超声辅助制备Ni-Mo/USY催化剂上正庚烷异构化性能研究

以USY分子筛作为载体,Ni和Mo作为活性组分,利用超声辅助浸渍法（US-IM）和常规浸渍法（C-IM）制备了Ni/USY（US-IM）和Ni-Mo/USY催化剂.采用X射线衍射（XRD）、吡啶-红外光谱分析（Py-IR）和N₂吸附-脱附等对催化剂进行理化性质表征,综合考察了不同改性方法以及单金属和双金属改性前后分子筛酸性和孔结构性质等的变化及其对正庚烷异构化性能的影响.实验结果表明：Mo对于Ni在USY分子筛上的均匀分布以及异构化催化性能具有协同促进作用;超声条件对双金属改性的USY结构基本无影响;超声空化作用降低了催化剂金属粒子的团聚,使其在USY表面均匀分散,增加了催化反应中所需的金属活性位点.超声辅助浸渍制备的Ni-Mo/USY中较高的金属分散度导致了较强的金属-载体相互作用,使其活性和稳定性高于常规浸渍法.在优化超声条件下,反应温度和反应时间分别为250℃和3 h,还原温度和还原时间分别为550℃和5 h,H₂/C₇摩尔比为0.14时,正庚烷的转化率和异构化选择性分别可以达到65.7%和74.1%.     

高活性铜催化剂无受体乙醇催化脱氢制乙醛研究

相较于Wacker工艺进行乙醛工业化生产,发展多相催化体系实现乙醇直接无氧催化脱氢制乙醛和副产氢气,从生产工艺和经济价值方面无疑是一条更加安全高效的路线.在此,我们发展了一种高效、稳固的Cu/SiO₂催化剂,用于乙醇的无受体催化脱氢.通过氨蒸发法制备得到高度分散的Cu颗粒,在没有任何平衡气体的纯乙醇进料条件下,显示出超强的热稳定性.活性组分Cu和载体SiO₂之间的强相互作用,使其具有优异的催化性能.通过反应条件优化,在250℃下实现了较高的乙醇转化率(>40%)和乙醛选择性(>95%),且催化剂在固定床连续反应过程中可稳定运行超过400 h.     

直接反应法合成异丙醇钇中AlCl3的催化作用

在用直接反应法合成稀土金属醇盐的反应中,传统上一直以I2或Hg2 系列盐(如HgCl2,Hg(C2H3O2)2和HgI2等)或其混合物做催化剂.对某些金属合成反应会存在反应速率低、产率低的问题.通过以无水AlCl3做催化剂、金属钇薄片和异丙醇为原料,加热回流直接反应,成功地合成了异丙醇钇.反应中放出大量H2和红外吸收光谱分析结果证明产物确为异丙醇钇.实验证明以无水AlCl3做催化剂可以大大提高反应速率和产率.实验和理论分析揭示了无水AlCl3的催化机理:无水AlCl3与异丙醇作用生成了HCl和可表示为AlCl2(OPri).2AlCl3.PriOH的中间产物,使整个体系的酸性提高,从而加速了反应的进行.AlCl3催化机理完全不同于I2和Hg2 系列盐类,这里H 为氧化剂,起重要作用.使用无水AlCl3替代传统催化剂可以解决I2做催化剂对某些反应的效率低下问题,或Hg2 系列盐类的毒性问题.     

HL-2Mƫ�������ۺ�ģ�⼼�������о�

利用SOLPS和DINA程序,对偏滤器的数值模拟进行综合研究。结合HL-2M装置,针对偏滤器的结构优化、脱靶物理过程、偏滤器送气与抽气、垂直位移事件(VDE)等问题进行了模拟研究。分析了偏滤器靶板位形以及脱靶对偏滤器靶板热载荷的影响,研究了偏滤器的送气位置、送气速率、抽气速率等因素对于偏滤器性能的影响;同时,利用DINA程序对HL-2M装置的VDE过程进行了预测分析,并给出了HL-2M装置发生VDE过程的等离子体电流剖面变化,从而为HL-2M装置的偏滤器结构设计和分析提供输入数据。     

EAST װ�õ����������ݵ���ͬ��������Ϊ��ʵ���о�

通过红外可见内窥镜诊断系统对EAST等离子体芯部逃逸电子的同步辐射功率谱进行了分析,得出低能段逃逸电子同步辐射主要在红外波段,随着逃逸电子能量的增加,同步辐射向短波方向移动进入可见光波段。在欧姆放电条件下,对逃逸电子同步辐射所产生的的红外可见光进行了成像分析,同时研究了EAST等离子体在低杂波和中性束注入加热条件下的逃逸电子行为。实验结果显示,低杂波和 NBI 的投入总体抑制电子的逃逸,但低杂波投入初期产生的快电子对逃逸电子的产生具有促进作用。     

