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31.
针对激光混沌保密通信系统中混沌信号接收双方硬件参数难以完全匹配的问题,用长短期记忆神经网络对发射端产生的大量混沌加密信号和部分载波信号进行充分训练,最终得到一个与发射端激光器系统高度相似的神经网络模型,并用此非线性模型代替接收端进行解密,实现了2 Gbit/s的混沌同步通信。该方法明显降低了混沌同步的复杂性。探讨了不同节点数量、耦合系数以及信噪比对于同步通信的影响,结果表明同步系数可以高达0.999 966,均方根误差达到10-3量级,误码率低至10-10量级。最后通过图像传输系统验证了方案的可行性。 相似文献
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用紫外可见光谱(UV/Visible Spectra)测试并研究了坩埚下降法生长的LiNbO3、Fe:LiNbO3,以及Zn:Fe:LiNbO3晶体的吸收特性。分析了产生这些吸收特性的原因以及与工艺生长方法的内在联系。研究结果表明:LiNbO3单晶沿晶体生长方向,其紫外吸收边向长波方向移动,且在350—450nm波段的吸收也逐渐增大,这是由于Li的分凝与挥发,逐渐产生缺锂所造成的;在Fe:LiNbO3单晶中观察到Fe^2 离子在480nm附近的特征吸收峰,并发现沿生长方向,Fe^2 离子的浓度逐渐增加,这与提拉法生长得到的晶体不同;在Fe:LiNbO3单晶中掺入质量分数为1.7%ZnO后,吸收边位置发生蓝移,而掺杂质量分数达到3.4%时,观察到有红移现象。Fe^2 离子在Zn:Fe:LiNbO3单晶中的浓度与ZnO掺杂量有密切关系。在掺杂质量分数1.7%ZnO的Fe:LiNbO3单晶中,Fe^2 离子从底部到顶部的浓度变化比在掺杂质量分数3.4%ZnO晶体中大,这是由于Zn^2 抑制Fe^2 离子进入Li位的能力随掺杂量的增加而逐渐减弱造成的。就该下降法工艺技术对Fe^2 离子在晶体中的浓度分布的影响作了分析。 相似文献
35.
A novel design of a transverse magnetic (TM)-pass waveguide polarizer based on Si on an X-cut, Y-propagatiou Ti:LiNbO3 planar waveguide is presented. The eigenvalue functions of such structure have been obtained by using Wenzel-Kramers-Brillouin (WKB) method with modified Airy functions. The intervals of the silicon thickness have been found which result in transverse electric (TE) light suffering strong attenuation while TM wave propagating with fairly low loss. A planar waveguide polarizer is fabricated and its polarization-dependent measurements lead to the best polarization extinction ratio ~ 34 dB and the insertion loss < 0.4 dB. 相似文献
36.
针对拼接式大口径望远镜主镜,提出一种基于迈克尔逊干涉原理基础上的宽带光谱(白光)干涉检测方法,对拼接子镜间相位误差进行实时检测,进而对失调子镜进行相应校正,以实现拼接子镜的共面排布。子镜间相位误差通过干涉图形间的不匹配性进行提取。应用双中心波长组合白光源来提高白光中心条纹的可见度,通过理论仿真,对不同中心波长组合的白光中心条纹可见度进行比较,结果表明:该双中心波长组合白光源系统的应用,可以提高白光干涉中心条纹的信号分辨能力,借以提高检测精度,使得该白光干涉检测系统对拼接子镜间的相位失调误差进行高精度提取。 相似文献
37.
针对大口径望远镜拼接式主镜,提出一种基于迈克尔逊干涉原理的低相干光谱干涉检测系统.应用该系统对拼接子镜间相位失调误差进行实时检测,进而对失调子镜进行相应校正,以实现拼接子镜的共面排布.子镜间相位误差通过干涉图形间的不匹配性进行提取.给出了该低相干光谱干涉检测系统的具体结构,叙述了该干涉检测系统的检测原理.针对该系统的干涉条纹对比度V及系统的最低信噪比SNRdBmin进行了分析,论证了通过该低相干光谱干涉检测系统进行子镜间相位误差检测的可行性. 相似文献
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39.
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We investigated the effect of low temperature annealing on magnetic anisotropy in 7-nm ultrathin Ga0.94Mn0.06As devices by measuring the angle-dependent planar Hall resistance(PHR).Obvious hysteresis loops were observed during the magnetization reversal through the clockwise and counterclockwise rotations under low magnetic fields(below 1000 Gs,1 Gs = 10-4 T),which can be explained by competition between Zeeman energy and magnetic anisotropic energy.It is found that the uniaxial anisotropy is dominant in the whole measured ferromagnetic range for both the as-grown ultrathin Ga0.94Mn0.06As and the annealed one.The cubic anisotropy changes more than the uniaxial anisotropy in the measured temperature ranges after annealing.This gives a useful way to tune the magnetic anisotropy of ultrathin(Ga,Mn)As devices. 相似文献