首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   196篇
  免费   24篇
  国内免费   70篇
化学   109篇
晶体学   4篇
力学   19篇
综合类   4篇
数学   58篇
物理学   96篇
  2024年   1篇
  2022年   4篇
  2021年   5篇
  2020年   3篇
  2019年   5篇
  2018年   18篇
  2017年   11篇
  2016年   7篇
  2015年   12篇
  2014年   11篇
  2013年   8篇
  2012年   7篇
  2011年   3篇
  2010年   7篇
  2009年   17篇
  2008年   8篇
  2007年   20篇
  2006年   18篇
  2005年   12篇
  2004年   15篇
  2003年   8篇
  2002年   14篇
  2001年   7篇
  2000年   10篇
  1999年   8篇
  1998年   8篇
  1997年   2篇
  1996年   4篇
  1995年   3篇
  1994年   1篇
  1993年   5篇
  1992年   5篇
  1991年   3篇
  1989年   2篇
  1988年   2篇
  1987年   2篇
  1986年   2篇
  1985年   2篇
  1984年   2篇
  1983年   3篇
  1982年   1篇
  1981年   3篇
  1980年   1篇
排序方式: 共有290条查询结果,搜索用时 15 毫秒
281.
研究对二妙丸类方(二妙丸、三妙丸、四妙丸和加味四妙丸)起重要作用的基本方二妙丸的物质基础及其配伍变化. 正交组合二妙丸类方组方药有效部位, 四氮唑盐(MTT)法评价优选出对保护尿酸钠结晶(MSU)致人血管内皮细胞(HUVEC)损伤起重要作用的二妙丸黄柏生物碱部位, HPLC/DVD法建立黄柏生物碱部位指纹图谱, HPLC-ESI-MS/MS分析共有峰成分, 鉴定了12个生物碱成分, 并比较了二妙丸类方有效部位群HPLC/DVD指纹图谱配伍类方前后黄柏生物碱共有峰相对峰面积比值的变化. 结果表明, 黄柏生物碱配伍二妙丸及其类方后总相对含量分别为122.9%, 80.7%, 60.2%和94.2%, 小檗碱、巴马汀等重要生物碱也呈现较大的变化趋势, 茵芋碱、5-羟基小檗碱和四氢巴马汀等成分配伍二妙丸类方后消失. 研究显示, 基本方二妙丸中的黄柏生物碱是二妙丸类方中保护HUVEC起重要作用的物质基础, 其相对含量变化与配伍类方后的功效变化一致.  相似文献   
282.
以静电纺丝技术制备的TiO2纳米纤维为基质,通过溶剂热法制备了异质结型稀土Ce掺杂Bi2MoO6/TiO2复合纳米纤维。利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)、透射电镜(TEM)、紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis DRS)以及荧光光谱(PL)等分析测试手段对样品的物相、形貌和光学性能等进行表征。以罗丹明B为模拟有机污染物,研究了样品的可见光催化性能。结果表明:在稀土掺杂样品中,Ce离子进入Bi2MoO6晶格,部分取代Bi3+,导致晶胞膨胀,晶格畸变,形成缺陷;与TiO2复合形成异质结,有利于光生电荷的产生、转移和有效分离,从而提高TiO2纳米纤维的光催化活性。可见光照射180 min,罗丹明B的降解率达到95.1%。经5次循环光催化降解活性基本不变,样品具有良好的光催化稳定性。  相似文献   
283.
高能体系分子间相互作用研究: 含NNO~2和NH~2混合物   总被引:6,自引:2,他引:6  
以abinitioHF/6-31G^*计算求得NH~3+NH~2NO~2的两种优化构型,经MP4电子相关能校正和Boys-Bernardi方案校正基组叠加误差求得精确的分子间相互作用能。还用PM3方法计算研究TATB(均三氨基三硝基苯)分别与HMX(奥克托金)和RDX(黑索金)的混合体系,经色散能校正电子相关近似地求得分子间相互作用能。结果表明,NH~3与NH~2NO~2之间的最大结合能为-38.32kJ/mol;分子间相互作用增强了N-NO~2键强度;TATB与HMX,RDX的结合能远大于石墨与HMX或RDX的结合能,表明TATB对HMX和RDX的润湿和钝感作用较石墨更强。  相似文献   
284.
CdSxSe1-x纳米微晶的辐射跃迁过程   总被引:2,自引:0,他引:2  
利用变温吸收光谱和光致发光光谱研究了CdSxSe1-x纳米微晶的辐射跃迁过程.由Varshni公式,拟合了微晶的吸收峰随温度的变化.根据变温发射光谱,研究了发光峰位置和温度的依赖关系,并分析了吸收峰和发光峰随温度变化的快慢.对发光的动力学过程.作了简单的分析.  相似文献   
285.
