溶剂热法制备Cd(OH)_2和CdO纳米盘研究性实验

利用溶剂热法设计了合成Cd(OH)2和CdO纳米盘的研究性实验.以Cd(CH3COO)2等为镉源,与NaOH在水和乙二醇的混合溶剂中反应得到Cd(OH)2纳米盘(中间镉产物),后在高温下煅烧中间产物分解得到CdO纳米盘.该实验有助于理解溶剂热法中各实验参量的作用以及如何通过调节各实验参量最终得到目标产物.     

水热法合成FeS2粉晶及其生长热动力学的研究

采用溶胶-凝胶水热法合成了单相黄铁矿结构的FeS2粉晶.用x射线衍射、傅氏变换红外光谱等分析手段对FeS2粉晶进行了表征,以简化的数学模型及相变理论讨论了晶体生长过程.结果表明:FeS2晶粒的生长过程属于相变与扩散的混合机制,符合经时间指数修正的二次方动力学方程,是一个生长速率随时间变化的过程;水热晶化温度高于453 K、反应时间超过18 h且有适量的硫参与反应时,可得到单相的黄铁矿型的FeS2.该过程可分为三个阶段:前期为白铁矿和黄铁矿的成核孕育阶段,中期为FeS2晶核以黄铁矿吞并白铁矿的相变方式逐渐长大的阶段,后期为小晶粒融合而大晶粒继续长大的扩散生长过程.     

基于LabVIEW平台的电化学测试系统的构建

本文基于LabVIEW虚拟仪器开发平台,通过AD/DA接口板,开发实现了一套计算机控制的电化学测试系统.本系统通过计算机向测试系统发送外控极化信号,同时对极化电压和极化电流等实验数据进行自动采集、实时显示以及保存.在目前的工作中,系统实现了单程线性电势扫描伏安法和循环伏安法这两种最常用的电化学测试技术.利用开发的电化学测试系统对一些典型样品的极化曲线进行了测试,结果显示系统工作良好,数据准确.     

EDTA辅助水热合成FeS2/NiSe2复合纳米晶及其薄膜光电性质

以EDTA为螯合剂,加入MX2结构化合物NiSe_2作为晶种,水热合成了FeS_2 纳米晶 .x射线衍射分析结果表明产物为单一相黄铁矿型FeS_2 (pyrite) ,平均粒径约 4 0— 5 0nm .丝网印刷成膜且高温退火后FeS_2 薄膜光学直接带隙变宽 .随晶种量的增加 ,吸收边在紫外—可见光谱区红移、方块电阻升高、霍尔迁移率上升和载流子浓度下降 ,实现了n型掺杂 .并且对FeS_2 的形成机理进行了讨论     

丝网印刷FeS2（pyrite）薄膜的结构及光电性能

采用丝网印刷方法制备了FeS₂(pyrite)薄膜，用x射线衍射确定了样品FeS₂(pyrite)薄 膜的 晶体结构，并用Rietveld方法对样品的结构进行了精修，确定了样品的点阵常数、键长、键 角、硫原子占位等结构参数.研究了膜厚对方块电阻、载流子浓度、霍尔迁移率、光能隙等 光电参数的影响. 关键词： 丝网印刷 薄膜 结构 Rietveld方法 光电性能     

近距离升华沉积CdTe掺Cd薄膜的微结构和电学、光学特性

采用近距离升华技术制备了掺杂Cd元素的CdTe多晶薄膜.利用X射线衍射仪和扫描电子显微镜表征其微结构,用霍尔效应测试仪和紫外可见分光光度计分析其电学、光学特性.结果显示,适量的掺杂Cd元素可改善CdTe薄膜晶形,显著提高薄膜的电导特性,由弱的p型电导转变为导电性能良好的n型电导,但对光能隙影响不大. 关键词： 近距离升华 CdTe薄膜 掺杂Cd 电学和光学特性     

Er3+注入CdTe薄膜的结构和光电性能研究

采用离子注入技术对近距离升华制备的CdTe薄膜进行Er3+掺杂研究.讨论了不同掺Er3+浓度对CdTe薄膜的结构和光电性能的影响.利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、紫外-可见分光光度计、霍耳效应测试系统和复阻抗分析仪对样品进行测试.结果表明,适当的掺杂量可以改善CdTe薄膜的结晶性能,降低晶界势垒高度,提高其导电性能.在一定掺杂范围内掺Er3+对CdTe薄膜的光能隙影响不大.     

化学气相沉积法制备GaN纳米结构设计性实验

在无催化剂辅助条件下,采用化学气相沉积法生长了GaN纳米线.通过调整衬底、NH3气流、生长时间等,实现了半导体GaN纳米线的生长以及形貌调控.用X射线衍射仪和扫描电子显微镜对产物的物相及形貌进行了表征.获得了合成GaN纳米线的优化条件.     

SnS片状纳米晶的制备及其表征

用水热法制备了SnS片状纳米晶.通过X射线衍射(XRD),扫描电子显微镜(SEM),透射电子显微镜(TEM),X射线能谱(EDS)等方法对所制备的样品SnS粉晶的结构形貌及组分进行了表征.研究了影响合成SnS片状纳米晶的几个因素,讨论了片状纳米晶生长过程与(040)晶面择优取向的关系,并分析了SnS片状纳米晶的合成机理.     

CdS(Se)掺Cu薄膜的相结构和光电性能

分别采用X射线衍射（XRD）、俄歇电子谱（AES）、X射线光电与谱（XPS）研究喷涂烧结CdS(Se）薄膜在有氮气氛下热退火前后结构，并进一步研究了镉和硫化学态对表面层氧成分的影响，结果表明，表现几个原子层范围内的CdS(Se)膜的非化学计量组成和CdO降低了薄膜的光电性能和寿命。