教材中略谈的高考重要元素:铬元素

铬元素的知识在化学课程标准和考试大纲中均无具体要求,在不同教材中只是略谈.然而,该部分知识却是高考中能力考查的良好载体.通过对近几年高考题分析,整理出铬元素知识要点,以利于中学师生提高复习效率.     

积雪草中五种微量元素的形态分析

按照传统煎煮法对积雪草中铁、锰、锌、铜和锶5种元素进行提取,用微孔滤膜分离提取液中的可溶态与悬浮态,利用阳离子交换树脂柱、大孔吸附树脂柱和螯合树脂柱对可溶态中的游离态和非游离态、有机态和无机态、稳定态和不稳定态进行分离后,采用火焰原子吸收光谱法(FAAS)对各种形态中的上述5种元素进行测定。结果显示,积雪草中5种元素的提取率为11.88%～22.86%,浸留比为14.04%～31.44%。该法测定各元素的回收率为95.6%～104.3%,相对标准偏差在0.37%～1.14%之间,具有较好的精密度和准确度。     

Different influences of Schottky metal on the strain and relative permittivity of barrier layer between AIN/GaN and AIGaN/GaN heterostructure Schottky diodes

Ni/Au Schottky contacts on AlN/GaN and AlGaN/GaN heterostructures are fabricated. Based on the measured current-voltage and capacitance-voltage curves, the polarization sheet charge density and relative permittivity are analyzed and calculated by self-consistently solving Schrodinger＇s and Poisson＇s equations. It is found that the values of relative permittivity and polarization sheet charge density of AlN/GaN diode are both much smaller than the ones of AlGaN/GaN diode, and also much lower than the theoretical values. Moreover, by fitting the measured forward 1-V curves, the extracted dislocations existing in the barrier layer of the AlN/GaN diode are found to be much more than those of the AlGaN/GaN diode. As a result, the conclusion can be made that compared with AlGaN/GaN diode the Schottky metal has an enhanced influence on the strain of the extremely thinner AlN barrier layer, which is attributed to the more dislocations.     

双功能金属卟啉催化环氧化合物与 CO2 偶联反应合成环碳酸酯

 合成了新颖的双功能水溶性金属卟啉 催化剂 M(TTMAPP)I4(X) (M = Co, Fe, Mn 和 Cr; X = OAc, CF3COO, CCl3COO, OTs, Cl, Br 和 I), 研究了它们催化 CO2 与末端环氧化合物合成环碳酸酯的偶联反应. 分别考察了反应温度、不同金属的 Lewis 酸中心、抗衡离子和催化剂重复使用次数对反应性能的影响. 当以 Co(III)(TTMAPP)I4(OAc) 为催化剂, 底物与催化剂摩尔比为 1 000, 温度为 353 K, CO2 压力为 667 kPa 和无溶剂条件下, 反应 5 h 时丙烯环碳酸酯收率为 95.4%. 在 298 K, 底物与催化剂之比为 2 000 时, 加入 1 ml 甲醇, 反应 24 h 丙烯环碳酸酯收率为 19.4%. 催化剂可以用乙醚回收, 循环使用 5 次后催化剂活性没有明显降低.     

环戊烷/环己烷溶剂体系下溶聚丁苯橡胶结构与性能研究

以正丁基锂(n-BuLi)为引发剂,环己烷/环戊烷为溶剂,合成了溶聚丁苯橡胶(SSBR),并对反应过程中的现象、橡胶的结构与性能进行了研究。结果表明,用不同的结构调节剂并改变配比及用量,对共聚物中1,2-结构含量,二者相差不大,但是嵌段苯乙烯含量环戊烷体系明显低于环己烷体系。不同温度、不同调节剂配比下,两种体系下分子量相差不大,分子量分布趋同,物理机械性能也非常接近。     

溶剂热法合成CdS纳米晶及其光学性质研究

以硫脲和醋酸镉为原料,采用溶剂热法在不同的反应介质和温度下合成了CdS纳米晶,比较了单胺与双胺对合成CdS纳米晶形貌的影响。采用透射电镜(TEM)、X射线粉末衍射仪(XRD)和荧光分光光度计(PL)对合成的CdS纳米晶结构和光学性能进行表征。结果表明:反应温度和反应介质对其形貌有影响,在双胺的条件下,60℃时合成了纯相的六方相CdS纳米棒;双胺条件下更易生成纳米棒,且高温下晶体的结晶性更好。PL分析表明,水(溶剂)热法制备的CdS的荧光光谱图与大多数CdS类似,均在440~480 nm和550 nm处存在发射峰,但较宽的发射峰蓝移说明材料的光学性质受到材料形貌和制备方法的影响。     

第十五次全国电化学会议在长春召开

由中国化学会主办,吉林大学承办,中国科学院长春应用化学研究所协办的第十五次全国电化学学术会议于2009年12月16—20日在吉林大学举行．全国电化学学术会议是国内规模化、系列化的学术会议之一,每两年举办一次．此次会议有大陆和海外从事电化学基础研究、应用研究、仪器开发的学者以及产业界的专家近千余名代表参加．     

W掺杂ZnO透明导电薄膜的理论及实验研究

本文从理论与实验两方面入手, 对高价态差金属W掺杂ZnO (WZO) 薄膜材料的特性进行分析讨论. 采用基于密度泛函理论的平面波赝势方法对WZO材料特性进行理论分析, 计算结果表明: W以替位形式掺入ZnO六角纤锌矿晶格结构中, 由于W-O键的键长较长引起晶格常数增加, 产生晶格畸变; 掺杂后费米能级进入导带, 其附近的导电电子主要由W 5d, O 2p及Zn 3d电子轨道提供, 材料表现出n型半导体的特性; 同时能带简并效应使其光学带隙展宽. 为进一步验证该理论分析结果的适用性, 本文采用脉冲直流磁控溅射技术进行了本征ZnO及WZO薄膜的实验研究, 结果表明: W掺入未改变ZnO的生长方式, 但引起薄膜的晶格常数增加, 电阻率由本征ZnO的1.35× 10^-2 Ω·cm减小到1.55× 10^-3 Ω·cm, 光学带隙由3.27 eV展宽到3.48 eV. 制备的WZO薄膜在400-1100 nm的平均透过率大于83%. 实验结果对理论计算结果进行了验证, 表明WZO薄膜作为透明导电薄膜的应用潜力.     

大视场空间对地遥感卡塞格林光学系统设计

设计了用于空间对地遥感的卡塞格林光学系统,系统的焦距为1000mm,F=5．6,光谱范围0．4～O．9μm,视场为3°,畸变小于1％。采用CODEV软件优化出两种系统结构形式,这两种结构形式的光学传递函数都接近衍射极限。将第二种形式的主镜的抛物面改成双曲面,并在校正组中引入了两个高次非球面,校正透镜组减少了两片透镜,其结构简单、体积小、重量轻,更适用于空间遥感应用环境。     

Robust stabilization of state delayed discrete-time Takagi-Sugeno fuzzy systems with input saturation via an anti-windup fuzzy design

We consider the robust stabilization problem for discrete-time Takagi-Sugeno(T-S) fuzzy systems with timevaried delays subjected to input saturation.We design static and dynamic anti-windup fuzzy controllers to ensure the convergence of all admissible initial states within the domain of attraction.Based on the project lemma and classical sector conditions,the conditions for the existence of solutions to this problem are obtained and expressed in terms of a set of linear matrix inequalities.Finally,a numerical example is provided to illustrate the effectiveness of the proposed design approach.