离子热合成微球方钠石

在1-甲基-3-乙基咪唑溴盐离子液体([emim]Br)中合成了球形的方钠石分子筛,分别通过X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)等表征手段对产物进行了表征。结果表明,在反应物料配比相同的条件下,离子热合成有利于球形方钠石结构的形成。在反应物料中nNa2SiO3·9H2O/nNaAlO2为1.1(即nSiO2/nAl2O3=2.2)和5.0时(即nSiO2/nAl2O3=10)时,离子热合成得到了粒径为0.2和1.4μm的球形方钠石分子筛,而水热合成分别得到了X型分子筛和一种未知结构的产物。     

电火花打点计时器用于平抛和自由落体实验

改变电火花打点计时器使用时需固定的传统做法,将放电针安装在运动物体上,使电火花打点计时器直接记录运动物体的位置,定量研究物体的平抛运动和自由落体运动.     

H_q~p空间若干性质的研究

本文研究了H_q~p空间中函数的导函数的范数与函数本身的连续模之间关系的Hardy-Littlewood定理,进而研究了在H_q~p空间中用多项式进行最佳逼近的阶的估计等问题。     

Bergman空间B_q~p(p>0,q>1)中的Bernstein型不等式

本文在Bergman空间Bqp(p>0,q>1)中得到了关于用多项式本身的模控制其导函数的模的Bernstein型不等式．     

背景气体对激光等离子体和外磁场界面上槽纹不稳定性的影响

等离子体在外磁场中膨胀产生的抗磁腔和不稳定性是空间物理和聚变物理中的重要现象.本文实验研究了激光产生的等离子体在外磁场中膨胀时在抗磁腔表面产生的槽纹不稳定性,数据分析显示实验中观察到的不稳定性属于大拉莫尔半径槽纹不稳定性.实验发现充入稀薄背景气体能够显著抑制槽纹不稳定性的发展,背景气体气压超过50 Pa时(约为抗磁腔表面等离子体密度的1%),槽纹不稳定性几乎被完全抑制.动理学分析表明离子-离子碰撞是抑制不稳定性发展的主要因素.这些结果对磁场辅助激光聚变和爆炸空间物理现象等领域有重要参考价值.     

两个自由度系统受迫振动实验装置

两个自由度系统受迫振动实验装置段德华，王冲，袁惠群，吴建中（沈阳黄金学院，沈阳１１００１５）１引言生产实践已向人们提出了各式各样的振动问题，故振动分析已成了各项工程技术研究与设计必不可少的环节，因此，追切需要工程技术人员具备有关振动学科方面的基础知识...     

具有P型覆盖层新型超级结横向双扩散功率器件

为了设计功率集成电路所需要的低功耗横向双扩散金属氧化物半导体器件(lateral double-diffused MOSFET), 在已有的N型缓冲层超级结LDMOS(N-buffered-SJ-LDMOS)结构基础上, 提出了一种具有P型覆盖层新型超级结LDMOS结构(P-covered-SJ-LDMOS). 这种结构不但能够消除传统的N沟道SJ-LDMOS由于P型衬底产生的衬底辅助耗尽问题, 使得超级结层的N区和P区的电荷完全补偿, 而且还能利用覆盖层的电荷补偿作用, 提高N型缓冲层浓度, 从而降低了器件的比导通电阻. 利用三维仿真软件ISE分析表明, 在漂移区长度均为10 μm的情况下, P-covered-SJ-LDMOS的比导通电阻较一般SJ-LDMOS结构降低了59%左右, 较文献提出的N型缓冲层 SJ-LDMOS(N-buffered-SJ-LDMOS)结构降低了43%左右.     

使用色散可调啁啾光纤光栅在常规单模光纤中实现超过100km,10Gb/s的转输 *

报道了用简单的应力方法使均匀光栅成为线性啁啾光纤光栅的技术 ,并推导出了相应理论 ,发现最大色散补偿带宽与色散的乘积近似为常数 .在常规单模光纤G652,10Gb/s系统中实现超过100km的色散补偿 .     

一类局部定向完备集及其范畴的性质

本文给出了局部定向完备集的概念及其在此结构下的一种新的双小于关系，从而进一步给出了一种新的连续性概念，接着讨论了局部定向完备集，连续的局部定向完备集等对象的一些性质，最后考察了三种范畴的笛卡儿闭性，并证明了范畴LDCPO是范畴ALG的反射满子范畴．     

非负严格对角占优三对角矩阵逆元素的估计

估计非负三对角矩阵的逆矩阵元素的值,在样条插值的凸性研究方面十分重要.文献[1]给出三对角阵 A=diag(α_i,ρ_i,β_i)在 x_i+β_i=1条件下的估计式.但在样条插值的连续性方程中有许多三对角阵只是非负严格对角占优的,如象在归范样条曲线和局部张力样条曲线插值的情形.因此本文给出非负严格对角占优三对角阵逆元素新的一类估计式.