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71.
对准倒焊机是制备混合红外焦平面阵列(HIRFPA)所必需的设备。HDD-1型红外倒焊机是国内第一台自行研制的光机电仪器。叙述了本仪器的原理、特性和在HIRFPA中的应用,讨论了该仪器的对准精度,提出了采用自动校准器改进上、下两个焊接面找平的实施方法。  相似文献   
72.
本文提出了一种新的带有时间幂次项的灰色GM(1,1,k,k2)模型,给出了其灰微分方程和白化微分方程基本形式。基于最小二乘法获得了该模型参数估计值,并推导了该模型时间响应函数。鉴于GM(1,1,k,k2)模型灰微分方程与白化微分方程之间存在跳跃关系,首先对灰微分方程的背景值进行了优化,并推导了优化后的背景值计算公式。为了克服初始值的影响,根据误差平方和最小,进一步优化了GM(1,1,k,k2)模型时间响应函数。最后,该优化后的GM(1,1,k,k2)模型被应用于软土地基沉降预测,获得了较好的模拟预测效果,说明模型是可行的。  相似文献   
73.
采用DFT/TDDFF计算和极化率的态求和方法研究了四氧杂卟啉二价正离子(TOP2+)B态(S2态)激发的共振拉曼(RR)光谱, 计算模型同时处理了A项和B项对拉曼极化率的贡献.用PBE1PBE、B3LYP、Cam-B3LYP、B3LYP-D3四种交换-相关泛函计算得到的RR光谱总体上相似,其中PBE1PBE和B3LYP 给出的RR 强度与实验吻合得更好一些. 对于全对称振动(A1g),其拉曼谱带相对强度的理论计算结果与实验一致;TDDFF计算表明: 相对于基态,TOP2+的B态沿υ2、υ6、υ7、υ8简正模式有较大的无量纲位移, 导致相应的RR带有较大的强度. 非全对称的B1g和B2g 模式通过B项机理增强,其强度比A1g模式小1~2个量级,与实验结果定性符合. 与实验相比,υ10模式(B1g)RR强度的理论值过小,而υ11模式(B1g)的理论值偏大;这可能是由于TOP2+的B-态(S2态)具有Jahn-Teller效应.  相似文献   
74.
The creation and propagation of longitudinal acoustic phonons (LAPs) in high quality hematite thin films (α-Fe203) epitaxially grown on different substrates (BaTiO3, SrTiO3, and LaAlO3) are investigated using the femtosecond pump- probe technique. Transient reflection measurements (AR/R) indicate the photo-excited electron dynamics, and the initial decay less than 1 ps and the slow decay of -500 ps are attributed to the electron-LO phonon coupling and electron-hole nonradiative recombination, respectively. LAPs in α-Fe2O3 film can be created by ultrafast excitation of the ligand field state, such as the ligand field transitions under 800-nm excitation as well as the ligand to metal charge-transfer with 400- nm excitation. The strain modulations of the sound velocity and the out-of-plane elastic properties are demonstrated in α-Fe2O3 film on different substrates.  相似文献   
75.
聚变-裂变混合能源堆包括聚变中子源和次临界能源堆,主要目标是生产电能。回顾了国内外混合堆的发展历史,给出混合能源堆设计的边界条件和约束条件,说明次临界能源堆以铀锆合金为燃料、水为冷却剂的设计思想。利用输运燃耗耦合程序 MCORGS 计算了混合能源的燃耗,给出了中子有效增殖因数、能量放大倍数和氚增殖比等物理量随时间的变化。通过分析能谱和重要核素随燃耗时间的变化,说明混合能源堆与核燃料增殖、核废料嬗变混合堆的不同特点。论述了混合堆的热工设计并进行了安全分析。对于燃耗数值模拟程序,通过多家对算,保证其计算结果的可信性。针对次临界能源堆的特点,利用贫铀球壳建立了贫铀聚乙烯装置和贫铀LiH装置,并且专门设计加工了天然铀装置,开展铀裂变率、造钚率、产氚率等中子学积分实验,验证了数值模拟的可靠性。  相似文献   
76.
钚体源样品γ能谱计算的蒙特卡罗方法   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
提出了钚体源样品γ能谱分步计算的蒙特卡罗模型和方法.采用分步和直接计算两种方法对球壳形钚体源样品的γ能谱进行了模拟计算.用实验测量的γ能谱验证了计算结果的可靠性,计算结果与实验测量值在10%的误差范围符合.通过对Steve Fetter模型的模拟计算表明:对于外面包有若干屏蔽层的钚体源样品大系统,采用分步方法进行能谱计算,可以使结果快速收敛.  相似文献   
77.
研究了γ-辐照前后纯Y2SiO5和Eu3+掺杂的Y2SiO5晶体吸收光谱的变化,辐照后,未退火和氢气退火的纯Y2SiO5晶体在260~270 nm和320 nm波段产生了附加吸收峰,分别是由F心和O-心的吸收引起的;经过空气退火的纯YSO晶体中,由于消除了氧空位,因此辐照后没有出现色心吸收峰。在Eu3+∶Y2SiO5晶体中,不但有相同的F心和O-心吸收峰,而且还有Eu2+离子在300 nm和390 nm的吸收峰。随着辐照剂量的增加,色心附加吸收峰增强。空气退火能减少Eu3+∶Y2SiO5晶体中的色心,而氢气退火能增加色心。  相似文献   
78.
We investigate the hydrodynamic properties of Fe3O4 kerosene-based ferrofluids with narrow particle size distribution. The ferrofluids are synthesized by improving chemical coprecipitation technique. A narrow distribution of 8.6-10.8nm particle sizes is obtained from the magnetization curve with the free-form model based on the Bayesian inference theory. The fitting result is consistent with average particle size obtained from x-ray diffraction. With the increase of applied magnetic field and magnetic particle concentration, apparent viscosity of ferrofluids increases. At concentration 4.04%, the type of flow for the ferrofluid transforms from Newtonian to Bingham plastic fluid as the applied magnetic field increases.  相似文献   
79.
We present the growth of GaN epilayer on Si (111) substrate with a single AlGaN interlayer sandwiched between the GaN epilayer and AlN buffer layer by using the metalorganic chemical vapour deposition. The influence of the AlN buffer layer thickness on structural properties of the GaN epilayer has been investigated by scanning electron microscopy, atomic force microscopy, optical microscopy and high-resolution x-ray diffraction. It is found that an AlN buffer layer with the appropriate thickness plays an important role in increasing compressive strain and improving crystal quality during the growth of AlGaN interlayer, which can introduce a more compressive strain into the subsequent grown GaN layer, and reduce the crack density and threading dislocation density in GaN film.  相似文献   
80.
This paper investigates the major structural parameters, such as crystal quality and strain state of (001)-oriented GaN thin films grown on sapphire substrates by metalorganic chemical vapour deposition, using an in-plane grazing incidence x-ray diffraction technique. The results are analysed and compared with a complementary out-of-plane x- ray diffraction technique. The twist of the GaN mosaic structure is determined through the direct grazing incidence t of (100) reflection which agrees well with the result obtained by extrapolation method. The method for directly determining the in-plane lattice parameters of the GaN layers is also presented. Combined with the biaxial strain model, it derives the lattice parameters corresponding to fully relaxed GaN films. The GaN epilayers show an increasing residual compressive stress with increasing layer thickness when the two dimensional growth stage is established, reaching to a maximum level of-0.89 GPa.  相似文献   
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