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271.
采用直流对靶磁控溅射在Si<100>基底上沉积金属V薄膜, 然后分别在纯氧气环境和纯氮气环境下进行快速热处理制备具有 金属-半导体相变特性的氧化钒(VOX)薄膜, 热处理条件分别为纯氧气环境下430℃/40 s, 450℃/40 s, 470℃/40 s, 450℃/30 s, 450℃/50 s, 纯氮气环境下500℃/15 s. 用X射线衍射仪、X射线光电子能谱、原子力显微镜 和扫描电子显微镜对薄膜的结晶结构、钒的价态和组分以及微观形貌进行分析. 利用四探针薄膜电阻测量方法和THz时域频谱技术分析薄膜的电学特性和光学特性. 结果表明: 金属V薄膜经过纯氧气环境450℃/40 s快速热处理 后形成了具有低相变特性的VOX薄膜, 升温前后薄膜方块电阻变化幅度达到两个数量级, THz透射强度变化幅度较小. 为了提高薄膜的相变特性, 对制备的VOX薄膜采用纯氮气环境500℃/15 s快速热处理, 薄膜的相变特性有了明显提升, 相变前后方块电阻变化达到3个数量级, THz透射强度变化达到56.33%. 相似文献
272.
以对叔丁基硫桥杯[4]芳烃(1)为原料, 在碳酸钾存在下与碘甲烷反应, 生成1,3-二取代桥杯[4]芳烃(2), 其分别与1,2-二溴乙烷, 1,3-二溴丙烷在碳酸钾的存在下进行烷基化反应, 生成硫桥杯[4]芳烃衍生物3和4. 在氢氧化钠存在下,其与过量的含不同官能团的2-巯基-1,3,4-噻二唑反应, 生成下缘含1,3,4-噻二唑基的硫桥杯[4]芳烃衍生物5a, 5b, 6a和6b, 并通过了1H NMR, 13C NMR, IR, MS和元素分析的确证. 同时, X射线分析确定了硫桥杯[4]芳烃3和5a的晶体结构. 相似文献
273.
激光诱导击穿光谱(Laser-Induced Breakdown Spectroscopy,LIBS)技术是一种全新的物质元素分析方法,它可以分析元素周期表中几乎所有的元素,对分析对象表面的破坏只有微米量级(在工业中可以认为是无损检测),同时还具有分析速度快、测量精度和灵敏度高、可多元素同时测量、抗污染、无辐射、成本低及安装简易等特点。 相似文献
274.
由于等离子体是激光诱导击穿光谱(LIBS)的光谱源,其内部粒子的分布结构将直接影响LIBS谱线的信噪比,因此研究等离子体粒子分布结构和动态膨胀过程对提高LIBS的定量测量精度具有指导意义。利用时间、空间、波长分辨的双波长差分成像技术分析激光诱导铝锡合金产生的二元等离子体,获取等离子体内各态粒子发射率的时空分布图像,以期探索不同激光支持吸收波(LSAW)类型的等离子体内各态粒子时空分布结构的演化机制。实验通过低、高激光辐照度的脉冲激光,分别构建了激光支持燃烧波(LSCW)和激光支持爆轰波(LSDW)型等离子体。通过观察等离子体的形态、内部结构、粒子分布、粒子寿命,结合元素的物理性质及谱线属性,分析了激光与金属及等离子体之间的相互作用,形成了二元激光等离子体的时空演化机制。结果表明:(1)激光辐照度会改变等离子体的粒子分布结构;(2)低辐照度激光诱导产生的LSCW型等离子体内部有明显的层状分布,激光主要吸收区位于蒸汽等离子体,此时粒子的寿命较短,分布结构主要依赖于元素熔点,低熔点元素会先从难混溶合金表面熔化并析出,分布于蒸汽等离子体顶部;(3)高辐照度激光产生等离子体的传播模型为LSDW型... 相似文献
275.