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51.
52.
电源(电池)是把其他形式的能转化为电能的装置,电动势是电源的一种基本属性,但除了电动势外电源还有内阻及允许通过的最大电流等属性.如果只测定电源电动势而不知道其内阻,在理论上和实际应用中一般情况下都是意义不大的,并不能完全反映电源的本质. 相似文献
53.
通过对迈克耳孙干涉仪干涉原理和干涉光路的分析,得到了接收屏上的各级干涉条纹方程,在此基础上对干涉条纹的形状进行了模拟和讨论. 相似文献
54.
55.
以沸石咪唑类金属有机骨架(ZIF-67)为模板合成了一种新型的中空吸附剂NiCo-LDH@ZIF-67,该吸附剂对甲基橙具有良好的选择吸附性以及可循环性。 通过扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线粉末衍射仪(XRD)、红外光谱、电子能谱和氮气吸附-脱附等手段对样品进行了表征。 研究了溶液的pH值、甲基橙的初始浓度以及染料与吸附剂作用时间对NiCo-LDH@ZIF-67吸附性能的影响。 结果表明,该吸附剂对甲基橙的吸附动力学符合准二级动力学模型,且吸附等温线符合朗缪尔方程。 当pH值等于4, 吸附时间15 min,吸附剂用量为2400 mg/L时,该吸附剂对甲基橙的最大吸附量可达1766 mg/g,高于之前文献报道的类似吸附剂。 此外,NiCo-LDH@ZIF-67能从甲基橙和亚甲基蓝的混合溶液中选择性吸附甲基橙。 相似文献
56.
甲醇合成Cu/Zno催化剂前驱体的物相转变 总被引:1,自引:0,他引:1
采用共沉淀法制备Cu/ZnO合成甲醇催化剂,重点考察了Cu/Zn母料老化期间pH值的变化情况,并结合X射线衍射(XRD)、红外光谱、微分热重分析、程序升温脱附和扫描电镜等表征于段研究了不同老化时间前驱体物相的变化.结果表明,老化前,前驱体主要以无定形碱式碳酸盐的形式存在;老化过程中,物相由无定形向晶体转变,铜锌开始掺入相应的碱式碳酸盐,此时母液pH值下降,溶液由蓝色变成蓝绿色.随着老化时间的增加,铜锌掺入量增加,晶粒逐渐长大,最终形成大量能生成高活件催化剂的前驱体物相(Cu,Zn)2(CO3)(OH)2和(Cu,Zn)5(CO3)2(OH)6.XRD结果表明,老化时间对催化剂的CuO晶粒大小影响很大. 相似文献
57.
58.
Algorithm Study on Reconstruction of Refractive Angles in Fan Beam Diffraction Enhanced Computed Tomography 下载免费PDF全文
Based on the 360° computing method of refractive angle for parallel beam diffraction enhanced imaging computed tomography (DE-CT) technique, a new algorithm used to calculate the refractive angle for fan-beam DE-CT technique is developed. The refractive index gradient can be obtained by using the new algorithm with projection data of an object in the range of 0 - 360°, and the new algorithm only needs to set the analyser at half slope position of the rocking curve. 相似文献
59.
超声波在液体中的传播速度与温度的关系 总被引:4,自引:3,他引:1
根据超声光栅的原理,在分光计上测出了超声波在不同温度下的纯净水中的传播速度.通过最小二乘法进行数据拟合,得到了传播速度与温度的近似公式. 相似文献
60.
Barrier Enhancement Effect of Postannealing in Oxygen Ambient on Ni/AIGaN Schottky Contacts 下载免费PDF全文
Al0.2 Ga0.8N/GaN samples are grown by metalorganic chemical vapour deposition (MOCVD) method on (0001) sapphire substrates. A 10nm-thick Ni layer is deposited on AlGaN as the transparent Schottky contact. The effect of postannealing in oxygen ambient on the electrical properties of Ni/AlGaN is studied by current-voltage- temperature (I-V-T) measurement. The annealing at a relatively low temperature of 300℃ for 90 s results in a decrease of the ideality factor from 2.03 to 1.30 and an increase of the Schottky barrier height from 0.77eV to 0.954 e V. The I-V-T analysis confirms the improvement originated from the formation of NiO, a layer with higher resistance, which could passivate the surface states of AlGaN and suppress the tunnelling current. Furthermore, the annealing also leads to an increase of the transmittance of the contacts from 57.5% to 78.2%, which would be favourable for A1GaN-based photodetectors. 相似文献