高质量立方相ZnMgO的制备与紫外受激发射特性研究

利用脉冲激光沉积（PLD）设备在蓝宝石衬底上制备了高质量Zn_1-xMg_xO单晶薄膜,并对其结构和光学特性进行了深入细致的研究。通过能量衍射谱（EDS）确认Zn_1-xMg_xO薄膜的Mg组分为45%。在Zn_0.55Mg_0.45O薄膜的X射线衍射谱（XRD）中观测到了明显的位于36.67°的衍射峰,对应的是（111）晶向的立方相ZnMgO。从透射光谱中可以看出,Zn_0.55Mg_0.45O具有陡峭的吸收边,没有发生相分离,在透射电镜图谱中也得到了证实。该ZnMgO薄膜还表现出了优异的光学特性,在Zn_0.55Mg_0.45O材料体系中实现了峰位位于310 nm的紫外光泵浦受激发射,其激光发射的阈值仅为22 kW/cm²。     

Superconducting phase qubits with shadow-evaporated Josephson junctions

We develop a fabrication process for the superconducting phase qubits in which Josephson junctions for both the qubit and superconducting quantum interference device(SQUID) detector are prepared by shadow evaporation with a suspended bridge. Al junctions with areas as small as 0.05 μm~2 are fabricated for the qubit, in which the number of the decoherencecausing two-level systems(TLS) residing in the tunnel barrier and proportional to the junction area are greatly reduced. The measured energy spectrum shows no avoided crossing arising from coherent TLS in the experimentally reachable flux bias range of the phase qubit, which demonstrates the energy relaxation time T_1 and dephasing time T_φ on the order of 100 ns and 50 ns, respectively. We discuss several possible origins of decoherence from incoherent or weakly-coupled coherent TLS and further improvements of the qubit performance.     

给定极点的有理函数插值序列的收敛性

设Γ∈Ｃ（１，α），α＞０．Ｇ是复平面上以Γ为边界的有界单连通区域．本文考虑了极点位于G外部，以广义Ｆａｂｅｒ-Ｄzｒｂａsｊａｎ有理函数的零点为插值结点的Ｌａｇｒａｎｇｅ插值有理函数序列对Ａ（G）和Ｅ^ｑ（Ｇ）（１＜ｑ＜＋∞）中函数的一致逼近和平均逼近阶的估计．     

小净距公路隧道稳定性数值模拟分析

常(德)-吉(首)高速公路上的阿娜隧道是因隧道净距小,双洞间影响较大,故应用二维弹塑性有限元分析方法对其稳定性进行分析研究,计算了衬砌和围岩的内力与位移,进行了变形性状的分析,为高速公路类似的小净距隧道工程设计、施工提供一定的科学依据和参考价值。     

反相高效液相色谱法测定唾液和血清咖啡因浓度及药代动力学参数的研究

用反相高效液相色谱法测定４０只Ｗｉｓｔａｒ雄性大鼠和２４例健康人静注咖啡因（ＣＡＦ）ｌｍｇ／ｋｇ或口服４ｍｇ／ｋｇ后血清及唾液ＣＡＦ浓度,并根据血药或唾药时间数据计算其药动学参数。大鼠的血夯时间数据符合二室开放模型。各肝损害组与正常组（每组１０只）的ｔ＿（１／２）β,Ｖ＿ｃ,Ｋ＿（２１）差异显著（均Ｐ＜０．０１＝。提示血清ＣＡＦ药动学参数可定量检测肝代谢功能。２４例健康人唾液与血清ＣＡＦ浓度及ｔ＿（ｌ／２）均有良好相关性（ｒ＝０．９７２２,ｎ＝１２０,Ｐ＜０．００１;γ＝０．９９５５,Ｐ＜０．００１。     

