首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   1631篇
  免费   466篇
  国内免费   393篇
化学   751篇
晶体学   37篇
力学   217篇
综合类   36篇
数学   326篇
物理学   1123篇
  2024年   11篇
  2023年   59篇
  2022年   68篇
  2021年   64篇
  2020年   59篇
  2019年   53篇
  2018年   70篇
  2017年   64篇
  2016年   85篇
  2015年   73篇
  2014年   136篇
  2013年   100篇
  2012年   121篇
  2011年   99篇
  2010年   105篇
  2009年   148篇
  2008年   122篇
  2007年   106篇
  2006年   111篇
  2005年   97篇
  2004年   111篇
  2003年   68篇
  2002年   60篇
  2001年   44篇
  2000年   51篇
  1999年   46篇
  1998年   30篇
  1997年   34篇
  1996年   27篇
  1995年   32篇
  1994年   30篇
  1993年   33篇
  1992年   28篇
  1991年   31篇
  1990年   20篇
  1989年   26篇
  1988年   14篇
  1987年   8篇
  1986年   6篇
  1985年   6篇
  1984年   12篇
  1983年   4篇
  1982年   3篇
  1980年   2篇
  1979年   5篇
  1963年   1篇
  1960年   1篇
  1959年   1篇
  1958年   1篇
  1955年   1篇
排序方式: 共有2490条查询结果,搜索用时 15 毫秒
11.
笔者最近对圆锥曲线作了些研究,得到了二组有趣而又美妙的轨迹.现说明如下,与读者共享.  相似文献   
12.
本文报道了一种测角单晶NMR探头。该探头采用单线圃双调谐电路,工作频率在90MHz-110 MHz连续可调,可进行交叉极化大功率去耦实验。文中提出了一种简单而有效的测角装置,可使单晶绕三个互相垂直轴转动实现单晶的NMR测量。作为典型的应用例子,本文利用该探头实现了单晶DGO(2NH2CH2COOH·H2C2O4)屏蔽张量的测量。  相似文献   
13.
14.
本文采用解析的方法计算了应变Si1-xGex层中p型杂质电离度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系.发现常温时,在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度的先变小,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加先变大,而后几乎不变;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.低温下,轻掺杂时,载流子低温冻析效应较为明显,杂质的电离度普遍较小,当掺杂浓度大于Mott转换点时,载流子冻析效应不再明显,电离率迅速上升到1.在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度先变小,后变大,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加变大;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.  相似文献   
15.
Incident intensity, defined by the amount of particles deposited per pulse, is an important parameter in the film growth process of pulsed laser deposition (PLD). Different from previous models, we investigate the irreversible and reversible growth processes by using a kinetic Monte Carlo method and find that island density and film morphology strongly depend on pulse intensity. At higher pulse intensities, lots of adatoms instantaneously diffuse on the substrate surface, and then nucleation easily occurs between the moving adatoms resulting in more smaller-size islands. In contrast, at the lower pulse intensities, nucleation event occurs preferentially between the single adatom and existing islands rather than forming new islands, and therefore the average island size becomes larger in this case. Additionally, our results show that substrate temperature plays an important role in film growth. In particular, it can determine the films shape and weaken the effect of pulse intensity on film growth at the lower temperatures by controlling the mobility rate of atoms. Our results can match the related theoretical and experimental results.  相似文献   
16.
“阳”加速器钼丝X-pinch初步实验研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
 在“阳”加速器上进行了直径分别为10, 15, 20 μm, 交叉角为32°,45°,60°的钼(Mo)丝X-pinch实验。“阳”加速器产生的电流峰值约520 kA,上升时间80 ns。实验中通过X射线功率谱仪和纳秒分幅相机等仪器对Mo丝X-pinch辐射特性进行了诊断。实验表明:Mo丝X-pinch过程中会出现多次X射线爆发,箍缩过程中产生的热点辐射出能量超过3 keV的X射线,探测到的最小热点直径小于30 μm。  相似文献   
17.
散斑条纹的快速高精度处理技术   总被引:3,自引:1,他引:2  
李喜德  方强 《光学学报》1991,11(1):8-92
本文提出一种快速高精度散斑杨氏条纹(斑纹)场处理方法——同态阀值滤波法。用它实现了散斑场条纹的快速、逐点连续高精度处理。  相似文献   
18.
The quasiparticle relativistic random phase approximationmean field ground state in the response function formalism(QRRPA) is formulated based on the relativistic The pairing correlations are taken into accountin the Bardeen-Cooper-Schrieffer approximation with a constant pairing gap. The numerical calculations are performed in the case of various isoscalar giant resonances of nucleus ^120Sn with parameter set NL3. The calculated results show that the QRRPA approach could satisfactorily reproduce the experimental data of the energies of low-lying states.  相似文献   
19.
本改进了原有的本征态展开方法。通过从能量E到q=(2E)的平方根的表象变换,不仅准确地计算了在此方法中起重要作用的低能电子布居,而且大幅度地减少了计算时间。利用这个高效的方法,我们计算了在强激光作用下一个模型原子的高次谐波发射谱。  相似文献   
20.
第二节 进位加法 一、20以内的进位加法 两个一位数相加,和等于10或大于10的加法。我们称进位加法。如图所示:  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号