进展

本文从近场光学的超分辨原理出发详细介绍和分析了孔径探针型近场光存储技术、SIL透镜近场光存储技术和近场超分辨结构光盘存储技术等的基本原理、研究现状以及它们的优缺点及存在的问题     

用于新一代高密度可录光盘的有机材料研究进展

本文在总结近几年来国内外文献和专利报道的最新研究成果基础上,简要阐述了新一代高密度可录光盘的数据存储机理以及激光器工作波长与有机材料薄膜最大吸收波长相匹配的要求,介绍了在蓝(紫)光波段内(350～400nm)具有显著吸收的有机材料研究概况,并讨论了这些有机材料作为新一代高密度可录光盘数据存储介质的可能性。最后,对有机材料用于新一代高密度可录光盘数据存储介质的研究重点以及今后的发展前景进行简要讨论和展望。