高折射率有机硅LED封装材料研究进展

封装材料是LED器件不可缺少的一部分,它将LED芯片保护起来,使其免受环境温度、湿度、辐射和外力等的影响。有机硅LED封装材料具有优异的热、紫外辐射稳定性,同时兼具高透明性、耐冷热循环性以及疏水性等,是较理想的大功率LED封装材料,但由于一般的有机硅封装材料折射率较低,与芯片材料折射率相差大,如何进一步提高有机硅LED封装材料的折射率、以提高光输出效率,是当前迫切需要解决的一个问题,也是相关领域的研究热点。目前,提高有机硅LED封装材料折射率的方法,一般可以分为三种,即分子中引入杂原子、引入硅苯基以及材料中引入无机纳米粒子的方法。本文通过检索近十年的LED封装材料的相关研究报道,分析了其发展变化趋势及分布,综述了国内外高折射率有机硅LED封装材料的研究进展。     

超短超强激光脉冲辐照超薄碳膜电离状态研究

为了进一步理解极端条件下物质的电离特性, 特别是超短超强激光脉冲辐照超薄靶时等离子体的形成与分布, 本文以超薄碳膜为例, 细致研究了超短超强激光脉冲辐照下原子的离化过程. 分析和比较了强激光场直接作用电离和靶内静电场电离等两种场致电离形式, 在碰撞电离可以忽略的情况下, 发现更多的电离份额是来自靶内静电场的电离方式. 研究了激光脉冲强度对电离的影响, 发现激光脉冲强度越强, 电离速度越快, 产生的高价态离子所占比例也越高.当激光强度为1×10²⁰ W/cm²时, 尽管该强度高于电离生成C⁺⁶所需要的激光强度阈值, 但该激光脉冲并不能将整个靶电离成C⁺⁶离子, 对此本文进行了详细的分析. 在研究激光脉冲宽度的影响时, 发现激光脉宽越小, 电离速度越快, 但越小的激光脉冲电离获得的高价态离子越少.     

片上制备横向结构ZnO纳米线阵列紫外探测器件

将纳米技术与传统的微电子工艺相结合, 片上制备了横向结构氧化锌(ZnO)纳米线阵列紫外探测器件, 纳米线由水热法直接自组织横向生长于叉指电极之间, 再除去斜向的多余纳米线, 其余工艺步骤与传统工艺相同. 分别尝试了铬(Cr)和金(Au)两种金属电极的器件结构: 由于Cr电极对其上纵向生长的纳米线有抑制作用, 导致横向生长纳米线长度可到达对侧电极, 光电响应方式为受表面氧离子吸附控制的光电导效应, 光电流大但增益低, 响应速度慢, 经二次电极加固, 纳米线根部与电极金属直接形成肖特基接触, 光电响应方式变为光伏效应, 增益和速度得到了极大改善; 由于Au电极对其上纵向生长的纳米线有催化作用, 导致溶质资源的竞争, 相同时间内横向生长的纳米线不能到达对侧, 而是交叉桥接, 但却形成了紫外光诱导的纳米线间势垒结高度调控机理, 得到的器件特性为最优, 在波长为365 nm的20 mW/cm²紫外光照下, 1 V电压时暗电流为10^-9 A, 光增益可达8×10⁵, 响应时间和恢复时间分别为1.1 s和1.3 s.     

丁二炔衍生物的制备及其光学特性

利用一步酯化法并进一步通过重结晶纯化法成功地合成了含螺吡喃基团的丁二炔衍生物,并对其进行了~1H NMR、质谱、元素分析、DSC、TGA和红外表征。测试结果表明,样品的熔点为55℃,具有较好的热稳定性,直到282℃才开始分解。接着对样品进行了光学测试,紫外光谱表明,经254 nm紫外光照射后,其最大吸收峰大约位于564 nm。荧光光谱表明,其最大荧光发射波长位于大约650 nm。化合物膜的耐疲劳测试表明,样品具有很好的耐疲劳性。     

喷雾热解制备稀土超细粉末(Ⅰ)——氧化钇粒子形态与形成机理

对Y(NO₃)₃·6H₂O的差热和热重分析表明,Y(NO₃)₃·6H₂O经脱水和热分解在580C以上完全分解为Y₂O₃.在此基础上,以Y(NO₃)₃·6H₂O为前驱体,采用喷雾热解过程制备出粒度为0.50～1.50μm的立方相球形Y₂O₃粉末.通过对产物粒子粒度的理论计算与实验结果的比较,推测Y₂O₃粒子形成机理符合液滴-粒子转变机理(One-Droplet-One-Particlemechanism).本喷雾热解过程同样适用于其它稀土超细粉末的制备,粒子粒度可以通过调节液滴尺寸和溶液浓度等操作条件进行控制.