全文获取类型
收费全文 | 599篇 |
免费 | 181篇 |
国内免费 | 152篇 |
专业分类
化学 | 304篇 |
晶体学 | 6篇 |
力学 | 47篇 |
综合类 | 31篇 |
数学 | 90篇 |
物理学 | 454篇 |
出版年
2024年 | 1篇 |
2023年 | 8篇 |
2022年 | 22篇 |
2021年 | 16篇 |
2020年 | 16篇 |
2019年 | 20篇 |
2018年 | 20篇 |
2017年 | 26篇 |
2016年 | 28篇 |
2015年 | 23篇 |
2014年 | 49篇 |
2013年 | 27篇 |
2012年 | 41篇 |
2011年 | 37篇 |
2010年 | 31篇 |
2009年 | 36篇 |
2008年 | 42篇 |
2007年 | 45篇 |
2006年 | 28篇 |
2005年 | 53篇 |
2004年 | 40篇 |
2003年 | 30篇 |
2002年 | 28篇 |
2001年 | 28篇 |
2000年 | 16篇 |
1999年 | 22篇 |
1998年 | 22篇 |
1997年 | 24篇 |
1996年 | 23篇 |
1995年 | 15篇 |
1994年 | 10篇 |
1993年 | 8篇 |
1992年 | 15篇 |
1991年 | 10篇 |
1990年 | 10篇 |
1989年 | 10篇 |
1988年 | 4篇 |
1987年 | 3篇 |
1986年 | 9篇 |
1985年 | 3篇 |
1984年 | 8篇 |
1983年 | 6篇 |
1982年 | 8篇 |
1981年 | 2篇 |
1980年 | 3篇 |
1973年 | 2篇 |
1964年 | 1篇 |
1963年 | 1篇 |
1960年 | 1篇 |
1956年 | 1篇 |
排序方式: 共有932条查询结果,搜索用时 31 毫秒
51.
科技创新是提高社会生产力和综合国力的战略支撑,人力资源是第一资源。采用固定效应模型,实证检验了贸易开放和人力资本结构高级化对科技创新的影响,研究发现,贸易开放和人力资本结构高级化是促进科技创新能力的显著因素,其中人力资本结构高级化对科技创新能力的影响更大。异质性分析的结果表明,贸易开放和人力资本结构高级化对科技创新的影响会因地理区域位置的不同而有所差异。因此,我国应该采用更加积极主动的贸易开放政策和人才培养战略,营造良好的科技创新氛围,以提升整体科技创新能力水平,进一步增强综合国力,提升国际地位。 相似文献
52.
题目(云南师大附中2014届高考适应性月考卷(八)理科第14题)已知△ABC中,AB=2,AC=3,BC=√7,其外接圆的圆心为O,则→AO·→BC=.本题重点考察向量的数量积、向量的运算、解三角形以及圆和三角形的外心的一些性质,本文将对其进行解法探究、拓展探究和变式探究.一、命题的解法探究(一)利用向量数量积的运算 相似文献
53.
54.
在对不同晶相比硅薄膜的实验研究的基础上,利用有效介质理论估算了这种两相材料的光吸 收系数、迁移率寿命乘积及带隙宽度等参量,计算机模拟了不同结晶比硅薄膜电池的伏安特 性及光谱响应;结果为随着本征层微晶成分的增多,电池的开路电压逐渐减小,短路电流逐 渐增大,本征层的最佳厚度逐渐增大,填充因子有降低的趋势,电池的效率随晶相比的增大 而减小. 电池的光谱响应曲线表明,随晶相比的增大电池的长波响应明显提高. 根据这些模 拟结果,分析讨论了在考虑Lambertian背反射的情况下,非晶/微晶叠层电池的底电池采用 晶相比为40%—50%的两相硅薄膜材料做本征层是最佳选择.
关键词:
两相硅薄膜
太阳能电池
计算机模拟 相似文献
55.
Interface states in Al_2O_3/AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor structure by frequency dependent conductance technique 下载免费PDF全文
Frequency dependent conductance measurements are implemented to investigate the interface states in Al2O3/AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor(MOS) structures. Two types of device structures, namely, the recessed gate structure(RGS) and the normal gate structure(NGS), are studied in the experiment. Interface trap parameters including trap density Dit, trap time constant τit, and trap state energy ETin both devices have been determined. Furthermore,the obtained results demonstrate that the gate recess process can induce extra traps with shallower energy levels at the Al2O3/AlGaN interface due to the damage on the surface of the AlGaN barrier layer resulting from reactive ion etching(RIE). 相似文献
56.
57.
58.
59.
利用800 nm的飞秒激光作为光源对3-甲基吡啶分子进行了多光子电离解离过程和机制的研究,发现3-甲基吡啶为先电离后解离,并分析了可能的解离通道.在B3LYP/6-311G++(d,p)水平下,计算了各个解离通道所需的能量,与我们实验所得的各离子的光强指数符合较好. 相似文献
60.
使用最新版本的Space Radiation 7.0软件对典型卫星轨道(包括地球同步轨道、中地轨道和低地轨道)的空间辐射环境进行提取和计算,分析不同空间天气和屏蔽条件下的轨道离子通量-能量谱和通量-线性能量沉积(LET)谱特点。以一款SOI SRAM为例,结合地面加速器重离子试验获得的单粒子翻转截面-LET值关系曲线,预计该器件的在轨软错误率(SER),并分析关键参数对预计结果的影响规律和内在机理。结果表明,使用Space Radiation软件的四种输入模式获得的预计结果可相差5倍左右;灵敏区厚度的增大导致在轨SER降低数个数量级,原因为灵敏区厚度的设置与灵敏区平均投影面积和符合条件的空间离子通量的大小直接相关;漏斗长度的大小对预计结果有一定的影响。最后,对SER预计模型的适用性和发展趋势进行了讨论。 相似文献