全文获取类型
收费全文 | 206篇 |
免费 | 47篇 |
国内免费 | 49篇 |
专业分类
化学 | 108篇 |
晶体学 | 3篇 |
力学 | 10篇 |
综合类 | 5篇 |
数学 | 39篇 |
物理学 | 137篇 |
出版年
2024年 | 4篇 |
2023年 | 5篇 |
2022年 | 10篇 |
2021年 | 5篇 |
2020年 | 4篇 |
2019年 | 7篇 |
2018年 | 10篇 |
2017年 | 9篇 |
2016年 | 6篇 |
2015年 | 9篇 |
2014年 | 18篇 |
2013年 | 10篇 |
2012年 | 14篇 |
2011年 | 8篇 |
2010年 | 18篇 |
2009年 | 22篇 |
2008年 | 21篇 |
2007年 | 9篇 |
2006年 | 15篇 |
2005年 | 17篇 |
2004年 | 17篇 |
2003年 | 7篇 |
2002年 | 8篇 |
2001年 | 7篇 |
2000年 | 4篇 |
1999年 | 5篇 |
1998年 | 4篇 |
1997年 | 3篇 |
1996年 | 2篇 |
1995年 | 3篇 |
1993年 | 1篇 |
1991年 | 1篇 |
1990年 | 2篇 |
1989年 | 2篇 |
1988年 | 1篇 |
1987年 | 1篇 |
1986年 | 2篇 |
1985年 | 2篇 |
1983年 | 3篇 |
1982年 | 1篇 |
1981年 | 2篇 |
1980年 | 1篇 |
1978年 | 1篇 |
1977年 | 1篇 |
排序方式: 共有302条查询结果,搜索用时 15 毫秒
11.
在本文中,我们利用因子分析方法,结合SAS软件,对我国各地区工业经济新产品的研究与开发状况进行综合评价,分析了制约河北省工业经济研究与开发水平的因素. 相似文献
12.
开口薄壁截面弯曲中心的推导 总被引:1,自引:1,他引:0
通常推导开口薄壁杆件横截面弯曲中心的方法都没有从理论上证明弯曲中心的存在.引入合理的假设,运用材料力学的知识就能证明开口薄壁截面弯曲中心是截面本身固有的几何特性之一,并可得到确定弯曲中心位置的一般公式.考虑开口薄壁杆件在横向载荷作用下不仅有较大 相似文献
13.
针对高光谱成像特点,提出了一种基于三维特征检测微小摄像头的方案。在空间维利用猫眼效应筛选疑似目标,在光谱维对结果进行精准判定。依据摄像头结构,分析了可见光摄像头的反射光谱特征。基于几何光学和辐射度学,计算和仿真了系统的探测距离。结果表明,正常工作时,光功率影响最小探测距离,目标尺寸影响最大探测距离。搭建了微小摄像头光谱特征验证系统。结果表明,采用吸收型红外截止滤光片的目标的非反射光占比曲线变化平缓且数值高,采用反射型红外截止滤光片的目标的非反射光占比曲线可见光部分数值高,红外部分数值低,从700 nm附近开始下降,甚至发生突变,实验数据显示,突变位置的斜率绝对值是红外波段斜率绝对值的10倍以上。实验结果与预期分析的结果一致,验证了高光谱成像技术检测微小摄像头的可行性。 相似文献
14.
在三电极体系中,以硝酸锌水溶液作为电解液,采用阴极还原电沉积法成功实现了一维纳米结构ZnO阵列在TiO2纳米粒子/ITO导电玻璃薄膜基底上的沉积,并通过XRD、SEM、EDS和PL光谱等方法对样品进行了表征.重点研究了薄膜基底、电解液浓度、沉积时间、六次亚甲基四胺(HMT)的引入对ZnO沉积及其发光性质的影响.结果显示:与ITO玻璃基底相比,ZnO更易于在TiO2纳米粒子薄膜上实现电化学沉积.ZnO属于六方晶系的铅锌矿结构,并且沿着c-轴方向表现出明显的择优化生长,以形成垂直于基底的ZnO纳米棒阵列.延长沉积时间、增加电解液浓度和引入一定量的HMT等均对ZnO的生长有促进作用,进而使其纳米棒的结晶度和取向程度提高,进而解释了所得的薄膜分别约在375和520nm处表现出ZnO的强而窄的带边紫外光发射峰和弱而宽的表面态绿光发射带. 相似文献
15.
16.
17.
研究了小波图象边缘检测技术在荧光寿命显微像分析中的应用,利用小波分析的多尺度特性进行了荧光寿命显微像的边缘提取,结果表明,这种方法非常有效。 相似文献
18.
悬浮液进样-原子吸收法测定中药材中铜、锌、铁 总被引:7,自引:0,他引:7
本文提出了一种悬浮液进样-火焰原子吸收法测定中药材--怀药(怀山药、怀牛膝、怀菊花)的新方法。并成功地进行了Cu,Zn,Fe的测定。将粉碎后的怀药悬浮于琼脂胶体中制成悬浮液,对悬浮剂的选择及化不干扰的消除进行了考察。将试液喷入空气-乙炔火焰中,用标准加入法测定,结果与HNO3+H2SO4+HClO4处理法一致。t检验结果表明:两种样品处理方法之间无显著性差异,可以采用悬浮液进样法取代HNO3+H2SO4+HClO4处理法,该方法快速简便、安全,有效,结果令人满意。 相似文献
19.
本文报道了一种基于1,2-二氰基苯(O-DCB)与聚(3-己基噻吩)(P3HT)复合薄膜的高耐久性有机阻变存储器(ORSM).ORSM表现出非易失型和双极性存储特性,电流开关比(Ion/off)超过104,耐久性高达400次,保持时间为105s,Vset和Vreset分别为-6.9 V和2.6 V.器件的阻变机理是陷阱电荷的俘获与去俘获,即负偏压或正偏压诱导电荷陷阱的填充和抽离过程,导致电荷传输方式的改变,从而产生高低电阻间的切换.器件的高耐久性一方面是由于O-DCB较小的分子尺寸和较好的溶解性形成了均匀分布且稳定的电荷陷阱,另一方面是由于O-DCB较好的分子平面促进了其与P3HT共轭链的相互作用.该研究为高耐久性ORSM的实现提供了一种有效途径,加快了ORSM的商业化应用进程. 相似文献
20.