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第五届未来电子器件国际讨论会于1988年5月30日至6月4日在日本宫城藏王举行.三维集成电路和高Tc超导电子器件两个专题会议相继举行,总会议主席为东京大学田中昭二教授.高Tc超导电子器件分会议主席东京大学岗部洋一教授,邀请中国派代表出席会议并作邀请报告.北京大学崔广霁和南京大学杨森祖应邀出席会议,并分别作了题为《中国超导电子学的最新进展》和《高Tc超导体的高频应用》的邀请报告. 会议由隶属于日本通产省的未来电子器件研究与发展协会主办.该会目的在于加强对未来电子器件的研究,并转入实际应用.会议有正式代表160人,以日本的超导… 相似文献
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本文报道了在10~(-5)—10~(-6)托的高真空下用电子束蒸发制作高质量的Nb超导薄膜的实验结果,Nb膜的临界温度T_c可以达到9.2K,接近大块纯Nb的T_c值(~9.3K)。研究了薄膜厚度、蒸发速率、衬底温度和真空度等淀积条件对Nb膜T_c的影响。用X射线衍射、电子显微和表面分析等方法分析了Nb膜的成分和结构。 用热氧化、直流辉光放电氧化和射频氧化等方法制成了Nb-NbO_x-Pb隧道结,通过表面分析研究了氧化位垒层的成分。对Nb隧道结的稳定性作了初步考察,40个串联结经过61次室温-4.2K之间的热循环和在室温下保存200天以上,结的I-V特性没有显著变化。 相似文献