铀-2-(3,5-二溴-2-吡啶偶氮)-5-二乙氨基苯酚-Triton X-100析相体系的研究及应用

本文研究了铀-2-(3,5-二溴-2-吡啶偶氨)-5-二乙氨基苯酚(3,5-diBr-PADAP)-Triton X-100析相光度体系,建立了矿石中微量铀的测定方法,在pH 7.5三乙醇胺-盐酸介质中,将胶束溶液在 95±1℃加热 1h.络合物即被Triton X-100相完全富集.络合物最大吸收峰位于565nm.摩尔吸光系数为1.02×10～5L·mol～(-1)·cm～(-1),铀含量在0～12μg/5mL服从比耳定律.采用TBP萃淋树脂分离干扰离子,测定矿石中微量铀,结果满意.     

2—（4—氨酰基—2—噻唑基）—1,4—脱水—L—木糖醇及其氟代衍 …

用计算机分析模拟方法研究了２－（４－氨酰基－２－噻唑基）－１，４－脱水－Ｌ－木糖醇及其氟代衍生物的糖基构象，计算结果显示，６个碳核苷类似物的糖基构象均为Ｓ型。核磁共振谱和晶体Ｘ射线衍射结果与计算结果相吻合。     

纳米金刚石粉酸处理前后性能结构的表征

自从1963年爆炸法合成纳米金刚石[1]以来,纳米金刚石已在科研和工业领域得以广泛应用.但是工业合成的纳米金刚石粉由于其工艺的限制存在一些杂质,其中主要包括纳米石墨、非晶碳和爆炸过程中产生的金属离子.因此,在实际科研工作前对纳米金刚石粉进行纯化处理就显得十分重要,以往的研究表明不同的处理方法各有利弊[2].在以下的研究中,我们采用盐酸消解的方法对商业购买的纳米金刚石粉进行纯化处理,通过对比纯化处理前后的IR、Raman以及ICP表征,分析讨论了酸处理方法的纯化效果.     

Analysis of secondary electron emission using the fractal method

Based on the rough surface topography with fractal parameters and the Monte–Carlo simulation method for secondary electron emission properties, we analyze the secondary electron yield(SEY) of a metal with rough surface topography. The results show that when the characteristic length scale of the surface, G, is larger than 1 × 10^-7, the surface roughness increases with the increasing fractal dimension D. When the surface roughness becomes larger, it is difficult for entered electrons to escape surface. As a result, more electrons are collected and then SEY decreases. When G is less than 1 × 10^-7,the effect of the surface topography can be ignored, and the SEY almost has no change as the dimension D increases. Then,the multipactor thresholds of a C-band rectangular impedance transfer and an ultrahigh-frequency-band coaxial impedance transfer are predicted by the relationship between the SEY and the fractal parameters. It is verified that for practical microwave devices, the larger the parameter G is, the higher the multipactor threshold is. Also, the larger the value of D,the higher the multipactor threshold.     

一种基于轮廓特征约束的飞机蒙皮配准方法

飞机蒙皮表面平缓、光滑、特征少,在使用迭代最近点进行数模配准时会产生错位、局部最小值等问题,因此提出了一种基于轮廓约束的蒙皮点云配准方法.首先定义一种新的三维轮廓Cκ特征点描述方法,并基于距离约束对初始Cκ特征点进行聚类和过滤,实现对蒙皮点云特征的精确描述.其次,基于距离的快速点特征直方图(FPFH-d)特征相似度约束...     

应用于水相有机液流电池的双电子紫精化合物

由3-氯-1,2-丙二醇与4,4’-联吡啶通过简单的一步反应得到具有双电子特性的1,1’-双(2,3-二羟丙基)-(4,4’-联吡啶)二氯化物(DHPV²⁺Cl^2-),其理论比容量为142. 56 m A·h/g.电化学测试结果表明,该材料有利于提升电池容量,且还原电位低至-0. 807 V(vs. Ag/Ag Cl).以Na Cl为支持电解质、DHPV²⁺Cl^2-为负极活性物质、氮氧自由基哌啶醇(4-OH-TEMPO)为正极活性物质的全电池电压高达1. 562 V,且可在10～100m A/cm²的电流密度下稳定运行.采用25 m A/cm²的电流密度充放电,活性物质的有效利用率为70. 90%.循环100次后的放电容量保持率为98. 09%,每次循环的容量平均保持率为99. 93%,表现出较好的循环性能.     