(3+1)维Boussinesq方程经常用来描述重力波在水面上的传播。本文利用符号计算方法,得到了(3+1)维Boussinesq方程的多怪波解,其中包括1-怪波解,3-怪波解和6-怪波解,这些怪波解的动力学性质也被一些三维图像进行了展示。  相似文献   
286.
介质pH对渗滤液中水溶性有机物荧光光谱特性的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用荧光分析方法,对不同pH条件下3个填埋年限渗滤液中水溶性有机物(DOM)的荧光特性进行了研究。同步荧光光谱表明,填埋1年及10年渗滤液DOM的同步荧光图中各峰的荧光强度pH 4时最强;填埋5年渗滤液DOM在pH 12时荧光强度最强,而pH 4时的荧光强度次之。渗滤液DOM三维荧光光谱表明,填埋1及5年类蛋白峰强度在pH 10达到最大,而填埋10年在pH 8荧光强度最强;可见区类富里酸峰强度在pH=10达到最大值,而紫外区类富里酸峰较强的荧光强度则分别在pH 4和10时;与类富里酸物质相比,类蛋白物质更容易受pH的影响。紫外区类富里酸荧光强度与可见区类富里酸荧光强度比值[r(A, C)]受pH的变化影响较大,因此,当比较不同来源DOM的r(A, C)值时,应使其pH处于同一水平。  相似文献   
287.
双极晶体管在强电磁脉冲作用下的损伤效应与机理   总被引:7,自引:0,他引:7       下载免费PDF全文
针对典型n+-p-n-n+结构的双极晶体管,从器件内部电场强度、电流密度和温度分布变化的分析出发,研究了在强电磁脉冲(electromagnetic pulse,EMP)作用下其内在损伤过程与机理.研究表明,双极晶体管损伤部位在不同幅度的注入电压作用下是不同的,注入电压幅度较低时,发射区中心下方的集电区附近首先烧毁,而在高幅度注入电压作用下,由于基区-外延层-衬底构成的PIN结构发生击穿,导致靠近发射极一侧的基极边缘处首先发生烧毁.利用数据分析软件,对不同注入电 关键词: 双极晶体管 强电磁脉冲 器件损伤 损伤功率  相似文献   
288.
鸡粪堆肥有机质转化的荧光定量化表征   总被引:5,自引:0,他引:5  
采用荧光分析技术和数学分析方法,对不同阶段鸡粪堆肥样品提取出的水溶性有机物进行了特征荧光参数定量化表征。结果显示:随着堆肥的进行,类腐殖质荧光峰与类蛋白荧光峰荧光强度的比值I330/I280、465 nm激发波长下发射光谱中470~640 nm范围内荧光积分面积A470~640及240 nm激发波长下发射光谱中后四分之一波段与前四分之一波段的荧光强度积分面积比A435~480 nm/A300~345 nm均不断增大,表明堆肥腐殖化程度加大。三维荧光光谱显示,随着堆肥的进行类蛋白峰强度不断降低,而类富里酸峰强度不断增大,至堆肥结束类蛋白荧光基本消失;紫外区与可见区类富里酸峰荧光强度的比值r(A, C)随着堆肥的进行总体呈明显下降趋势,但出现了较大波动。相关性分析显示,I330/I280,A470~640A435~480 nm/A300~345 nm两两间显著相关,而r(A, C)受其他因素影响较大,与上述3个参数未达到显著相关水平。结果表明,I330/I280,A470~640A435~480 nm/A300~345 nm均能有效表征堆肥腐殖化进程。  相似文献   
289.
This paper considers a stochastic Lienard equation with Markovian switching. The Feller continuity of its solution is proved by the coupling method and a truncation argument. The existence of a stationary solution for the equation is also proved under the Foster-Lyapunov drift condition.  相似文献   
290.
TATB含能材料的微结构对该材料的感度等有明显的影响,因而对于材料的安全性有着特别重要的意义.小角X射线散射(SAXS)技术是一种分析物质微观结构的重要手段,应用SAXS分析技术可以获取材料中几纳米到几百纳米尺度范围的亚微结构信息.利用同步辐射作为X射线源对TATB钝感炸药进行了小角散射实验测量,获得了SAXS测量谱.对实验谱数据进行处理,可得到样品材料的颗粒分布及内部微孔大小等微结构参数.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号