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利用Simple算法对流体力学基本方程组进行了数值模拟,初步研究了局部行波对流斑图选择的初值依赖性问题。分离比ψ-(28)6.0、相对瑞利数r(28)2.1时依赖于初值的有间歇性缺陷的行波,位于腔体右端的局部行波和位于腔体左端的局部行波的多重稳定性;分离比ψ(28)-0.6、相对瑞利数r在1.855~2.118范围内依赖于初值的位于腔体右端的局部行波和位于腔体左端的局部行波的多重稳定性等。虽然在不同初值下,局部行波存在的区间有所不同,局部行波的空间位置有所不同,但局部行波的特性参数变化规律基本一致。结果说明混合流体局部行波对流斑图选择的初值依赖性是存在的。 相似文献
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通过羧基与基底表面的相互作用, 将5,10,15,20-四-(羧酸苯基)卟啉(TCPP)超薄膜成功地组装在金属基底和非金属基底表面, 并采用紫外光谱和表面拉曼增强散射光谱系统地研究了自组装膜中卟啉分子的聚集形态、结构、自组装过程的驱动力及取向. 结果显示, 超薄膜组装在金属基底上时, 出现部分卟啉发生金属化; 而组装在非金属基底上时, 由于三甲氧基硅烷(APTMS)的无序排列, 自组装膜中的卟啉环没有特定取向. 相似文献
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应用基于嵌入式压强-力迭代的高精度浸入边界法研究等间距并列三圆柱涡激振动。其中,雷诺数Re=100,间距比T/D=2.0~5.0,圆柱质量比m*=2.0,折合流速Ur=2.0~10.0,忽略振动系统的阻尼且三圆柱仅横向振动。研究发现,圆柱的振动响应随折合流速的增加呈现初始响应分支和下端响应分支两种模式;振幅响应出现不连续现象,且随着间距比的增加,该不连续现象对应的折合流速增加;尾流模式与间距比和折合流速密切相关。共发现六种尾流形态,分别为窄宽窄尾流、不规律尾流、反相同步尾流、调制尾流、同相同步尾流和偏斜尾流。总结并绘制了尾流形态在参数空间[Ur,T/D]内的分区图。 相似文献
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Doped Polycrystalline 3C-SiC Films Deposited by LPCVD for Radio-Frequency MEMS Applications 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
Polycrystalline 3C-SiC films are deposited on SiO2 coated Si substrates by low pressure chemical vapour deposition (LPCVD) with C3H8 and SiH4 as precursors. Controlled nitrogen doping is performed by adding NH3 during SiC growth to obtain the low resistivity 3C-SiC films. X-ray diffraction (XRD) patterns indicate that the deposited films are highly textured (111) orientation. The surface morphology and roughness are determined by scanning electron microscopy (SEM) and atomic force microscopy (AFM). The surface features are spherulitic texture with average grain size of 100nm, and the rms roughness is 20nm (AFM 5×5 μm images). Polycrystalline 3C-SiC films with highly orientational texture and good surface morphology deposited on SiO2 coated Si substrates could be used to fabricate rf microelectromechanical systems (MEMS) devices such as SiC based filters. 相似文献
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