Crystal chemistry and structural design of iron-based superconductors

The second class of high-temperature superconductors （HTSCs）, iron-based pnictides and chalcogenides, necessarily contain Fe2X2 （＂X＂ refers to a pnictogen or a chalcogen element） layers, just like the first class of HTSCs which possess the essential CuO2 sheets. So far, dozens of iron-based HTSCs, classified into nine groups, have been discovered. In this article, the crystal-chemistry aspects of the known iron-based superconductors are reviewed and summarized by employing ＂hard and soft acids and bases （HSAB）＂ concept. Based on these understandings, we propose an alternative route to exploring new iron-based superconductors via rational structural design.     

IEO方法在求解哈密顿量能谱中的应用

利用IEO方法,通过选取合适的不变本征算符,使之满足所谓的"本征算符方程",其本征值与体系的能隙对应;从而直接、方便地推导出体系的能谱.本文以有外场时双原子分子体系和光场非线性相互作用的两个哈密顿为例,介绍IEO方法在分子与原子物理中的应用.     

N,N,N′,N′-四(2-苯并咪唑亚甲基)-1,2-乙二胺的晶体和电子结构

合成了六齿配体N,N,N′,N′-四(2-苯并咪唑亚甲基)-1,2-乙二胺(EDTB).对该配体进行了元素分析、紫外和红外表征;采用X射线衍射方法测定了晶体结构,依据晶体结构数据使用G98程序对配体进行了量子化学计算.     

镓(Ga)的含量及分布对CIGS薄膜电池量子效率的影响

采用两步法制备CuGaxIn1-xSe2薄膜,Cu-In-Ga金属预制层采用铜镓合金靶及铟靶通过磁控溅射方法沉积而成,采用固态源硒化法在硒蒸气密闭环境中硒化,通过调整镓(Ga)比例及分布控制CIGS薄膜的带隙,采用镓元素梯度分布,使CIGS薄膜带隙呈现抛物线状分布,电池的量子效率得到明显提高,制备出的CIGS薄膜电池开路电压与转换效率都得到很大程度的改善,电池最高转换效率已达9.4;.     

GaPO4晶体弹性与压电性能的研究

本文首先绘制了GaPO4晶体在（100）,（010）,（001）三个主晶面内慢度分布曲线,计算了声速的最大值,并与水晶进行了比较,发现GaPO4晶体的声速普遍小于水晶的声速;其次还探讨了GaPo4晶体压电系数d11及机电耦合系数k11随空间方向变化的规律,得到了GaPO4晶体d11,k11的最大值及其方向,并分别和水晶进行了比较,发现GaPO4晶体的d11和k11都远大于水晶的。这些结果将对GaPO4晶体在压电器件和声光器件的设计,开发及利用等方面具有一定的理论指导作用。     

嵌入无限大弹性板中圆板的热屈曲分析 1)

分析了嵌入无限大弹性板中的圆板在变温时的热屈曲问题。由于圆板的热膨胀系数与无限大弹性板的热膨胀系数不同,温度变化时圆板中会产生压应力。当压应力达到其临界值时,圆板会发生热屈曲。首先,基于弹性力学平面应力问题的基本理论,得到圆板和无限大弹性板的应力和位移;然后建立圆板热屈曲的控制微分方程,求得临界屈曲温度的解析解和数值解,着重讨论圆板和无限大弹性板的材料物性参数的关系对圆板临界屈曲温度的影响。     

硒化前后电沉积贫铜和富铜的Cu(In1-xGax)Se2薄膜成分及结构的比较

采用电沉积法获得了接近化学计量比的贫铜和富铜的Cu（In_1-xGa_x）Se₂（CIGS）预置层,研究比较了两种预置层及其硒化处理后的成分和结构特性.得到了明确的实验证据证明,硒化后富铜薄膜中的Cu_xSe相会聚集凝结成结晶颗粒分散在表面.研究表明：在固态源硒化处理后,薄膜成分基本不变;当预置层中原子比Cu/（In+Ga）<11时,硒化后薄膜表面存在大量的裂纹;而当Cu/（In+Ga） >12时,可以消除裂纹的产生,形成等轴状小晶粒;富铜预置层硒化时蒸发沉积少量In,Ga和Se后,电池效率已达到68%;而贫铜预置层硒化后直接制备的电池效率大于2%,值得进一步深入研究. 关键词： 1-xGa_x）Se₂薄膜')" href="#">Cu（In_1-xGa_x）Se₂薄膜 电沉积 硒化处理 贫铜或富铜薄膜     

铁超氧化物歧化酶活性中心结构研究

对氧化型、还原型及非活性形式铁超氧化物歧化酶Fe-SOD活性中心进行了量子化学计算和比较。在HF方法及LANL2DZ基组水平上获得了分子轨道能量、电荷分布以及原子轨道对前沿分子轨道贡献的信息。结果表明, Fe-SOD酶的活性形式的活性中心易于接受超氧自由基(O2- )的进攻而完成其生理功能。