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71.
72.
73.
Synchronization of a noise-perturbed generalized Lorenz system by
using sliding mode control method is investigated in this paper. Two
sliding mode control methods are proposed to synchronize the
noise-perturbed generalized Lorenz system. Numerical simulations are
also provided for the illustration and verification of the methods. 相似文献
74.
以三嵌段化合物P123为模板剂、正硅酸乙酯(TEOS)为硅源,利用水热法制备出有序介孔二氧化硅SBA-15,随后利用3-氨丙基三乙氧基硅烷(APTES)、乙酰丙酮(ACAC)分步对该有序介孔材料进行改性,再将其置于乙醇溶液中,加入三价稀土Tb的盐溶液进行络合,制备出具有强发光性能的有序介孔纳米复合稀土材料。采用XRD、FTIR和荧光光谱等分析方法对复合材料的结构与性能进行了研究。发现有序介孔材料、第二配体(邻菲口罗啉Phen)对稀土络合物发光强度有重要影响,并对其机理进行了解释。另外,发现其热稳定性也有所提高。 相似文献
75.
利用密度泛函理论(DFT)在B3LYP/6-311G++(d,p)水平上对溴化苄分子进行了结构优化和频率计算,得到了该分子的稳定构型和全部振动模式。计算得到的几何参数通过与苯分子的实验值相比,发现理论值与其相吻合;理论计算和实验测得的红外光谱数据的比较分析表明,理论计算与实验测量结果符合得较好,并对其振动模式进行了归属。最后,在B3LYP/6-311G++(d,p)水平上计算得到了溴化苄阳离子的红外光谱,并与溴化苄进行了比较,计算表明电离对振动偶极距产生了较大影响。 相似文献
76.
运用美国宾州大学发展的AMPS程序模拟分析了n-型纳米硅(n+-nc-Si:H)/p-型晶体硅(p-c-Si)异质结太阳电池的光伏特性.分析表明,界面缺陷态是决定电池性能的关键因素,显著影响电池的开路电压(VOC)和填充因子(FF),而电池的光谱响应或短路电流密度(JSC)对缓冲层的厚度较为敏感.对不同能带补偿(bandgap offset)的情况所进行的模拟分析表明,随着ΔEc的增大,由于界面态所带来的开路电压和填充因子的减小逐渐被消除,当ΔEc达到05eV左右时界面态的影响几乎完全被掩盖.界面层的其他能带结构特征对器件性能的影响还有待进一步研究.最后计算得到了这种电池理想情况下(无界面态、有背面场、正背面反射率分别为0和1)的理论极限效率ηmax=3117% (AM15,100mW/cm2,040—110μm波段). 相似文献
77.
78.
The title polymeric complex [Ho(H2saln)1.5(NO3)3](H2saln=N,N'-bissalicyclidene-ethylenediamine) C24H24N6O12Ho was prepared and its crystal was characterized by X-ray diffraction. The ligand is dischiff base from salicylaldehyde and ethylenediamine. The complex crystallizes in trigonal system, space group Pc1(No. 165), Mr=753.42, a=15.818(2), c=16.978(3) , V=3681(2) 3, Dx=1.360 g/cm3, Z=4, μ=2.2286 mm-1, F(000)=1492, R=0.049, Rw=0.061. In the complex the coordination number of Ho(Ⅲ) is 9 with the geometry of a tricapped trigonal prism. All of the coordination atoms are oxygen atoms. The Ho(Ⅲ) ions are bridged by the dischiff base to form an infinite two-dimensional polymeric network, parellel to the (001) plane. 相似文献
79.
采用荧光光谱法系统地研究了萘普生的自身荧光现象及其与β-环糊精因包络反应而产生的荧光增敏作用,试验了在不同条件下的荧光性质,提出了测定萘普生含量的高灵敏荧光光度分析新方法. 荧光激发峰λex =229 nm ,荧光发射峰λem = 353 nm ,荧光强度(F)与萘普生的浓度在6.14×10- 8m ol·L- 1 ~1.36×10- 5m ol·L- 1范围内呈线性关系,分析方法操作简便、快速,重现性好,结果令人满意. 相似文献
80.