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101.
 分析了激光测量光路的特点和装校要求,给出了采用可见光源、分划板装校激光光路的原理。以预放测量模块为例,介绍了装校的流程及装校中的注意事项,分析了装校所能达到的精度,并用内调焦望远镜进行了装校精度检查。结果表明,采用可见光源、分划板装校的激光光路透镜光轴正过心的偏心极限误差小于等于0.07 mm,光轴倾斜极限误差小于等于25″。  相似文献   
102.
光信息与光电子技术实验室建设的思考   总被引:3,自引:1,他引:3  
本文简要介绍了天津工业大学光信息与光电子技术实验室的现状,并对实验室在"十一五"期间的建设思路与目标以及建设内容等进行了全面的介绍.  相似文献   
103.
硅酸盐熔体是典型的近程有序,远程无序的准稳定态分数维体系,文章采用X射线小角散射(SAXS)、低波数拉曼光谱(LWRS)及高温拉曼光谱(HTRS)实时、原位分析等技术,对高温熔融法和溶胶凝胶法合成的CaO-Al2O3-SiO2和Na2O-Al2O3-SiO2系列低维非晶硅酸盐试样进行了团粒结构粒度及其类声子振动频率的定量测定,获得了低温硅酸盐凝胶、高温硅酸盐熔体及其淬火玻璃相均具有纳米级(几个纳米至几十纳米)自相似团粒结构和类声子振动模的重要结论,进而建立了测定高温熔体介观团粒结构粒度的HTRS测定法,结果表明硅酸盐熔体的团粒结构粒度在高温下均会比其室温玻璃相的团粒尺度小,且高温熔体的网络结构基元也向桥氧数减少之基元转变。这些结论为探索自然界岩浆的地球化学特征、岩浆的结晶和演化以及低维硅酸盐材料结构性能的改进提供重要理论依据及信息。  相似文献   
104.
低损耗193 nm增透膜   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
尚淑珍  邵建达  范正修 《物理学报》2008,57(3):1946-1950
计算了适用于193nm增透膜设计与制备的基底与薄膜材料的光学常数,并在此基础上对193nm增透膜进行了设计、制备与性能分析.发现基底材料的吸收损耗对增透膜元件的影响很大,超过一定值时,增透膜元件的设计透过率将达不到理想水平.对单面增透膜的设计与制备结果表明,当吸收损耗降低到一定程度,散射损耗成为不可忽略的因素.采用热舟蒸发方法实现了性能良好的193 nm减反射膜,剩余反射率在0.2%以下. 关键词: 193nm 增透膜 光学损耗 剩余反射率  相似文献   
105.
A novel method for gain adjustment of multi-pumped fibre Raman amplifiers is proposed and numerically demonstrated. The method uses the areas under the curves of the pump power evolution along the gain fibre and the Newton-Raphson method to find an appropriate power combination of the pumps to realize the desired gain profile. Compared with the previously proposed methods, our method has two advantages: first, it can maintain the gain profile while changing the gain magnitude to the desired value; second, it is independent of the actual pumping scheme of the amplifier, i.e. it can be used for fibre Raman amplifiers with all kinds of pumping schemes including co-, counter-, or hi-directional pumping. Numerical simulations are provided to verify the proposed method and to demonstrate its effectiveness.  相似文献   
106.
达争尚  陈良益 《光子学报》2003,32(6):669-671
通过对光电系统中探测器对图像采样的分析,由瑞利判别给出了光学系统-探测器匹配的原则:即瑞利斑的直径等于探测器像元中心距的大小,并分析了系统的MTF;通过分析系统的信息传递关系,给出了电子图像重建系统带宽的设计原则.  相似文献   
107.
测定GaAs(001)衬底上InAs的生长速率   总被引:1,自引:0,他引:1  
报道了间接测定InAs生长速率的方法.通过设置不同Ga源温度,固定In源温度;和固定Ga源温度,设置不同In源温度,在GaAs(001)衬底上生长GaAs与InGaAs,用RHEED强度振荡测定GaAs与InGaAs的生长速率.验证了InGaAs的生长速率为GaAs的生长速率与InAs的生长速率之和,得到了In源温度在845~880℃时InAs的生长速率曲线.  相似文献   
108.
设p〉0,s ≥ 0,q〉max{-n-1,-s-1},本文探讨了单位球上F(p,q,s)空间的一种等价刻画和分解问题.具体结果为:(1) f∈ F(p,q,s)当且仅当f∈ H(B),且I^p=supa∈B∫B|R^α,γf(z)|^p(1-|z|2)q+pγ-p(1-|φa(z)|^2)^s dv(z)〈∞,其中α〉-1 和γ〉max{0,1-(q+s+1)/p,1-(q+n+1)/p}. (2) 若{dk}∈ ∫p,则存在序列{wk}?B,使得 f(z)=∑k=1^∞(dk(1-|wk|2)t+1)/(1-〈z,wk〉)t+(q+n+1)/p)(z∈B)属于F(p,q,s),其中t〉max{1-1/p,0}(q+n+1)+max{1/p,1}s-1.  相似文献   
109.
离子交换树脂层析分离制备纯木糖醇   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用南开大学化工厂生产的树脂,筛选出适于层析分离木糖醇的大孔苯乙烯阳离子交换树脂。在优化条件下,用Ca~(2+)型树脂可制得木糖醇的纯度为99.9%,收率60%。为工业化生产提供了科学依据。  相似文献   
110.
一类广义KdV—Burgers型方程的初边值问题   总被引:3,自引:0,他引:3  
尚亚东 《应用数学》1996,9(2):166-171
本文研究了一类带三阶粘性项的广义KdV-Burgers型方程的初边值问题,运用Galerkin逼近方法,结合能量估计,得到了问题整体解的存在性,正则性,唯一性和稳定性等结果,并在一定条件下讨论了问题的解的渐边行为和“爆破”现象。  相似文献   
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