功能梯度材料瞬态热传导问题的降维精细积分法

针对功能梯度材料(FGMs)的二维瞬态热传导问题,提出了一种有效的降维精细积分法。通过空间坐标的分步离散,将原二维问题的精细积分转化为一系列一维问题的精细积分,解决了直接精细积分算法所面临的传递矩阵 规模过大的问题,从而大幅度降低了计算量和存储量。算例表明了本文方法的有效性。     

热致液晶含氯侧基聚芳醚酮的单晶状条带织构

通常主链液晶高分子在受到剪切作用时 ,分子微纤呈周期性锯齿状排列 ,其光学效应表现为在偏光显微镜下可观察到相互平行且与剪切方向垂直的条带织构 [1] .而厚度适中的主链液晶聚合物薄膜经过热处理 ,即使没有受到剪切取向的作用 ,介晶微区的尺寸发展到一定大小时也会形成条带织构 ,即所谓结晶诱导[2 ] 和固化诱导 [3,4 ] 的条带织构 .在所报道的条带织构中 (包括剪切和非剪切 ) ,分子链均平行于膜平面 .本文研究发现 ,热致液晶氯代聚芳醚酮的薄膜样品在其高有序液晶温区经热处理 ,可形成结晶诱导的单晶状条带织构 ,其分子链垂直于膜平面 .…     

用低功率微波热雾化器与十字交叉气动雾化器作为ICP-AES进样装置的比较

在 ICP- AES中 ,最常用来引入液体样品的方法是雾化法 .因此 ,雾化器雾化效率的高低直接影响到 ICP- AES的分析性能 [1,2 ] .目前 ,在 ICP- AES中最常用的雾化器是气动雾化器 (PN) .它的优点是简单、稳定性好 ;缺点是产生的雾滴的直径范围很宽 (一般为 1～ 50 μm) ,进样效率低 ,一般仅为 1 %～3% [3] .热雾化器是近年发展起来的一种雾化效率较高的雾化法 ,已被越来越多地用于 ICP- AES[4～ 7] .热雾化法的雾化原理与同轴气动雾化法类似 ,不同之处在于 :对于热雾化法来说 ,(1 )雾化所需的气体来自于液体样品本身而不是外加的惰性…     

液态锂综合实验平台中液态锂流面与氩等离子体相互作用

介绍了由锂回路、直线等离子体装置及液态锂净化系统等组成的液态锂综合实验回路平台。研究了液态锂与高密度等离子体相互作用、液态锂与结构材料相容性、液态锂净化和液态锂回路热工水力学参数测量等问题。实验结果表明,流动液态锂的蒸发速率与放电电流、氩气流量及磁场强度呈正相关关系。由流动液态锂产生的锂蒸气在轴向分布不具规律性,在径向分布呈高斯分布。流动液态锂的蒸发速率随着实验时间的增长逐渐升高,并趋于稳定。磁场抑制了液态锂的流动性。在磁场和等离子体长时间的作用下,流动液态锂表面生成一层很薄的氧化锂。     

结构方程模型应用陷阱分析

结构方程模型近几年在我国心理学、管理学应用研究领域得到越来越多的应用,但部分应用者因其对其基本原理理解不够透彻导致误用或错用这种重要统计手段。本文通过结合实证研究实例对一些常见应用错误(问题)的分析揭示结构方程模型的原理,以期帮助应用者避免应用陷阱、提高实证研究水平。     

交变电场作用下单液滴蒸发的分子动力学模拟

利用分子动力学方法研究了正弦形式的交变电场对三维悬浮水滴在超临界氮气环境下蒸发特性的影响,主要考虑了电场幅值和频率对液滴蒸发寿命和液滴瞬时蒸发速率的影响.其中水滴由8000个水分子组成,环境气体由27000个氮气分子组成.首先利用分子动力学方法模拟计算了不同状态下水的物性参数以及亚临界条件下匀强电场对液滴蒸发特性的影响...     

甲基羟基铀酰离子与水的复分解反应

以醋酸铀酰为主要试剂, 在负离子检测模式下, 采用电喷雾串联质谱法制备了甲基羟基铀酰负离子. 实验发现, 气相中的甲基羟基铀酰离子与水分子发生分子离子复分解反应, 并用串联质谱法对反应产生的离子性产物进行了结构确认, 提出了反应的可能机理. 热力学计算结果表明, 该反应的ΔGReaction为-473.0 kJ/mol, ΔHReaction为-236.5 kJ/mol, ΔSSystem为0.792 kJ·mol-1·K-1. 该反应的速率常数为2.26 s-1.     

海洋放线菌Streptomyces sp.124092中的细胞毒活性成分

对海洋放线菌Streptomyces sp.发酵液的提取物进行柱层析分离, 得到5个化合物. 经MS, NMR, 1H-1H COSY, HSQC和HMBC等数据鉴定, 其结构分别为3-氨基-丙酸对甲苯酯(1)、6-Amino-3-(4-hydroxybenzyl)-1,4-diazonane-2,5-dione(2)、正丁基-α-D-吡喃甘露糖苷(3)、大豆苷元(4)和1H-3-吲哚甲酸(5). 其中化合物1和2为新化合物, 细胞毒活性测试结果表明, 化合物1~4对人肝癌细胞(SMMC-7721)具有不同程度的生长抑制活性.     

模型监控在预测中的应用

本文利用贝叶斯因子法讨论了一类贝叶斯动态模型的监控问题。     

掺铁InP肖特基势垒增强InGaAs MSM光电探测器

采用ＬＰ－ＭＯＶＰＥ方法及常规器件工艺制成了ＩｎＰ：Ｆｅ肖特基势垒增强ＩｎＧａＡｓＭＳＭ光电探测器。用自建测试系统对其直流和瞬态特性进行了测试，测试结果表明，器件的击穿电压大于１０Ｖ，２Ｖ偏压下暗电流为１７０ｎＡ，对应的暗电流密度约为３ｍＡ／ｃｍ２；瞬态响应中上升时间ｔｒ为２１ｐｓ，半高宽ＦＷＨＭ为７５ｐｓ。