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采用简单浸渍的方法对BiVO4光阳极进行表面钨(W)掺杂,以环丙沙星(CIP)为药品和个人护理产品(PPCPs)模型污染物,研究了W掺杂BiVO4光阳极降解CIP的表面态行为。结果表明,低浓度W掺杂对BiVO4光阳极的晶体结构、表面形貌和光吸收性能没有显著影响。但W掺杂取代了BiVO4光阳极表面的V5+,能抑制BiVO4光阳极表面V5+/V4+还原过程,减少复合中心表面态,同时引入更多氧空穴,增加活性位点表面态。CIP的降解反应受表面活性位点控制。表面W掺杂能有效促进CIP降解的电荷转移,提高BiVO4光阳极光电催化降解性能。 相似文献
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土工聚合物减小土体差异沉降的机理及最佳埋置深度的计算 总被引:4,自引:1,他引:3
以弹性理论为基础,分析讨论了利用土工聚合物减小土体差异沉降的机理和土工聚合物最佳埋置深度的确定方法. 相似文献
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在任何一本物理学书中,几乎都有对于载流螺线管的磁场的叙述.然而这些书中着重描写的大多是关于螺线管内部的磁场,对于螺线管外的磁场这个问题,尚有进一步讨论之必要.一、问题的提出 有这样一个问题: 在载流螺线管外面环绕一周(见图11)的环路L上,φB·dl等于多少?[1] 对于这个问题,通常有两种解释,一曰:如果螺线管是密绕的,那末φB· dl= 0;二曰:如果认为螺线管并非理想的密绕,必有漏磁通存在,因而中φB·dl=u0i(其中i为导体中通过的电流).这两种解释那个正确呢?一般说来,在处理有关载流螺线管的问题时,在未加特别说明的情况下,大多认为是… 相似文献
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