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991.
992.
自旋转移矩辅助电压调控磁各向异性磁隧道结(STT辅助VCMA-MTJ)作为非易失性全加器(NV-FA)中的核心部件,具有切换速度快、功耗低,稳定性好等优点,将在物联网、人工智能等领域具有良好的发展前景.然而随着磁隧道结(MTJ)尺寸的不断缩小以及芯片集成度的不断提高,工艺偏差对MTJ及NV-FA电路性能的影响将变得越来越显著.本文基于STT辅助VCMA-MTJ磁化动力学,在充分考虑薄膜生长工艺偏差以及刻蚀工艺偏差影响的情况下,建立了更为精确的STT辅助VCMA-MTJ电学模型,研究了上述两种工艺偏差对MTJ及NV-FA电路性能的影响.结果表明,当自由层厚度偏差γtf≥6%或氧化层厚度偏差γtox≥0.7%时,MTJ将无法实现状态切换;当隧穿磁阻率偏差β增大到30%时,读取裕度SM将下降高达17.6%.对于NV-FA电路,通过增大电压Vb1以及写‘0’时增大电压Vb2或写‘1’时减小Vb2,可有效降低非易失性加数写入错误率;通过增大逻辑运算驱动电压Vdd,可... 相似文献
993.
Ultrafast Terahertz Probes of Charge Transfer and Recombination Pathway of CH_3NH_3PbI_3 Perovskites 下载免费PDF全文
We use transient terahertz photoconductivity measurements to demonstrate that upon optical excitation of CH_3NH_3PbI_3 perovskite, the hole transfer from CH_3NH_3PbI_3 into the organic hole-transporting material(HTM)Spiro-OMe TAD occurs on a sub-picosecond timescale. Second-order recombination is the dominant decay pathway at higher photo-excitation fluences as observed in neat CH_3NH_3PbI_3 films. In contrast, under similar experimental conditions, second-order recombination weakly contributes the relatively slow recombination between the electrons in the perovskite and the injected holes in HTM, as a loss mechanism at the CH_3NH_3PbI_3/Spiro-OMe TAD interface. Our results offer insights into the intrinsic photophysics of CH_3NH_3PbI_3-based perovskites with direct implications for photovoltaic devices and optoelectronic applications. 相似文献
994.
In this paper, we use a nonlinear decohering quantum model to study the initial step of photosynthesis which is an ultrafast transfer process of absorption the sunlight by light-harvesting complexes and electronic excitation transfer to the reaction center(RC). In this decohering model, the Hamiltonian of the system commutes with the systemenvironment interaction. We take B850 ring of light-harvesting complex II(LH-II) in purple bacteria as an example to calculate the efficiency of the energy transfer as a function of time. We find that the environmental noise can make the LH-II have stable energy transfer efficiency over a long time. This is to say that the environmental noise which is the decohering source has advantage of the energy transfer in the process of photosynthesis. 相似文献
997.
焦粉基碳吸附材料对铜(Ⅱ)离子吸附特性 总被引:1,自引:0,他引:1
采用硝酸预氧化焦粉、氯化锌化学活化法制备了焦粉基碳吸附材料。 考察了焦粉基碳吸附材料对水中铜(Ⅱ)离子的吸附特性。 实验结果表明,焦粉基碳吸附材料吸附平衡时间90 min,该吸附过程符合Langmuir型吸附模型;不同温度下的ΔHθ>0、ΔGθ<0,证实其吸附过程是一个自发吸热过程;ΔSθ>0,表明铜离子在固液界面有序性减小、混乱度增大。 对实验数据进行数学模型拟合,二级相关系数R2=0.999 1,显示吸附过程动力学与二级动力学模型相关性较好。 相似文献
998.
HKC细胞损伤前后对草酸钙晶体吞噬能力的差异 总被引:1,自引:0,他引:1
采用人类肾脏近端小管上皮细胞系(HKC)建立氧化性损伤模型,研究损伤前后HKC调控草酸钙(CaOxa)结晶的差异。采用CCK-8法检测HKC的细胞活性;利用激光共聚焦显微镜观察HKC损伤后表达的晶体粘附分子骨桥蛋白(OPN);采用倒置显微镜观察HKC的形态变化;采用扫描电子显微镜(SEM)观察HKC微结构及其诱导的晶体;采用X射线衍射分析(XRD)表征晶体的组分。在CaOxa过饱和溶液中,正常HKC主要诱导形成二水草酸钙(COD)晶体,而损伤HKC则同时诱导了COD和一水草酸钙(COM)晶体。正常HKC对COD晶体有较强的吞噬能力,而损伤HKC的这种能力较弱;HKC损伤后表达OPN,促进CaOxa晶体的成核和聚集,从而增加了肾结石形成的危险性。 相似文献
999.
采用配位沉淀法制备了二水草酸钙(COD)和一水草酸钙(COM)超细微晶,其尺寸分别为150nm和320nm。通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、红外光谱(FTIR)、纳米粒度仪(Nano-ZS)和紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)表征了这两种草酸钙微晶。研究了尿大分子硫酸软骨素A(C4S)对上述COM和COD微晶ξ电位、粒径、聚集程度和紫外吸光度的影响。随着cC4S从0增加到1.0g·L-1,COD微晶的ξ电位从-9.7mV减小到-46.1mV,COM微晶的ξ电位从-15.9mV减小到-49.0mV;微晶表面ξ电位变负后,有利于稳定溶液中悬浮的微晶。在水溶液中,COD和COM微晶均存在显著的聚集现象,而C4S的存在可抑制COD微晶的聚集,并在浓度为0.05g·L-1时抑制效果最好。由于尿液中存在大量草酸钙微晶,本研究有助于阐明草酸钙结石的形成机理和C4S对草酸钙结石形成的抑制作用。 相似文献
1000.
采用不同方法制备了多种有机化蒙脱土,并分别采用X射线衍射仪、红外光谱分析仪、热重分析仪、电感耦合等离子体发射光谱仪、元素分析仪、扫描电子显微镜对产物进行了表征,并提出了有机物插层新方式——胶束插层.结果表明:适量钠基蒙脱土(Na-MMT)、十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)和磷酸三苯酯(TPP)在丙酮/水的混合溶剂中进行溶液插层,得到的有机化蒙脱土具有更大的层间距,比单纯采用CTAB的插层效果显著.产物中含有约21.54%的CTAB和17.47±1.05%的TPP,插层机理为CTAB-TPP胶束插层.该有机化蒙脱土的初始热降解温度比单纯CTAB插层蒙脱土最多提高了17.4℃.采用该方法制备的改性蒙脱土既可以进一步提高蒙脱土的层间距,又可以封闭TPP于MMT的片层间,阻止TPP挥发;同时克服季铵盐改性蒙脱土的热稳定性低的问题,得到了层间距大、热稳定性高的有机化蒙脱土,为有机化蒙脱土在高熔点聚合物改性方面提供了条件. 相似文献