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402.
基于建立的不同工艺尺寸的CMOS器件模型,利用TCAD器件模拟的方法,针对不同工艺CMOS器件,开展了不同工艺尺寸CMOS器件单粒子闩锁效应(SEL)的研究。研究表明,器件工艺尺寸越大,SEL效应越敏感。结合单粒子闩锁效应触发机制,提出了保护带、保护环两种器件级抗SEL加固设计方法,并通过TCAD仿真和重离子试验验证防护效果,得出最优的加固防护设计。结果表明,90 nm和0.13 m CMOS器件尽量选用保护带抗SEL结构,0.18 m或更大工艺尺寸CMOS器件建议选取保护环抗SEL结构。 相似文献
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一种改进的2n因子乘积形式的逆矩阵求解算法 总被引:3,自引:0,他引:3
复杂结构的有限元分析需要耗费巨大的内存和计算机时间.在此过程中,有限元线性方程组的求解时间占很大比例,因此,发展高效的线性方程组求解算法是提高有限元分析效率的关键.针对矩阵求逆问题,该文将有限元方程组的系数矩阵视为等分块矩阵,并基于等分块矩阵的概念推广了传统的逆矩阵的n因子和2n因子乘积形式.推广后得到的这组乘积形式在适当条件下又分别可以退化到传统的逆矩阵的n因子和2n因子乘积形式.应用基于推广后得到的这组乘积形式的求逆算法来求解板材冲压成形有限元数值模拟中的大型有限元线性方程组,结果表明,该算法可以显著地提高大型有限元线性方程组的求解效率。 相似文献