单频导纳谱法测量锗硅量子阱的能带偏移

提出了用单频导纳谱法测量储硅单量子阶的能带偏移，与常规的多频导纳谱相比，它只需测一个频率的导纳谱就能得到更精确的实验结果。用该方法对Ｓｉ／Ｇｅ_０．３３Ｓｉ_０．６７／Ｓｉ单量子阱进行测试，得到激活能为Ｅ_a＝０．２０ｅＶ。为了计算出能带偏移值，必须能准确确定具有单量子阱结构样品中的费密能级位置，由于在单量子阱结构中费密能级的位置与阱材料、垒材料的掺杂浓度、阱的高度（即能带偏移）及温度等几个因素均有关。为此，本文通过解泊松方程，计算出结合本文样品 关键词：     

ELECTROLUMINESCENCE OF POLYMER DOPED WITH TRIPHENYL-2-PYRAZOLINE

Poly-phenylquinoxaline is used as the electroluminescent( EL) materials to fabricate the thin film electroluminescent devices by the spin coating method. Doped with 1,3,5-triphenyl-2-pyrazoline,the EL spectrum of the devices is shifted to the blue-green region with its peak located at 465nm. The incorporation of a hole transport layer,poly-vinylcarbazole,will enhance the EL intensity,and the quantum efficiency is estimated to be 0.2%. Thus,the devices can be driven by either positive or negative bias(or ac voltage) even though the currentvoltage curve possesses a rectifying property.     

快速退火后重掺硼的分子束外延层的电学特性

对快速退火后用共蒸发Ｂ_２Ｏ₃方法实现重掺杂硼的硅分子束外延层的电学特性进行了研究．１１００℃退火可以使得外延层中载流子浓度提高４倍，空穴的霍耳迁移率与相同浓度下硅体材料的水平相当；外延层与衬底之间载流子浓度转变陡峭，获得了晶体质量良好的外延层． 关键词：     

高温电子辐照硅中缺陷的研究

本文对高温电子辐照硅中产生的缺陷进行了研究,发现缺陷的引进率随电子辐照温度的增加而增加,在达到极值温度T_m后,缺陷的引进率将随之而下降,T_m值与缺陷的退火激活能有关。E₃缺陷(E_c—0.36eV)浓度在高温电子辐照中显著增加,在330℃高温电子辐照时,E₃缺陷浓度为室温电子辐照的6倍。研究结果表明,E₃缺陷的可能结构为与多空位和氧有关的复合体。 关键词：     

电子辐照InP的体内和界面缺陷研究

本文用电子辐照的方法在n型InP中引入缺陷,并以深能级瞬态谱为基础,结合多种实验方法和理论计算,对缺陷的结构作了较为系统的研究和分析。首先,根据空位的引入和迁移模型,从理论上计算出In和P单空位的引入率和消失温度,经与实验结果比较,鉴别出室温电子辐照后InP中主要的缺陷是以络合结构的形式存在的。文中还推导了连续界面态与DLTS信号的关系式。很据这一关系式,经计算机运算,证实辐照前InPDLTS谱中的某一个宽峰是由界面电子的发射和俘获所引起。从实验还发现,经电子辐照后该峰明显变小,反映了界面态密度的降低,结 关键词：     

单边分子束外延硅pn结C-V关系的新特点

本文研究了以分子束外延硅为超薄n区的pn结的C-V特性,推导了当该结的耗尽区扩展到外延层边缘后的C^-2-V关系。据此,由实验可求出非故意掺杂的硅分子束外延层的杂质浓度为8.0×10¹⁴cm^-3。从而建立起一种测量超薄分子束外延层掺杂浓度的新方法。 关键词：