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函数模型 函数y=x2+a2-λx(0〈λ〈1,a〉0,x〉0,a,λ是常数),当x=λa/1-λ2时,有极小值ymin=1-λ2·a. 相似文献
72.
73.
从简单的物理模型中提炼出物理量串并联关系中的数学共性并加以推广、应用。使得在大学物理教学中物理量串并联的物理意义更加明显地被学生所接受。 相似文献
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75.
2013年全国初中数学联赛试题中有如下一道条件求值问题:若正数a、b、c满足b2+c2-a22()bc2+c2+a2-b22()ca2+a2+b2-c22()ab2=3,求代数式b2+c2-b22bc+c2+a2-b22ca+a2+b2-c22ab的值.本刊2013年5月下第28页给出了组委会提供的反证法,但是一般学生不易想到,现在提供一种大多数学生想得到,易操作的因式分解法.供参考与欣赏.解易知条件(b2+c2-a22bc)2+(c2+a2-b22ca)2+(a2+b2-c22ab)2-3=0.[(b2+c2-a22bc)2-1]+[(c2+a2-b22ca)2-1]+[(a2+b2-c22ab)2-1]=0.(b2+c2-a22bc+1)(b2+c2-a22bc-1)+(c2+a2-b22ca+1)(c2+a2-b22ca-1)+(a2+b2-c22ab+1)(a2+b2-c22ab-1)=0. 相似文献
76.
Fabrication of GaN-based LEDs with 22° undercut sidewalls by inductively coupled plasma reactive ion etching*
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We use a simple and controllable method to fabricate GaN-based light-emitting diodes (LEDs) with 22° undercut sidewalls by the successful implementation of the inductively coupled plasma reactive ion etching (ICP-RIE). Our exper- iment results show that the output powers of the LEDs with 22° undercut sidewalls are 34.8 rnW under a 20-mA current injection, 6.75% higher than 32.6 mW, the output powers of the conventional LEDs under the same current injection. 相似文献
77.
Influences of the Si doping on the structural and optical properties of the InGaN epilayers are investigated in detail by means of high-resolution X-ray diffraction (HRXRD), photolumimescence (PL), scanning electron microscope (SEM), and atomic force microscopy (AFM). It is found that the Si doping may improve the surface morphology and crystal quality of the InGaN film and meanwhile it can also enhance the emission efficiency by increasing the electron concentration in the InGaN and suppressing tile formation of V-defects, which act as nonradiative recombination centers in the InGaN, and it is proposed that the former plays a more important role in enhancing the emission efficiency in the InGaN. 相似文献
78.
79.
用干压法制备了Ni-BaCe0.9Nd01O3-δ多孔金属陶瓷阳极,并在阳极基膜上制备出致密的BaCe0.9Nd0.1O3-δ固体电解质薄膜.薄膜的厚度约为40 μm,致密均匀.测定了多层膜结构BaCe0.9Nd0.1O3-δ在干燥氮气/湿润氢气气氛中的电导率,结果表明其电导率要比厚膜BaCe0.9Nd0.1O3-δ和SrCe0.95Y0.05O3-δ(SCY)要高.将多层膜材料用于固态质子传导电池中,在常压下以氮气和氢气为原料合成了氨气.结果表明,与SCY固体电解质比较,氨的产率提高了一个数量级以上. 相似文献
80.
SrCe_(0.95)Y_(0.05)O_3-δ在中温区的电化学性质及其在常压合成氨中的应用 总被引:13,自引:0,他引:13
SrCe0.95Y0.05O3-δ是一种高温质子导体,本研究采用溶胶—凝胶法合成了 SrCe0.95Y0.05O3-δ纳米粉体,并以该粉体烧制得固体复合氧化物电解质陶瓷,测 定了其在中温区间(400-600℃)的电导率,结果表明不同气氛对其电导率有很大影 响.用该陶瓷在固态质子传导电他中常压下以氮气和氢气为原料合成了氨,并研究 了影响氨合成的关键因素,确定了合适的工作温度,在常压下480℃时氨的产率可 达10^-9mol/(s.cm^-2)以上. 相似文献