高色域量子点LED及其在背光显示中的应用研究

量子点因其独特优异的光学特性而被广泛应用于发光领域,其中最突出的特点是光谱调谐方便,只需要改变材料的尺寸,就可实现发光光谱的调谐。结合实际应用的需要,选取CdSe材料作为主要研究对象,通过改进工艺,采用希莱克技术隔绝水氧,使用高温热注入法,调整原料中镉源和锌源,硒源和硫源的比例,获得了尺寸分别约为6.0和4.2 nm,发光峰分别为625和525 nm,半高宽分别为30和28 nm,荧光量子产率分别达到82%和61%的粒径均一、色纯度高且高效稳定核壳结构CdSe/ZnS红光和绿光量子点材料。然后对量子点LED在背光显示中的应用进行了研究,采用合成的红光和绿光量子点材料替代传统工艺中的荧光粉材料,通过改进封装方式,对量子点光转换层采用双层环氧树脂AB胶保护,同时引入PMMA透镜包覆,从根本上隔绝水氧。最终得到的量子点白光LED,红绿蓝光发射峰分别为630, 535和453 nm,半高宽别为20, 28和30 nm,三段光谱发射峰两侧对称性良好,有效解决了传统荧光粉白光LED在红色光谱波段缺失的问题,并同时实现了单色性好、色纯度高、色彩饱和度高等优点。在LED积分球光色电测试系统中20 mA电流条件下测试,得到了CIE色坐标为(0.329, 0.324)的白光量子点LED,这是非常接近标准白光的色坐标。其色温为5 094 K,光效达到94.72 lm·W-1,显色指数Ra可达78.6,寿命超过400 h。最后对量子点LED灯条进行封装得到背光源,根据测试获取的白光量子点LED发射光谱,可以得到sRGB颜色三角形,即色域,通过对比NTSC1931标准色域,得到了色域覆盖率可以达到109.7%的高色域量子点LED背光源。开发的LED背光由240个白光量子点LED制成,并且首次成功演示了29英寸液晶电视面板,这一结果将进一步开发量身定制的量子点,特别是在高性能显示器应用领域。     

二次函数图象的一个几何性质及应用

文[1]由二次函数的两点式导出了二次函数图象的一个几何性质,巧妙的探讨了抛物线弓形面积问题,本文换种思路给出这一几何性质的证明,并用它证明抛物线的一组性质,较常规解法显得既新颖又美妙.定理直线l与抛物线y=ax²(a>0)交于点A,B,点P在抛物线上,点C在直线AB上,PC//y轴,点A,B到直线PC的距离分别为,直线l的倾斜角为θ,斜率为k,则PC=amn=acos²θ·AC·CB=a/1+k²·AC·CB.     

Fabrication of GaN-based LEDs with 22° undercut sidewalls by inductively coupled plasma reactive ion etching＊

We use a simple and controllable method to fabricate GaN-based light-emitting diodes （LEDs） with 22° undercut sidewalls by the successful implementation of the inductively coupled plasma reactive ion etching （ICP-RIE）. Our exper- iment results show that the output powers of the LEDs with 22° undercut sidewalls are 34.8 rnW under a 20-mA current injection, 6.75% higher than 32.6 mW, the output powers of the conventional LEDs under the same current injection.     

Influence of Si doping on the structural and optical properties of InGaN epilayers

Influences of the Si doping on the structural and optical properties of the InGaN epilayers are investigated in detail by means of high-resolution X-ray diffraction （HRXRD）, photolumimescence （PL）, scanning electron microscope （SEM）, and atomic force microscopy （AFM）. It is found that the Si doping may improve the surface morphology and crystal quality of the InGaN film and meanwhile it can also enhance the emission efficiency by increasing the electron concentration in the InGaN and suppressing tile formation of V-defects, which act as nonradiative recombination centers in the InGaN, and it is proposed that the former plays a more important role in enhancing the emission efficiency in the InGaN.     

两道课外练习题的别证

贵刊2010年3月下的课外练习题中有如下两题.原提供者给出的解法较繁,今给出如下简证,供同学们学习时参考.题1如图1,四边形ABCD是直角梯形,且