波纹结构迎爆面泡沫金属对甲烷-空气混合气体爆炸能量的吸收特性

为进一步探究气体爆炸荷载下异构迎爆面泡沫金属的吸能特性,在前期开展锯齿结构迎爆面材料吸能特性实验的基础上,以3种波纹结构迎爆面（凸面型、凹面型和凹凸连续型）泡沫金属材料为研究对象,利用自主搭建的气体爆炸管网实验平台,开展了该泡沫金属材料在甲烷-空气混合气体爆炸荷载下的吸能特性测定实验。采用不同波纹结构迎爆面阻隔爆材料,测定了管道内爆炸冲击波超压、火焰传播速度和火焰温度等随时间和空间的变化,分析了不同波纹结构迎爆面阻隔爆材料的吸能效果。结果表明：(1)迎爆面为波纹结构的泡沫金属材料对爆炸超压的衰减效果优于迎爆面为锯齿结构的泡沫金属材料和迎爆面为平面结构的泡沫金属材料,且迎爆面为凸面型波纹结构和凹凸连续型波纹结构的泡沫金属材料对超压衰减的速率高于迎爆面为锯齿结构和凹面型波纹结构的泡沫金属材料;迎爆面为锯齿结构的泡沫金属材料对火焰传播速度的衰减略强于迎爆面为波纹结构和平面结构的泡沫金属材料;迎爆面为波纹结构的泡沫金属材料对火焰温度的衰减效果优于迎爆面为锯齿结构及平面结构的泡沫金属材料。(2)在本文实验条件下,3种波纹结构（凸面型、凹面型和凹凸连续型）迎爆面泡沫金属材料的熄爆参数分别为5.338、4.340和6.090 MPa·℃,低于锯齿结构迎爆面材料的熄爆参数17.680 MPa·℃,且远低于熄爆参数安全值390 MPa·℃,波纹结构迎爆面材料具有良好的防护效果。(3)这3种迎爆面为波纹结构的泡沫金属材料均具有良好的吸能特性,均优于迎爆面为锯齿形结构的泡沫金属材料,且明显优于迎爆面为平面结构的泡沫金属材料。

     

响应面方法的硅刻蚀工艺优化分析（英）

利用响应面分析方法优化了用于压力传感器硅敏感芯体的刻蚀操作条件。主要考虑了温度、KOH浓度和腐蚀时间三个操作参数,将它们的范围分别设定为40~60 ℃,0.4~0.48 mol/L 和 5~12.5 h,并设定各向异性腐蚀速率为响应值。通过建立二次方模型,分析这些参数的单独影响以及多个操作条件之间对腐蚀速率的相互交叠作用。分析结果表明：模型可以精确预测99%的响应值,相比于腐蚀时间,溶液浓度和工作温度对刻蚀速率的影响更为明显。     

斜孔结构装甲设计及抗弹性能研究

设计了一种斜孔结构装甲,利用有限元方法研究高速弹体冲击下斜孔结构装甲的弹道力学行为,重点分析孔倾角对孔结构装甲不同典型弹着点侵彻破坏的影响.计算结果表明:弹着点位于孔结构中心(弹着点Ⅰ)时,斜孔结构设计导致弹体发生了严重侵蚀、偏航以及折断,有效降低了弹体的侵彻速度,使孔结构中心不再是最薄弱部位;随着孔倾角的增加,位于倾...     

Two-dimensional electron gas characteristics of InP-based high electron mobility transistor terahertz detector

The samples of In_xGa_(1-x)As/In_(0.52)Al_(0.48)As two-dimensional electron gas(2DEG)are grown by molecular beam epitaxy(MBE).In the sample preparation process,the In content and spacer layer thickness are changed and two kinds of methods,i.e.,contrast body doping andδ-doping are used.The samples are analyzed by the Hall measurements at 300 Kand 77 K.The In_xGa_(1-x)As/In_(0.52)Al_(0.48)As 2DEG channel structures with mobilities as high as 10289 cm~2/V·s(300 K)and42040 cm~2/V·s(77 K)are obtained,and the values of carrier concentration(Nc)are 3.465×10~(12)/cm~2and 2.502×10~(12)/cm~2,respectively.The THz response rates of In P-based high electron mobility transistor(HEMT)structures with different gate lengths at 300 K and 77 K temperatures are calculated based on the shallow water wave instability theory.The results provide a reference for the research and preparation of In P-based HEMT THz detectors.