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51.
对流层内,环境温度随海拔高度的升高而降低。为了补偿温度变化对成像质量的影响,设计了主动调焦式航空相机物镜:f=400mm、视场角2ω=10°、F数为8、波段460~750nm、总长380mm、后截距150mm;该物镜在常温常压下,调制传递函数(MTF)fMT≥0.52(70lp/mm),接近衍射极限;各视场弥散斑均方根(RMS)直径大小约3.6μm;该相机包括一调焦组,移动范围为±5mm,调焦组每移动0.1mm,焦平面约移动0.026mm。针对设计结果,随后进行了温度水平分析和温度梯度仿真。对于温度水平分析,在-60℃~+60℃下进行了稳态调焦分析,分析结果表明经调焦组主动调焦后,物镜成像质量与常温下相差不多,可成清晰像;于此同时,相机可在调焦完成后,在温度宽度为±16℃的范围内保证像质。对于温度梯度仿真,人为地对各透镜单独设定温度场得到20℃轴向、径向温度梯度,有限元仿真及相应的计算结果表明,经主动式温度调焦后,在温度梯度情况下,相机物镜依然保证成像清晰。 相似文献
52.
Influence of isothermal approximation on the phase-field simulation of directional growth in undercooled melt 总被引:6,自引:0,他引:6 下载免费PDF全文
By using the phase-field approach,we have simulated the directional growth of alloys in undercooled moten states under the isothermal and nonisothermal conditions.The influences of the isothermal approximation on simulation results are discussed.We found that for undercooling greater than 25K,the isothermal approximation overestimates the interface growth velocity and reduces a critical velocity for an absolute stable planar interface,thus in this simulation,the uinterface morphology shows the plane-cell-plane transition with increasing initial undercooling of the mele,and the planar interface obtained under a large undercooling is absolutely stable.Whereas in the nonisothermal simulation,only plane-cell transition occures in the same range of the initial undercoolings of the melt,and the planar interface tends to be destabilized and evolve into cells. 相似文献
53.
在一般核物理实验室中,常用的放射源绝大部分为微居量级的弱源。因为其强度较小,且表面有层保护膜,在保管与使用过程中,对它的防护安全问题往往被人们所忽视。诚然,这种弱源的外照防护确实不是主要矛盾,我们用FD-71A型闪烁辐射仪测量了这类源不同距离处的γ照射量率,见表1。 相似文献
54.
加速器是用来使带电粒子加速的装置,可把带电粒子加速到一定的能量,提供给一定装置或不同的实验使用.随着科学技术的发展,各种粒子加速器不断产生.本文拟对近年高考中的加速器问题进行分析和小结,以对加速原理为背景的问题作一比较.…… 相似文献
55.
钙离子选择电极已在实际中获得较为广泛的应用,但尚末见到用其测定钨精矿中钙的报导。我们参照文献,采用草酸钙沉淀分离后,用钙离子选择电极测定钙。通过正交试验选取了预处理的最佳条件,方法用于钨精矿中钙的测定获得较好的结果。标准加入法的回收率为 相似文献
56.
57.
本文采用非平衡量子统计方法,讨论了地幔矿物光子热传输的四种不同情况,并得到了光子热导率的计算公式.若地幔中不存在相干结构的辐射热传输时,在上地幔下部和过渡带,光子的热导将不是热传递的主要机制. 相似文献
58.
59.
我们发现利用STM在石墨表面制备的纳米结构的特征与隧道结静态电阻有较为明确的关联性,很可能分别对应于隧道结在高场强下的场电子发射现象和电击穿现象,此外,纳米结构的几何特征与材料表面局域的电子输运特性亦有密切联系。 相似文献
60.