τ质量测量方案的Monte Carlo研究

在τ质量实验测量之前对多种测量方案进行了细致的Monte Carlo研究,并进行了比较.确定τ质量测量实验采用最大似然法,并给出可能的测量精度.研究了包括探测效率、束流能散等诸多因素对实验的影响,同时对实验的实现提出要求.     

外加电场对掺杂KNSBN晶体空间电荷场的影响

利用掺铈KNSBN晶体,在633nm下观察和测试了外加电场对晶体内部空间电荷场的基频和高阶分量的记录和擦除特性的影响,并对所得实验结果进行了分析。 关键词：     

再制造系统外部竞争要素的作用与委托代理机制

在再制造系统中引入了外部竞争因素,构建了一个三产品竞争系统.在内、外部竞争的条件下,分别给出了均衡解,研究了OEM实施再制造和外部竞争者进入的决策边界条件,设计了委托代理合作契约.研究表明:在单竞争因素的情况下,内部竞争不能产生充分的阻力,以阻止竞争者进入；双竞争因素下,内部竞争没有产生更大的阻力,外部竞争使OEM的再制造策略变得更加困难,这迫使OEM选择委托代理合作机制,其转移支付依赖于:规模经济,机会成本和竞争者产品竞争力.     

线性谐振子的非定态波函数

引入初坐标算符和初动量算符为线性谐振子的力学量完全集，求解薛定谔方程，可得到线性谐振子的两类非定态波函数。     

电解提取含铜钢中相时铜的电化学行为

电解提取含铜钢或其他含铜合金中的相时,在阳极沉淀中常常发现铜、铜的氧化物或合金基体,有时甚至出现难溶的卤化铜沉淀,严重歪曲相分析结果。本文目的在找出阳极沉淀被污染的原因及其解决办法。样品成份(重量％)为:2Cu、0.4Mo、0.4Mn、0.38C,其余为Fe。实验结果 1.在水溶液中的电解行为:选用0.3M氯化铵+0.5M柠檬酸水溶液电解提取     

闪烁计数器阵列定位系统

该闪烁计数器阵列定位系统,即闪烁计数器描迹仪,不但可以确定带电粒子通过的位置,还可以用做触发计数器。在用做触发计数器时,它还具有选择落入该阵列的带电粒子数目的能力。该描迹仪为8×8闪烁计数器阵列,每条闪烁体（ST401型）为40×5×0.6cm³。配用GDB50光电倍增管。阵列面积为40×40cm²。我们自制了快电子学系统和数据读取系统,在与微处理机联试过程中,工作稳定可靠。造价低廉。     

密相液固两相湍流K-ε-T模型及其在管道两相流中的应用

为了准确预测密相液固两相湍流流动,建立了Ｋ－ε－Ｔ模型,推导了控制方程组。利用该模型对竖直上升管中的密相液固两相流动进行了数值模拟,得到了与实验值吻合较好的结果。     

单轴各向异性左手介质表面的Goos-H?nchen位移

分析了单轴各向异性左手介质表面的Goos-H?nchen位移，分别给出了光轴与两种介质的界面垂直和平行情形下的Goos-H?nchen位移解析表达式，并分析了Goos-H?nchen位移产生的条件以及位移的正负情况.还采用菲涅尔近似的方法给出了临界角附近的Goos-H?nchen位移表达式，结果表明临界角附近的Goos-H?nchen位移是入射光的束腰半径和入射角的函数，并且给出了临界角入射时Goos-H?nchen位移的较为简洁的近似表达式，这样就在整个角度的取值范围内都给出了Goos-H?nchen位移的表达式. 关键词： Goos-H?nchen位移 左手介质 单轴各向异性 临界角     

单轴各向异性左手介质表面的Goos-Hnchen位移

分析了单轴各向异性左手介质表面的Goos-Hanchen位移,分别给出了光轴与两种介质的界面垂直和平行情形下的Goos-Hanchen位移解析表达式,并分析了Goos-Hanchen位移产生的条件以及位移的正负情况.还采用菲涅尔近似的方法给出了临界角附近的Goos-Hanchen位移表达式,结果表明临界角附近的Goos-Hanchen位移是入射光的束腰半径和入射角的函数,并且给出了临界角入射时Goos-Hanchen位移的较为简洁的近似表达式,这样就在整个角度的取值范围内都给出了Goos-Hanchen位移的表达式.     

表面杂质对NO+CO/Pt(100)反应体系振荡动力学的影响

提出了一个格气模型， 探讨催化表面的惰性杂质对NO+CO/Pt(100)反应体系振荡动力学行为的影响．研究发现表面杂质较少时，反应进程中表面重构能够形成相连通的1*1相和持续的振荡行为．当表面杂质不断增加时，反应进程中1*1相只能形成许多孤立的畴，从而在1*1相形成的随机的局域振荡的空间关联被削弱，因而体系全局的持续振荡行为演变为衰减振荡行为．当表面吸附的CO和NO的扩散速率增加时，局域振荡的空间协同又得到加强，体系又呈现出持续振荡行为．