AlGaAs/InGaAs/GaAs赝配高电子迁移晶体管的kink效应研究

利用二维器件模拟软件MEDICI对AlGaAs/InGaAs/GaAs赝配高电子迁移晶体管器(PHEMT)件进行了仿真，研究了PHEMT器件的掺杂浓度与电子浓度分布，PHEMT器件内部的电流走向及传输特性，重点研究了不同温度和不同势垒层浓度情况下PHEMT器件的kink效应.研究结果表明：kink效应主要与处于高层深能级中的陷阱俘获/反俘获过程有关，而不是只与碰撞电离有关. 关键词： 高电子迁移率晶体管 kink效应 二维电子气     

辐射感生应力弛豫对Alm Ga1-m N/GaN HEMT电学特性的影响

基于电荷控制原理建立了辐射感生AlmGa1-mN势垒层应力弛豫对AlmGa1-mN/GaN HEMTs器件电学特性影响的解析模型,并进行了仿真分析.结果表明,对于高Al组分HEMTs器件,AlmGa1-mN势垒层中辐射感生的应力弛豫影响更为显著.辐射感生应力弛豫不但导致2DEG下降和阈值电压正向漂移,而且能够引起漏极输出电流的明显下降.辐射感生应力弛豫是赝配AlmGa1-mN/GaN HEMTs辐射损伤的重要机理之一.     

超深亚微米PMOSFET的自愈合效应

主要研究负栅压偏置不稳定性(negative bias temperature instability，NBTI)效应中的自愈合效应，研究了器件阈值电压随着恢复时间和应力时间的恢复规律.研究表明器件的退化可以恢复是由于NBTI应力后界面态被氢钝化. 关键词： 负偏置温度不稳定性效应 自愈合效应 应力时间 PMOSFET     

高击穿电压的AIGaN/GaN FP-HEMT研究与分析

就蓝宝石衬底上制备的AlGaN／GaN场（field plate）HEMT器件、常规HEMT器件性能进行了分析对比．结果证明两种结构的器件直流参数变化不大，但是采用场板后器件的击穿电压从52V提高到了142V．在此基础上利用Sivaco软件对两种器件进行模拟仿真，深入分析了FP对器件击穿电压的影响．     

辐射感生应力弛豫对AlmGa1－mN/GaN HEMT电学特性的影响

基于电荷控制原理建立了辐射感生Al_mGa_1-mN势垒层应力弛豫对Al_mGa_1-mN/GaN HEMTs器件电学特性影响的解析模型，并进行了仿真分析.结果表明，对于高Al组分HEMTs器件，Al_mGa_1-mN势垒层中辐射感生的应力弛豫影响更为显著.辐射感生应力弛豫不但导致2DEG下降和阈值电压正向漂移，而且能够引起漏极输出电流的明显下降.辐射感生应力弛豫是赝配Al_mGa_1-mN/GaN HEMTs辐射损伤的重要机理之一. 关键词： mGa_1-mN/GaN')" href="#">Al_mGa_1-mN/GaN HEMT 辐射损伤 应力弛豫     

高击穿电压的AlGaN/GaN FP-HEMT研究与分析

就蓝宝石衬底上制备的AlGaN/GaN场板(field plate)HEMT器件、常规HEMT器件性能进行了分析对比.结果证明两种结构的器件直流参数变化不大，但是采用场板后器件的击穿电压从52V提高到了142V.在此基础上利用Sivaco软件对两种器件进行模拟仿真，深入分析了FP对器件击穿电压的影响.     

The low-temperature mobility of two-dimensional electron gas in AlGaN/GaN heterostructures

To reveal the internal physics of the low-temperature mobility of two-dimensional electron gas （2DEG） in Al- GaN/GaN heterostructures, we present a theoretical study of the strong dependence of 2DEG mobility on Al content and thickness of AlGaN barrier layer. The theoretical results are compared with one of the highest measured of 2DEG mobility reported for AlGaN/GaN heterostructures. The 2DEG mobility is modelled as a combined effect of the scat- tering mechanisms including acoustic deformation-potential, piezoelectric, ionized background donor, surface donor, dislocation, alloy disorder and interface roughness scattering. The analyses of the individual scattering processes show that the dominant scattering mechanisms are the alloy disorder scattering and the interface roughness scattering at low temperatures. The variation of 2DEG mobility with the barrier layer parameters results mainly from the change of 2DEG density and distribution. It is suggested that in AlGaN/GaN samples with a high Al content or a thick AlGaN layer, the interface roughness scattering may restrict the 2DEG mobility significantly, for the AlGaN/GaN interface roughness increases due to the stress accumulation in AlGaN layer.     

场板结构AlGaN/GaN HEMT的电流崩塌机理

在不同的漏偏压下，研究了钝化和不同场板尺寸AlGaN/GaN HEMT对电流崩塌的抑制能力.实验结果表明，钝化器件对电流崩塌的抑制能力随着漏偏压的升高而显著下降；在高漏偏压下，场板的尺寸对器件抑制崩塌的能力有较大影响，而合适尺寸的场板结构在各个漏偏压下都能够很好的抑制电流崩塌.深入分析发现，场板结构不仅能够抑制虚栅的充电过程，而且提供了放电途径，有利于虚栅的放电，从而抑制电流崩塌.在此基础上，通过建立场板介质对虚栅放电的模型，解释了高漏偏压下场板的尺寸对器件抑制崩塌的能力有较大影响的原因.     

SOI MOSFET转移特性中的深度饱和现象研究

关键词：     

MOS结构中薄栅氧化层高场退火效应的研究

深入研究了MOS结构中薄栅氧化层在高电场下的退火效应,对氧化层陷阱电荷的退陷阱机理进行了深入探讨.通过实验和模拟对氧化层陷阱电荷的退陷阱机理和生长机理进行了比较,给出了满意的物理解释.负栅压退火和正栅压退火的比较表明负栅压退火更为有效